LED芯片和LED芯片的固晶方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片，所述LED芯片形成电极的第一面分别形成有P电极、N电极以及连通电极，所述连通电极将所述P电极和N电极连接在一起，且所述连通电极的熔点高于所述N电极和P电极的熔点。本发明专利技术还公开了一种LED芯片的固晶方法，将LED芯片转移到电路基板上，并使LED芯片的电极和电路基板的焊盘贴合后，对电路基板的焊盘通电，使得LED芯片的电极短路熔融到焊盘上形成新的电极，直至连通电极熔断，冷却后完成固晶工作。与现有技术相比，本发明专利技术控制可靠，效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示技术，尤其涉及led芯片的固晶。

技术介绍

1、随着显示技术的进步，市场对lcd(liquid crystal display，液晶显示器)的低对比度、低色域、低响应速度等缺点，以及oled(organic light emittingdisplay，有机发光显示器)的烧屏、颗粒感重、偏色、光舒适度差等缺点越发地不满。micro led显示技术作为下一代显示技术，具有高对比度、高色域、高响应速度、超高分辨率和寿命长等优点，其兼有lcd及oled的优点的同时又没有其缺点。micro led还具有可柔性显示及低能耗的优点，被誉为一种终极显示技术。

2、制作micro led显示器需要将百万颗的微米级led转移至背板上，然后进行固晶。现有最常见的固晶方法是将led芯片封装到一个led封装体上，然后将led封装体焊接在电路基板上，这种方式不但步骤复杂，且制成的显示器厚度比较厚且散热不佳。

3、为此，在中国专利cn113594339a中，公开了一种显示面板的制备方法，将led芯片转移到基板的焊盘上，然后施加交变磁场，使得本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED芯片，其特征在于：所述LED芯片形成电极的第一面分别形成有P电极、N电极以及连通电极，所述连通电极将所述P电极和N电极连接在一起，且所述连通电极的熔点高于所述N电极和P电极的熔点。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述连通电极的面积、宽度小于所述P电极、N电极的面积、宽度。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述连通电极呈长条形，所述P电极和N电极沿第一方向间隔设置，所述连通电极沿第一方向排布的长度方向大于所述连通电极沿第二方向延伸的宽度方向，所述连通电极的宽度小于所述P电极和N电极在第二方向上的宽度，所述第一方向与第二方向...

【技术特征摘要】

1.一种led芯片，其特征在于：所述led芯片形成电极的第一面分别形成有p电极、n电极以及连通电极，所述连通电极将所述p电极和n电极连接在一起，且所述连通电极的熔点高于所述n电极和p电极的熔点。

2.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述连通电极的面积、宽度小于所述p电极、n电极的面积、宽度。

3.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述连通电极呈长条形，所述p电极和n电极沿第一方向间隔设置，所述连通电极沿第一方向排布的长度方向大于所述连通电极沿第二方向延伸的宽度方向，所述连通电极的宽度小于所述p电极和n电极在第二方向上的宽度，所述第一方向与第二方向垂直。

4.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述连通电极的两端分别延伸至所述p电极和n电极处，并被所述p电极和n电极覆盖。

5.一种led芯片的固晶方法，其特征在于：包括：

6.如权利要求5所述的led芯片的固晶方法，其特征在于：所述连通电极的熔点高于、低于或等于所述第一焊盘和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢敬权，李泽祺，殷淑仪，
申请(专利权)人：东莞市中晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：