发光结构及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术发光结构及显示装置，包括在衬底和在所述衬底上生长的LED外延结构，所述LED外延结构上设有凹槽，所述凹槽将所述LED外延结构分隔成发光部和至少两个支撑部，所述支撑部相对所述发光部对称设置，所述LED外延结构上设有电极；本实用新型专利技术通过在LED外延结构上设置凹槽，将LED外延结构分割成发光部和多个支撑部，既可以保证发光结构的发光功能，又可以在发光结构焊接或检测时，通过分布在发光部周边的多个支撑部将整个发光结构保持平衡，不会造成侧翻现象，保证发光结构焊接的准确度和发光结构检测的精准率。发光结构检测的精准率。发光结构检测的精准率。

【技术实现步骤摘要】
发光结构及显示装置


[0001]本技术涉及显示
，特别是涉及一种发光结构及显示装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(lightemittingdiode，LED)是将电能转换为光的固态元件,LED具有体积小、效率高和寿命长等优点，随着LED的应用普及，在照明、显示等领域有着广泛的应用,尤其是利用大功率LED可以实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。目前，LED一般通过外延结构生长方式形成于衬底上，外延结构上设有电极。LED在焊接或检测外延结构上是否存在漏设电极时，LED会存在侧翻的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的之一在于克服现有技术的以上缺点和不足，提供一种发光结构。
[0004]一种发光结构，包括在衬底和在所述衬底上生长的LED外延结构，所述LED外延结构上设有凹槽，所述凹槽将所述LED外延结构分隔成发光部和至少两个支撑部，所述支撑部相对所述发光部对称设置，所述LED外延结构上设有电极。
[0005]本技术通过在LED外延结构上设置凹槽，将LED本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光结构，其特征在于，包括在衬底和在所述衬底上生长的LED外延结构，所述LED外延结构上设有凹槽，所述凹槽将所述LED外延结构分隔成发光部和至少两个支撑部，所述支撑部相对所述发光部对称设置，所述LED外延结构上设有电极。2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于：所述发光部和支撑部上设有相互连接的电极。3.根据权利要求2所述的发光结构，其特征在于：所述电极包括设置在所述支撑部的第一电极和第二电极，所述电极还包括设置在所述发光部的第一子电极和第二子电极，所述第一子电极连接所述发光部的P型层，所述第二子电极连接所述发光部的N型层，所述第一电极与所述第一子电极连接，所述第二电极与所述第二子电极连接。4.根据权利要求3所述的发光结构，其特征在于：所述支撑部和所述发光部通过所述衬底连接，所述第一电极和第一子电极通过第一连接电极连接，所述第二电极和第二子电极通过第二连接电极连接。5.根据权利要求4所述的发光结构，其特征在于：所述第一连接电...

【专利技术属性】
技术研发人员：常远，高本良，刘丹丹，
申请(专利权)人：东莞市中晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：