本实用新型专利技术实施例公开了一种微发光器件、显示面板和显示装置，微发光器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层的一表面上包括在第一方向上相对的第一区域和第二区域；第一电极，设置在第一区域且与所述第一半导体层电连接；发光层，设置在所述第二区域上，且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；第二半导体层，设置在所述发光层背向所述第一半导体层的一侧；第二电极，设置在所述第二半导体层背向所述发光层的一侧且与所述第二半导体层电连接；其中，所述微发光器件具有沿所述第一方向的第一宽度尺寸和沿所述第二方向的第二宽度尺寸，所述第二宽度尺寸大于等于所述第一宽度尺寸。本实用新型专利技术实施例公开的微光器件具有较大的发光面积，具有提升发光效率的特点。具有提升发光效率的特点。具有提升发光效率的特点。
【技术实现步骤摘要】
微发光器件、显示面板和显示装置
[0001]本技术涉及显示
，尤其涉及一种微发光芯片、一种显示面板和一种显示装置。
技术介绍
[0002]MicroLED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)显示技术目前被广泛应用在各类显示设备中，Micro LED芯片是Micro LED显示器的重要组成部分，随着显示器的分辨率越来越高，显示面板中每个像素的大小越来越小，芯片的尺寸也越来越小，尺寸变小的同时单个芯片的发光面积和发光效率会受到影响，传统的Micro LED的芯片发光面积和发光效率仍有提升的空间。
[0003]因此，亟需提供一种在芯片越做越小的情况下能提升单个芯片发光面积和发光效率的方案。
技术实现思路
[0004]因此，为克服现有技术中的至少部分缺陷，本技术实施例提供了一种微发光器件、一种显示面板和一种显示装置，能提高发光面积，增加发光效率。
[0005]具体地，一方面，本技术一个实施例提供的一种微发光器件，包括：第一半导体层，所述第一半导体层的一表面上包括在第一方向上相对的第一区域和第二区域；第一电极，设置在第一区域且与所述第一半导体层电连接；发光层，设置在所述第二区域上，且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；第二半导体层，设置在所述发光层背向所述第一半导体层的一侧；第二电极，设置在所述第二半导体层背向所述发光层的一侧且与所述第二半导体层电连接；其中，所述微发光器件具有沿所述第一方向的第一宽度尺寸和沿所述第二方向的第二宽度尺寸，所述第二宽度尺寸大于等于所述第一宽度尺寸。
[0006]在一个实施例中，所述第一宽度尺寸的范围为20～30微米。
[0007]在一个实施例中，所述第二宽度尺寸与所述第一宽度尺寸之差大于等于5微米。
[0008]在一个实施例中，所述微发光器件还包括衬底，设置在所述第一半导体层背向所述发光层的一侧。
[0009]在一个实施例中，所述微发光器件还包括绝缘层，覆盖所述第一区域并延伸至所述第二半导体层背向所述发光层的一侧；所述绝缘层上设置有第一过孔和第二过孔，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一半导体层电连接；所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二半导体层电连接。
[0010]在一个实施例中，所述微发光器件还包括反射层，设置在所述第二半导体层和所述第二电极之间。
[0011]在一个实施例中，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层。
[0012]本技术一个实施例还提供一种显示面板，包括：驱动基板；如前述任意一项所
述的微发光器件，设置在驱动基板上且电连接所述驱动基板。
[0013]在一个实施例中，所述驱动基板上包括多个像素单元，每个所述像素单元中设置有多个所述微发光器件，每个所述微发光器件具有沿所述第二方向的短边，每个所述像素单元中相邻两个所述微发光器件的所述短边相邻。
[0014]本技术一个实施例还提供一种显示装置，包括前述任意一项所述的微发光器件或者前述任意一项所述的显示面板。
[0015]由上可知，本技术上述实施例可以达成以下一个或多个有益效果：传统的Micro LED芯片结构基于分辨率越来越高、像素尺寸越来越小而不断的缩小芯片的长度和宽度尺寸，本技术实施例提供的微发光器件将第二宽度尺寸设置得比第一宽度尺寸大，第一宽度尺寸为决定芯片像素大小的一条边，在第一宽度尺寸相比于现有尺寸不变的情况下增大了微发光器件的发光面积，提升了发光效率。
