【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片转移，具体涉及一种转移载板、其制作方法以及转移方法。
技术介绍
1、目前，在mini-led和micro-led的制程工艺中，需要首先通过转移机构将多个led芯片转移至转接板，然后再将转接板上的各芯片与基板上的焊盘对位并焊接固定。相关技术中，采用吸附技术吸附led芯片并进行led芯片转移的工艺中，存在吸附力小、吸附不稳定的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种转移载板、其制作方法以及转移方法，以解决现有技术中存在吸附力小、吸附不稳定的问题。
2、为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供的一种转移载板，包括：氮化镓支撑体，所述氮化镓支撑体具有多个通孔，所述通孔由氮化镓支撑体的第一面延伸至与第一面相对的第二面，所述通孔位于第一面上的孔口为通孔出口，所述通孔位于第二面上的孔口为通孔入口；所述氮化镓支撑体中至少一个通孔对应的一个通孔入口连通至少两个通孔出口。
3、优选地，至少两个所述通孔的通孔入口和通孔出口均相互连通。
4、优选地，所述氮化镓支撑体的第二面上设有间隔设置的吸附区，所述通孔入口设置在所述吸附区，所述吸附区的尺寸大于待转移物的尺寸。
5、优选地，所述氮化支撑体的第二面上设有遮挡层，所述遮挡层上设有开口，所述开口露出所述通孔入口以形成所述吸附区，所述遮挡层的厚度小于所述待转移物的厚度。
6、优选地，所述通孔的孔径为纳米级。
7、第二方面，本专利技术还提供的一种转移方法，包括
8、优选地，所述氮化支撑体的第二面上设有遮挡层，所述遮挡层的厚度小于所述待转移物的厚度，所述将被吸附的待转移物转移至目标载体上，包括：将所述待转移物与所述目标载体相连接；释放所述真空装置的真空吸附力，以将所述待转移物转移至目标载体上。
9、第三方面，本专利技术还提供一种所述的转移载板的制作方法，包括：提供氮化镓支撑体；对所述氮化镓支撑体进行开孔使其具有多个通孔，所述通孔由氮化镓支撑体的第一面延伸至与第一面相对的第二面，所述通孔位于第一面上的孔口为通孔出口，所述通孔位于第二面上的孔口为通孔入口，所述氮化镓支撑体中至少一个通孔对应的一个通孔入口连通至少两个通孔出口。
10、优选地，对所述氮化镓支撑体进行开孔使其具有多个通孔，所述通孔由氮化镓支撑体的第一面延伸至与第一面相对的第二面，所述通孔位于第一面上的孔口为通孔出口，所述通孔位于第二面上的孔口为通孔入口，所述氮化镓支撑体中至少一个通孔对应的一个通孔入口连通至少两个通孔出口，包括：在所述氮化镓支撑体内掺杂掺杂剂，所述氮化镓支撑体包括交替生长的具有高浓度掺杂剂的第一氮化镓层和具有低浓度掺杂剂的第二氮化镓层；采用电化学腐蚀工艺对所述氮化镓支撑体进行腐蚀，使得所述氮化镓支撑体具有多个通孔且至少一个通孔对应的一个通孔入口连通至少两个通孔出口。
11、优选地，所述掺杂剂为硅，所述第一氮化镓层的硅掺杂浓度为1×1016～1×1018atoms/cm3，所述第二氮化镓层的硅掺杂浓度为2×1018～2×1019atoms/cm3。
12、优选地，对所述氮化镓支撑体进行开孔使其具有多个通孔之后，还包括：在所述氮化镓支撑体的第二面上形成遮挡层，对所述遮挡层进行开口，所述开口露出所述通孔入口以形成吸附区。
13、与现有技术相比，本专利技术转移载板包括设有多个通孔的氮化镓支撑体以及遮挡层，通过将吸附区内的至少一个通孔入口连通至少两个通孔出口以增大吸附区的吸气量，从而增强吸附效果，使得转移载板在用于待转移物转移的过程中，吸附更稳定。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种转移载板，其特征在于，包括：氮化镓支撑体，所述氮化镓支撑体具有多个通孔，所述通孔由氮化镓支撑体的第一面延伸至与第一面相对的第二面，所述通孔位于第一面上的孔口为通孔出口，所述通孔位于第二面上的孔口为通孔入口；
2.如权利要求1所述的转移载板，其特征在于，至少两个所述通孔的通孔入口和通孔出口均相互连通。
3.如权利要求1所述的转移载板，其特征在于，所述氮化镓支撑体的第二面上设有间隔设置的吸附区，所述通孔入口设置在所述吸附区，所述吸附区的尺寸大于待转移物的尺寸。
4.如权利要求3所述的转移载板，其特征在于，所述氮化支撑体的第二面上设有遮挡层，所述遮挡层上设有开口，所述开口露出所述通孔入口以形成所述吸附区，所述遮挡层的厚度小于所述待转移物的厚度。
5.一种转移方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的转移方法，其特征在于，所述氮化支撑体的第二面上设有遮挡层，所述遮挡层的厚度小于所述待转移物的厚度，所述将被吸附的待转移物转移至目标载体上，包括：
7.一种转移载板的制作方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的转移载板的制作方法，其特征在于，所述掺杂剂为硅，所述第一氮化镓层的硅掺杂浓度为1×1016～1×1018atoms/cm3，所述第二氮化镓层的硅掺杂浓度为2×1018～2×1019atoms/cm3。
10.如权利要求7所述的转移载板的制作方法，其特征在于，对所述氮化镓支撑体进行开孔使其具有多个通孔之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种转移载板，其特征在于，包括：氮化镓支撑体，所述氮化镓支撑体具有多个通孔，所述通孔由氮化镓支撑体的第一面延伸至与第一面相对的第二面，所述通孔位于第一面上的孔口为通孔出口，所述通孔位于第二面上的孔口为通孔入口；
2.如权利要求1所述的转移载板，其特征在于，至少两个所述通孔的通孔入口和通孔出口均相互连通。
3.如权利要求1所述的转移载板，其特征在于，所述氮化镓支撑体的第二面上设有间隔设置的吸附区，所述通孔入口设置在所述吸附区，所述吸附区的尺寸大于待转移物的尺寸。
4.如权利要求3所述的转移载板，其特征在于，所述氮化支撑体的第二面上设有遮挡层，所述遮挡层上设有开口，所述开口露出所述通孔入口以形成所述吸附区，所述遮挡层的厚度小于所述待转移物的厚度。
5.一种转移方法，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的转移方法，其特征在于，所述氮化支撑体的第二面上设有遮挡层...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵龙，刘丹丹，
申请(专利权)人：东莞市中晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。