紫外发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种紫外发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、第一欧姆接触层和第一电极；所述外延层层叠在所述衬底上，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽；所述第一欧姆接触层和所述第一电极均位于所述凹槽内，所述第一欧姆接触层部分区域镂空，所述第一欧姆接触层和所述第一电极依次层叠在所述第一半导体层的表面，所述第一电极为反光电极。本公开能提升发光二极管的发光效果。发光二极管的发光效果。发光二极管的发光效果。

【技术实现步骤摘要】
紫外发光二极管及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种紫外发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
[0003]相关技术中，发光二极管通常包括依次层叠的衬底、n型层、多量子阱层和p型层，p型层具有露出n型层的凹槽，在凹槽内和p型层的表面均设置有电极。通常衬底所在侧为发光二极管的出光面，为提升发光二极管的发光效果，会在凹槽的表面设置具有反光效果的欧姆接触层，通过欧姆接触层和电极向出光面反光。
[0004]由于反光的欧姆接触层需要采用工作温度为800℃至1100℃的高温合金才能与n型层形成欧姆特性，然而，高温合金对紫光的反射率较差，会吸收大部分的紫光，因此，会降低紫外发光二极管的发光效果。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种紫外发光二极管及其制备方法，能提升本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底(10)、外延层(20)、第一欧姆接触层(41)和第一电极(31)；所述外延层(20)层叠在所述衬底(10)上，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体层(23)，所述第二半导体层(23)的表面具有露出所述第一半导体层(21)的凹槽(24)；所述第一欧姆接触层(41)和所述第一电极(31)均位于所述凹槽(24)内，所述第一欧姆接触层(41)部分区域镂空，所述第一欧姆接触层(41)和所述第一电极(31)依次层叠在所述第一半导体层(21)的表面，所述第一电极(31)为反光电极。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一欧姆接触层(41)包括多个间隔排布的块状结构(411)。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，相邻两个所述块状结构(411)的间距为2μm至20μm。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述块状结构(411)在所述衬底(10)的承载面上的正投影为矩形、椭圆形、圆形或三角形。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述块状结构(411)在所述承载面上的正投影的外轮廓上相距最远的两点的距离为2μm至20μm。6.根据权利要求1至5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一欧姆接触层(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐盛海，高艳龙，尹灵峰，刘源，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：