LED芯片及混晶方法技术

本发明专利技术提供一种LED芯片及混晶方法，LED芯片包括LED本体、第一电极及第二电极，其中，第一电极与第二电极其中之一为具有磁性的电极，具有磁性的电极包括堆叠的磁性层及非磁性层。混晶方法包括步骤：1)提供一混晶基板，混晶基板上具有规则排列的磁性单元；2)将具有各种波长的如上的LED芯片混合后分散于混晶基板，通过磁性单元吸附LED芯片的具有磁性的电极，使LED芯片规则排列于混晶基板，移除未被磁性单元吸附的LED芯片；3)将混晶基板上的规则排列的LED芯片转移至中转基板上。本发明专利技术通过简单高效的方式实现LED芯片的混晶，避免需要对LED芯片进行巨量的分选，大大提升LED芯片的利用率。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片及混晶方法
本专利技术属于半导体显示领域，特别是涉及一种LED芯片及混晶方法。
技术介绍
随着室内显示应用技术不断提高，目前使用的投影、DLP(DigitalLightProcessing，数字光处理)、LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)、PDP(PlasmaDisplayPanel，等离子显示板)等显示应用产品己不能完全满足市场应用需求。在各方面还存在一些缺陷使其突破不了技术的发展。而LED(LightEmittingDiode，发光二极管)全彩显示技术克服了上述产品的众多缺陷，如MiniLED(LED显示屏和背光)和MicroLED，分别成为户内外显示，如指挥中心、户外广告屏、会议中心等场合的首选，以及消费类电子屏幕的主要开发目标之一。通常，受外延生长设备、工艺及芯片工艺限制，LED晶圆内芯片的波长峰值分布较宽，可达10nm。由于人眼容易识别可见光波段的波长差异，MiniLED及MicroLED显示均要求芯片发光波长分布在较窄的范围，以防止出现块状颜色差异区块而被人眼识别到。所谓块状颜色差异，指本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括LED本体、以及连接于所述LED本体的第一电极及第二电极，其中，所述第一电极与第二电极其中之一为具有磁性的电极，所述具有磁性的电极包括堆叠的磁性层及非磁性层。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括LED本体、以及连接于所述LED本体的第一电极及第二电极，其中，所述第一电极与第二电极其中之一为具有磁性的电极，所述具有磁性的电极包括堆叠的磁性层及非磁性层。


2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片为垂直结构，所述第一电极及第二电极分别位于所述LED芯片的第一面及第二面。


3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：LED芯片为水平结构，所述第一电极及第二电极均位于所述LED芯片的第一面。


4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述磁性层的材质包括Fe单质层、Co单质层、Ni单质层、Mn单质层、SmCo合金层及NdFeB合金层中的一种。


5.根据权利要求1～4任意一项所述的LED芯片，其特征在于：所述具有磁性的电极包括位于所述LED本体表面上的磁性层以及位于所述磁性层表面上的非磁性层。


6.根据权利要求1～4任意一项所述的LED芯片，其特征在于：所述具有磁性的电极包括位于所述LED本体表面上的第一非磁性层、位于所述第一非磁性层表面的磁性层以及位于所述磁性层表面上的第二非磁性层，所述第一非磁性层与所述LED本体欧姆接触。


7.一种如权利要求1～6任意一项所述的LED芯片的混晶方法，其特征在于，包括步骤：
1)提供一混晶基板，所述混晶基板上具有规则排列的磁性单元；
2)将具有各种波长的如权利要求1～6任意一项所述的LED芯片混合后分散于所述混晶基板，通过所述磁性单元吸附所述LED芯片的具有磁性的电极，使所述LED芯片规则排列于所述混晶基板，移除未被所述磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：付小朝，刘权锋，卢敬权，
申请(专利权)人：东莞市中晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44