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Micro LED显示模块的制作方法及Micro LED显示模块技术

技术编号:40840390 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-01 15:06
本发明专利技术公开了一种Micro LED显示模块的制作方法以及显示模块,包括:提供生长有多个发光单元的衬底;在发光单元的顶部形成第一电极,第一电极还延伸至发光单元的侧壁上;在发光单元之间形成将多个发光单元连接在一起的封装结构,封装结构包裹第一电极延伸至发光单元侧壁区域的至少部分,在发光单元的顶部形成光学结构,光学结构覆盖第一电极位于发光单元顶部区域的部分;将一临时载板键合到发光单元远离衬底的一侧,以使临时载板与光学结构临时键合;剥离衬底,并将一电路载板键合到发光单元远离临时载板的一侧;解除临时载板和光学结构的临时键合以去除临时载板。与现有技术相比,本发明专利技术可稳定转移Micro LED,且转移时结构稳定,不易损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件,尤其涉及micro led显示模块的制作。


技术介绍

1、随着显示技术的进步,市场对lcd(liquid crystal display,液晶显示器)的低对比度、低色域、低响应速度等缺点,以及oled(organic lightemitting display,有机发光显示器)的烧屏、颗粒感重、偏色、光舒适度差等缺点越发不满。micro led显示技术作为下一代显示技术,具有高对比度、高色域、高响应速度、超高分辨率和寿命长等优点,其兼有lcd及oled的优点的同时又没有其缺点。micro led还具有可柔性显示及低能耗的优点,被誉为一种终极显示技术。

2、制作micro led显示器需要将百万颗的微米级led转移至背板上,即巨量转移。现有巨量转移有以下几种方法,如静电力转移技术、范德华力转移技术、磁场力转移技术、自对准滚轮转印技术、自组装转移技术和激光转移技术,但均有优缺点。如范德华力转移技术,难以做到拾取与释放的一致性;自组装转移技术组装后的micro led推拉力差,修复困难,且在转移后剥离衬底时led上的电极极易碎裂。

3、故,急需一种可解决上述问题的micro led显示模块的制作方法及micro led显示模块。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种micro led显示模块的制作方法及micro led显示模块,可稳定转移micro led,且转移时结构稳定,不易损坏。

2、为了实现上述目的,本专利技术公开了一种micro led显示模块的制作方法,包括:提供生长有多个发光单元的衬底;在所述发光单元的顶部形成第一电极,所述第一电极还延伸至所述发光单元的侧壁上;在所述发光单元之间形成将多个所述发光单元连接在一起的封装结构,所述封装结构包裹所述第一电极延伸至所述发光单元侧壁区域的至少部分,在所述发光单元的顶部形成光学结构,所述光学结构覆盖所述第一电极位于发光单元顶部区域的部分;将一临时载板键合到所述发光单元远离所述衬底的一侧,以使所述临时载板与所述光学结构临时键合;剥离所述衬底,并将一电路载板键合到所述发光单元远离临时载板的一侧;解除所述临时载板和所述光学结构的临时键合以去除所述临时载板。

3、与现有技术相比,本专利技术的封装结构直接将多个发光单元连成一体,且可以有效保护发光单元,使得该micro led可以结构稳定地进行区块转移。再者,本专利技术的封装结构将第一电极在发光单元侧部的部分区域保护于内,光学单元将第一电极在发光单元顶部的部分区域保护于内,有效防止在剥离衬底时第一电极断裂。

4、较佳地,提供生长有多个发光单元的衬底包括以下步骤:提供一外延片,所述外延片包括衬底和形成于所述衬底上的外延层;分割所述外延层以形成多个独立的发光结构;在所述发光结构的侧壁上形成绝缘层,并使所述绝缘层的上侧包裹所述发光结构顶部的周沿。

5、具体地,在所述发光结构的侧壁上形成绝缘层之前,还包括步骤:在所述发光结构的顶部形成透明导电层;在所述发光结构的侧壁上形成绝缘层时,所述绝缘层的上侧还延伸至所述发光单元的顶部并包裹所述透明导电层的周沿。其中,该透明导电层沉积于所述发光结构的顶部。具体地,该透明导电层为ito层。

6、具体地,所述光学结构的周沿覆盖至所述绝缘层的上侧的部分位置,所述第一电极在所述发光单元的顶部延伸至所述绝缘层未包裹的区域,并与透明导电层接触,该方案使得封装结构通过绝缘层将发光单元连接在一起。

7、较佳地,所述光学结构和所述封装结构通过旋涂su8光刻胶一步形成,工艺简单,加工效率高。

8、较佳地,去除所述临时载板后还包括步骤:在所述第一电极位于所述发光单元的侧壁且未被所述封装结构包裹的区域上形成导电线路,所述导电线路与所述电路载板电连接;所述发光单元临近所述衬底的一侧还形成有第二电极,将一电路载板键合到所述发光单元远离临时载板的一侧时还将所述电路载板的第一焊盘与所述第二电极焊接。

9、具体地,所述光学结构的面积小于所述发光单元顶部的面积,所述导电线路还延伸至所述第一电极位于所述发光单元顶部且未被所述光学结构覆盖的区域上。

10、较佳地,所述发光单元临近所述衬底的一侧还形成有第二电极,形成第一电极时第一电极沿所述发光单元的侧部延伸至所述衬底上,并沿所述衬底向外延伸形成电极焊盘,将一电路载板键合到所述发光单元上时还将所述电路载板的第一焊盘与所述第二电极焊接,将所述电路载板的第二焊盘与所述电极焊盘焊接。

