紫外发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种紫外发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、第一欧姆接触层和第一电极；所述外延层层叠在所述衬底上，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述第一欧姆接触层和所述第一电极均位于所述凹槽内，所述第一欧姆接触层部分区域镂空，所述第一欧姆接触层和所述第一电极依次层叠在所述第一半导体层的表面，所述第一电极为反光电极。本公开能提升发光二极管的发光效果。发光二极管的发光效果。发光二极管的发光效果。

【技术实现步骤摘要】
紫外发光二极管及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种紫外发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
[0003]相关技术中，发光二极管通常包括依次层叠的衬底、n型层、多量子阱层和p型层，p型层具有露出n型层的凹槽，在凹槽内和p型层的表面均设置有电极。通常衬底所在侧为发光二极管的出光面，为提升发光二极管的发光效果，会在凹槽的表面设置具有反光效果的欧姆接触层，通过欧姆接触层和电极向出光面反光。
[0004]由于反光的欧姆接触层需要采用工作温度为800℃至1100℃的高温合金才能与n型层形成欧姆特性，然而，高温合金对紫光的反射率较差，会吸收大部分的紫光，因此，会降低紫外发光二极管的发光效果。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种紫外发光二极管及其制备方法，能提升紫外发光二极管的发光效果。所述技术方案如下：
[0006]本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：衬底、外延层、第一欧姆接触层和第一电极；所述外延层层叠在所述衬底上，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述第一欧姆接触层和所述第一电极均位于所述凹槽内，所述第一欧姆接触层部分区域镂空，所述第一欧姆接触层和所述第一电极依次层叠在所述第一半导体层的表面，所述第一电极为反光电极。
[0007]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一欧姆接触层包括多个间隔排布的块状结构。
[0008]在本公开实施例的另一种实现方式中，相邻两个所述块状结构的间距为2μm至20μm。
[0009]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述块状结构在所述衬底的承载面上的正投影为矩形、椭圆形、圆形或三角形。
[0010]在本公开实施例的一种实现方式中，所述块状结构在所述承载面上的正投影的外轮廓上相距最远的两点的距离为2μm至20μm。
[0011]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一欧姆接触层包括依次层叠在所述第一半导体层的表面的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第一金属层包括Cr层或Ti层，所述第二金属层包括Al层，所述第三金属层包括Ti层或Ni层，所述第四金属层包括Au层。
[0012]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述发光二极管还包括第二欧姆接触层和第二电极，所述第二欧姆接触层和所述第二电极依次层叠于所述第二半导体层的表面，所述第二欧姆接触层为透光层。
[0013]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第二半导体层在所述衬底的承载面上的正投影包括至少两个间隔排布的H形结构，所述承载面为所述衬底承载所述外延层的侧面。
[0014]在本公开实施例的另一种实现方式中，多个所述块状结构围绕所述H形结构间隔排布。
[0015]本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽；在所述凹槽内的第一半导体层的表面上形成第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层部分区域镂空；在所述第一欧姆接触层的表面制作第一电极，所述第一电极为反光电极。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供发光二极管通过将第一欧姆接触层进行图形化设计，将第一欧姆接触层的部分区域设置成镂空结构，这样第一欧姆接触层上的镂空不会阻挡并吸收吸光，由于第一电极覆盖第一欧姆接触层和第一欧姆接触层中的镂空，这样紫光还能通过第一电极进行反射，将紫光反射至发光二极管的出光面。相较于整面的欧姆接触层，镂空式设计的欧姆接触层接收紫光的面积大幅降低，从而减少欧姆接触层对紫光的吸收，让更多的紫光能通过第一电极反光，以提升紫外发光二极管的发光效果。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的俯视图；
[0020]图2是图1提供的一种AA截面图；
[0021]图3是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
[0022]图4是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备状态图；
[0023]图5是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备状态图；
[0024]图6是图5提供一种发光二极管的俯视图；
[0025]图7是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备状态图；
[0026]图8是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备状态图。
[0027]图中各标记说明如下：
[0028]10、衬底；
[0029]20、外延层；21、第一半导体层；22、多量子阱层；23、第二半导体层；24、凹槽；25、隔离槽；
[0030]31、第一电极；32、第二电极；
[0031]41、第一欧姆接触层；411、块状结构；42、第二欧姆接触层；
[0032]50、绝缘层；51、通孔；
[0033]61、第一焊点块；62、第二焊点块；
[0034]70、AlN缓冲层。
具体实施方式
[0035]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0036]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的俯视图。图2是图1提供的一种AA截面图。如图1、2所示，该发光二极管包括：衬底10、外延层20、第一欧姆接触层41和第一电极31。
[0037]如图2所示，外延层20层叠在衬底10上，外延层20包括依次层叠的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23，第二半导体层23的表面具有露出第一半导体层21的凹槽24。
[0038]如图2所示，第一欧姆接触层41和第一电极31均位于凹槽24内，第一欧姆接触层41和第一电极31依次层叠在第一半导体层21的表面。
[0039]如图1所示，第一欧姆接触层41部分区域镂空，第一电极31覆盖块状结构411的表面和第一半导体层21的表面，第一电极31为反光电极。
[0040]由于第一欧姆接触层部分区域镂空，所以第一电极的一部分是与第一欧姆接触层连接，另一部分是与第一半导体层接触。
[0041]本公开实施例提供发光二极管通过将第一欧姆接触层41进行图形化设计，将第一欧姆接触层41的部分区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底(10)、外延层(20)、第一欧姆接触层(41)和第一电极(31)；所述外延层(20)层叠在所述衬底(10)上，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体层(23)，所述第二半导体层(23)的表面具有露出所述第一半导体层(21)的凹槽(24)；所述第一欧姆接触层(41)和所述第一电极(31)均位于所述凹槽(24)内，所述第一欧姆接触层(41)部分区域镂空，所述第一欧姆接触层(41)和所述第一电极(31)依次层叠在所述第一半导体层(21)的表面，所述第一电极(31)为反光电极。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一欧姆接触层(41)包括多个间隔排布的块状结构(411)。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，相邻两个所述块状结构(411)的间距为2μm至20μm。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述块状结构(411)在所述衬底(10)的承载面上的正投影为矩形、椭圆形、圆形或三角形。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述块状结构(411)在所述承载面上的正投影的外轮廓上相距最远的两点的距离为2μm至20μm。6.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一欧姆接触层(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐盛海，高艳龙，尹灵峰，刘源，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：