芯片分选方法及技术

本发明专利技术公开一种芯片分选方法，从同一晶圆上取晶时，在同一取晶轨迹下，按照连续的两次取晶的芯片位于该晶圆上相邻的行和

【技术实现步骤摘要】
芯片分选方法及LED显示模块


[0001]本专利技术涉及
LED
显示
，具体涉及一种芯片分选方法及
LED
显示模块
。

技术介绍

[0002]由于生产设备
、
生产环境等多方面因素的影响，在生产同一型号的芯片时，得到的芯片往往有所不同，表现为同一晶圆上，比较靠近的芯片显示效果
(
如亮度
、
光色等
)
比较接近，而距离相对远一些的芯片之间显示效果差别较大，导致使用晶圆上的芯片制作显示屏时，显示屏呈现出不同区域显示效果不同，用户体验不佳
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种芯片分选方法，以提高显示效果
。
[0004]本专利技术的另一目的在于提供一种显示效果更好的
LED
显示模块
。
[0005]为实现上述目的之一，本专利技术提供了一种芯片分选方法，包括：
[0006]提供一晶圆，所述晶圆生长有呈阵列排布的多个芯片；
[0007]按照设定的取晶规则从所述晶圆上取晶，所述取晶规则包括：在同一取晶轨迹下，连续的两次取晶的芯片位于所述晶圆上相邻的行和
/
或相邻的列；
[0008]将取到的芯片放至目标载体上
。
[0009]在一些实施例中，按照设定的取晶规则从所述晶圆上取晶时，其中一所述取晶轨迹为若干个连接在一起的
W
形
。
[0010]在一些实施例中，按照设定的取晶规则从所述晶圆上取晶时，所述取晶轨迹为
C
形和
/
或
E
形和
/
或
O
形和
/
或若干个连接在一起的
W
形
。
[0011]在一些实施例中，所述取晶规则还包括：完成前一取晶轨迹的取晶后，在所述前一取晶轨迹取到的最后一芯片所在的行或列中，以与所述最后一芯片相邻的芯片或与所述最后一芯片间隔一个芯片的芯片，作为后一取晶轨迹的起点
。
[0012]在一些实施例中，所述将取到的芯片放至目标载体上，包括：将取到的芯片按照取晶的先后顺序依次放至所述目标载体
。
[0013]在一些实施例中，所述将取到的芯片按照取晶的先后顺序依次放至所述目标载体包括：将取到的芯片按照取晶的先后顺序，将连续的两次取晶取到的芯片放至所述目标载体中的相邻行和
/
或相邻列
。
[0014]在一些实施例中，将取到的芯片按照取晶的先后顺序依次放至所述目标载体时，放晶轨迹为若干个连接在一起的
W
形
。
[0015]在一些实施例中，所述目标载体为蓝膜或
PCB
或玻璃
。
[0016]为实现上述目的之二，本专利技术提供了一种
LED
显示模块，所述
LED
显示模块采用如上所述的芯片分选方法制作
。
[0017]与现有技术相比，本专利技术在从同一晶圆上取晶时，在同一取晶轨迹下，按照连续的两次取晶的芯片位于该晶圆上相邻的行和
/
或相邻的列的取晶规则进行取晶，相邻行
/
相邻
的列的芯片之间有一定的差异但差异不大，可以避免无规则取晶时导致的目标载体上的相邻芯片差异过大而影响显示效果；同时，又可以避免直接逐行
/
逐列从晶圆上取晶的方式导致的目标载体上差异小的芯片大面积排列在一起，而相邻的两个大面积区域之间差异大的问题
。
本专利技术实现了充分混晶，可以获得更佳的显示效果
。
附图说明
[0018]图1是本专利技术一实施例芯片分选方法的流程图；
[0019]图2是本专利技术一实施例芯片在晶圆上的排布示意图；
[0020]图3是本专利技术一实施例中从晶圆上取晶的示意图；
[0021]图4是本专利技术另一实施例中从晶圆上取晶的示意图；
[0022]图5是本专利技术又一实施例中从晶圆上取晶的示意图；
[0023]图6是本专利技术一实施例中目标载体上部分芯片的排布示意图；
[0024]图7是本专利技术另一实施例中目标载体上部分芯片的排布示意图
。
具体实施方式
[0025]为详细说明本专利技术的内容
、
构造特征
、
所实现目的及效果，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述
。
[0026]在专利技术的描述中，需要理解的是，术语“行”、“列”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本专利技术和简化描述，因而不能理解为对本专利技术保护内容的限制
。
[0027]通常，同一晶圆上，比较靠近的芯片具有更为接近的参数
(
例如，波长
、
电压
、
电流等
)
，表现为显示效果
(
如亮度
、
光色等
)
比较接近，而距离相对远一些的芯片之间参数差异更大，表现为显示效果差别较大
。
本专利技术公开的芯片分选方法，实现在目标载体上充分混晶，从而可以获得显示一致性
/
均匀性更好的显示模块
。
[0028]以下，以具体实施例为例结合附图对本专利技术的技术方案进行详细说明：
[0029]请参阅图1所示，本专利技术一实施例提供的芯片分选方法包括以下步骤：
[0030]S1
，提供一晶圆，晶圆生长有呈阵列排布的多个芯片，如图2中的标记1‑
标记
50
所示
。
[0031]可以理解的，“呈阵列排布”是指多个芯片在晶圆上排布成
M
行
N
列，
M、N
为大于或等于1的整数，
M
可以等于
N
，在其它实施例中，
M
也可以不等于
N。
[0032]S2
，按照设定的取晶规则从晶圆上取晶，取晶规则包括：在同一取晶轨迹下，连续的两次取晶的芯片位于晶圆上相邻的行和
/
或相邻的列
。
[0033]在一些实施例中，在同一取晶轨迹下，连续的两次取晶的芯片可以是位于晶圆上相邻的行，而不位于相邻的列
。
在一些实施例中，在同一取晶轨迹下，连续的两次取晶的芯片可以是位于晶圆上相邻的列，而不位于相邻的行
。
在一些实施例中，在同一取晶轨迹下，连续的两次取晶的芯片可以是位于晶圆上相邻的行，且位于相邻的列
。
[0034]在一些实施例中，对同一晶圆上的芯片，对于其中一些芯片进行取晶时，在同一取晶轨迹下，连续的两次取晶的芯片可以是位于晶圆上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片分选方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆生长有呈阵列排布的多个芯片；按照设定的取晶规则从所述晶圆上取晶，所述取晶规则包括：在同一取晶轨迹下，连续的两次取晶的芯片位于所述晶圆上相邻的行和
/
或相邻的列；将取到的芯片放至目标载体上
。2.
如权利要求1所述的芯片分选方法，其特征在于，按照设定的取晶规则从所述晶圆上取晶时，其中一所述取晶轨迹为若干个连接在一起的
W
形
。3.
如权利要求1所述的芯片分选方法，其特征在于，按照设定的取晶规则从所述晶圆上取晶时，所述取晶轨迹为
C
形和
/
或
E
形和
/
或
O
形和
/
或若干个连接在一起的
W
形
。4.
如权利要求3所述的芯片分选方法，其特征在于，所述取晶规则还包括：完成前一取晶轨迹的取晶后，在所述前一取晶轨迹取到的最后一芯片所在的行或列中，以与所述最后一芯片相...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丹丹，陈大旭，刘柏轩，赵龙，
申请(专利权)人：东莞市中晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：