11、较佳地,所述发光单元的横截面从下至上逐渐变小,并使所述发光单元的侧边为倾斜状,且便于绝缘层的形成。

12、本专利技术还公开了一种micro led显示模块,由上述micro led显示模块的制作方法制成。

13、本专利技术还公开了一种micro led显示模块,包括电路载板、键合于所述电路载板上的多个发光单元、形成于每一所述发光单元顶部的第一电极、光学结构,以及形成于多个所述发光单元之间并接触所述电路载板的封装结构,所述第一电极还延伸至所述发光单元的侧壁上,所述光学结构覆盖所述第一电极位于发光单元的顶部区域的部分,所述封装结构包裹所述第一电极延伸至所述发光单元的侧壁区域的部分。

14、与现有技术相比,本专利技术的所述光学结构覆盖所述第一电极位于发光单元的顶部上区域的部分,所述封装结构包裹所述第一电极延伸至所述发光单元的侧壁上区域的部分,使得封装结构直接将多个发光单元连成一体,可实现microled的区块转移,而光学单元将第一电极在发光单元顶部的部分区域保护于内,有效防止在剥离衬底时第一电极断裂。

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【技术保护点】

1.一种Micro LED显示模块的制作方法,其特征在于:包括:

2.如权利要求1所述的Micro LED显示模块的制作方法,其特征在于:提供生长有多个发光单元的衬底包括以下步骤:

3.如权利要求2所述的Micro LED显示模块的制作方法,其特征在于:在所述发光结构的侧壁上形成绝缘层之前,还包括步骤:在所述发光结构的顶部形成透明导电层;在所述发光结构的侧壁上形成绝缘层时,所述绝缘层的上侧还延伸至所述发光单元的顶部并包裹所述透明导电层的周沿,所述第一电极在所述发光单元的顶部延伸至所述绝缘层未包裹的区域,并与所述透明导电层接触。

4.如权利要求1所述的Micro LED显示模块的制作方法,其特征在于:所述光学结构和所述封装结构通过旋涂SU8光刻胶一步形成。

5.如权利要求1所述的Micro LED显示模块的制作方法,其特征在于:去除所述临时载板后还包括步骤:在所述第一电极位于所述发光单元的侧壁且未被所述封装结构包裹的区域上形成导电线路,所述导电线路与所述电路载板电连接;所述发光单元临近所述衬底的一侧还形成有第二电极,将一电路载板键合到所述发光单元远离临时载板的一侧时还将所述电路载板的第一焊盘与所述第二电极焊接。

6.如权利要求5所述的Micro LED显示模块的制作方法,其特征在于:所述光学结构的面积小于所述发光单元顶部的面积,所述导电线路还延伸至所述第一电极位于所述发光单元顶部且未被所述光学结构覆盖的区域上。

7.如权利要求1所述的Micro LED显示模块的制作方法,其特征在于:所述发光单元临近所述衬底的一侧还形成有第二电极,形成第一电极时第一电极沿所述发光单元的侧部延伸至所述衬底上,并沿所述衬底向外延伸形成电极焊盘,将一电路载板键合到所述发光单元上时还将所述电路载板的第一焊盘与所述第二电极焊接,将所述电路载板的第二焊盘与所述电极焊盘焊接。

8.如权利要求1所述的Micro LED显示模块的制作方法,其特征在于:所述发光单元的横截面从下至上逐渐变小,并使所述发光单元的侧边为倾斜状。

9.一种Micro LED显示模块,其特征在于:由权利要求1-8中任一项所述Micro LED显示模块的制作方法制成。

10.一种Micro LED显示模块,其特征在于:包括电路载板、键合于所述电路载板上的多个发光单元、形成于每一所述发光单元顶部的第一电极、光学结构,以及形成于多个所述发光单元之间并接触所述电路载板的封装结构,所述第一电极还延伸至所述发光单元的侧壁上,所述光学结构覆盖所述第一电极位于发光单元的顶部区域的部分,所述封装结构包裹所述第一电极延伸至所述发光单元的侧壁区域的部分。

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【技术特征摘要】

1.一种micro led显示模块的制作方法,其特征在于:包括:

2.如权利要求1所述的micro led显示模块的制作方法,其特征在于:提供生长有多个发光单元的衬底包括以下步骤:

3.如权利要求2所述的micro led显示模块的制作方法,其特征在于:在所述发光结构的侧壁上形成绝缘层之前,还包括步骤:在所述发光结构的顶部形成透明导电层;在所述发光结构的侧壁上形成绝缘层时,所述绝缘层的上侧还延伸至所述发光单元的顶部并包裹所述透明导电层的周沿,所述第一电极在所述发光单元的顶部延伸至所述绝缘层未包裹的区域,并与所述透明导电层接触。

4.如权利要求1所述的micro led显示模块的制作方法,其特征在于:所述光学结构和所述封装结构通过旋涂su8光刻胶一步形成。

5.如权利要求1所述的micro led显示模块的制作方法,其特征在于:去除所述临时载板后还包括步骤:在所述第一电极位于所述发光单元的侧壁且未被所述封装结构包裹的区域上形成导电线路,所述导电线路与所述电路载板电连接;所述发光单元临近所述衬底的一侧还形成有第二电极,将一电路载板键合到所述发光单元远离临时载板的一侧时还将所述电路载板的第一焊盘与所述第二电极焊接。

6.如权利要求5所述的micro led显示模块的制作方法,其特征在于:...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘丹丹赵龙黄杰勤黄灿强
申请(专利权)人:东莞市中晶半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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