附图说明
[0016]下面将结合附图，对本技术的具体实施方式进行详细的说明。
[0017]图1为传统Micro LED芯片的结构示意图。
[0018]图2为本技术实施例提供的一种微发光器件的俯视结构示意图。
[0019]图3为图2所示的微发光器件D
‑
D剖面结构示意图。
[0020]图4为本技术一个实施例提供的显示面板的结构示意图。
[0021]图5为传统Micro LED显示面板的色差问题的原理示意图。
[0022]图6为传统Micro LED显示面板中相邻子像素的排布示意图。
[0023]图7为本技术一个实施例提供的显示装置的结构示意图。
[0024]【附图标记说明】
[0025]10：微发光器件；11：第一半导体层；111：第一区域；112：第二区域；12：第一电极；13：发光层；14：第二半导体层；15：第二电极；16：衬底；17：绝缘层；18：反射层；20：驱动基板；21：像素单元；100：显示面板；200：显示装置。
具体实施方式
[0026]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。
[0027]为了使本领域普通技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
[0028]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不
必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
[0029]还需要说明的是，本技术中多个实施例的划分仅是为了描述的方便，不应构成特别的限定，各种实施例中的特征在不矛盾的情况下可以相结合，相互引用。
[0030]Micro LED芯片包括P型半导体层、N型半导体层和二者之间的发光层，传统的Micro LED芯片的结构如图1所示，P型半导体层和N型半导体层都一定存在的一条边的边长为a
’
，随着显示屏分辨率越来越高，决定像素大小的是a
’
，因此MciroLED芯片的尺寸越做越小，但决定发光面积大小的是b
’
和发光层的宽度，因此按照传统的设计来缩小芯片的尺寸的同时会也导致芯片的发光面积变小。因此本技术实施例提供一种微发光器件，以解决上述问题。
[0031]【第一实施例】
[0032]本申请第一实施例提供一种微发光器件10，图2为一个实施例中微发光器件10的俯视结构示意图，图3为图2的D
‑
D剖面示意图。参照图2和图3，该微发光器件10包括依次层叠的第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微发光器件(10)，其特征在于，包括：第一半导体层(11)，所述第一半导体层(11)的一表面上包括在第一方向上相对的第一区域(111)和第二区域(112)；第一电极(12)，设置在第一区域(111)且与所述第一半导体层(11)电连接；发光层(13)，设置在所述第二区域(112)且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸；第二半导体层(14)，设置在所述发光层(13)背向所述第一半导体层(11)的一侧；第二电极(15)，设置在所述第二半导体层(14)背向所述发光层(13)的一侧且与所述第二半导体层(14)电连接；其中，所述微发光器件(10)具有沿所述第一方向的第一宽度尺寸和沿所述第二方向的第二宽度尺寸，所述第二宽度尺寸大于等于所述第一宽度尺寸。2.如权利要求1所述的微发光器件(10)，其特征在于，所述第一宽度尺寸的范围为20～30微米。3.如权利要求1所述的微发光器件(10)，其特征在于，所述第二宽度尺寸与所述第一宽度尺寸之差大于等于5微米。4.如权利要求1所述的微发光器件(10)，其特征在于，还包括衬底(16)，设置在所述第一半导体层(11)背向所述发光层(13)的一侧。5.如权利要求1所述的微发光器件(10)，其特征在于，还包括绝缘层(17)，覆盖所述第一区域(111)并延伸至所述第二半导体层(14)背...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢相伟，徐宸科，叶岩溪，
申请(专利权)人：厦门市芯颖显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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