真空设备的压力测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种应用于半导体的真空设备的压力测量装置

【技术实现步骤摘要】
真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种应用于半导体的真空设备的压力测量装置
、
真空设备及其压力测量方法
。

技术介绍

[0002]在半导体刻蚀等真空设备中，压力的测量分为直接测量和间接测量两种，在高真空环境下，一般采用间接测量法，间接测量法通常使用真空规
。
由于设备进行工艺时对于压力检测要求很高，真空规的使用和保护就极为重要
。
[0003]现有真空设备中，由于工艺腔体在进行工艺时，会有很多腐蚀性工艺气体，真空规一直打开会被腐蚀，降低真空规的精度，缩短真空规的寿命
。
而且工艺腔体在进行工艺时对压力的要求很高，现有的压力测量装置的测压方案简单，无法判断真空规是否被损坏，从而无法保证真空设备的有效运行
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种真空设备的压力测量装置
、
真空设备及其压力测量方法，以实现保护真空规不被工艺气体损坏，同时能保证真空设备的有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
真空设备的压力测量装置，所述真空设备包括工艺腔体
(101)
和前级腔体
(102)
，所述前级腔体
(102)
与所述工艺腔体
(101)
连通，通过所述前级腔体
(102)
对所述工艺腔体
(101)
抽真空，其特征在于，所述压力测量装置用于监测所述工艺腔体
(101)
的压力，所述压力测量装置包括：前级真空规
(1)
，与所述前级腔体
(102)
连接，用于监测所述前级腔体
(102)
的压力；工艺真空规
(2)
和真空检测管路
(3)
，所述真空检测管路
(3)
的一端与所述工艺腔体
(101)
连接，另一端与所述工艺真空规
(2)
连接，所述工艺真空规
(2)
用于监测所述工艺腔体
(101)
的压力；保护阀
(4)
，设于所述真空检测管路
(3)
上，用于控制所述工艺真空规
(2)
与所述工艺腔体
(101)
的连通与断开；第一真空开关
(5)
，设于所述真空检测管路
(3)
，且位于所述工艺腔体
(101)
和所述保护阀
(4)
之间；所述第一真空开关
(5)
在所述工艺腔体
(101)
的压力小于或等于所述第一真空开关
(5)
的最大测量值时，能发送打开所述保护阀
(4)
的第一信号，所述前级真空规
(1)
监测到所述前级腔体
(102)
的压力小于或等于所述工艺真空规
(2)
的最大测量值时，能发送打开所述保护阀
(4)
的第二信号
。2.
根据权利要求1所述的真空设备的压力测量装置，其特征在于，所述保护阀
(4)
为两段阀，所述两段阀包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门的最大开度小于所述第二阀门的最大开度，切换所述第一阀门和所述第二阀门，能改变进入所述两段阀的气体流量
。3.
根据权利要求1所述的真空设备的压力测量装置，其特征在于，所述工艺真空规
(2)
的测量范围小于所述前级真空规
(1)
的测量范围
。4.
根据权利要求1所述的真空设备的压力测量装置，其特征在于，所述压力测量装置还包括第二真空开关
(6)
，所述第二真空开关
(6)
设于所述真空检测管路
(3)
，且位于所述工艺腔体
(101)
和所述保护阀
(4)
之间，所述第二真空开关
(6)
在所述工艺腔体
(101)
的压力大于或等于所述第二真空开关
(6)
的最大测量值时，能发送打开所述工艺腔体
(101)
的信号
。5.
根据权利要求4所述的真空设备的压力测量装置，其特征在于，所述压力测量装置还包括控制单元，所述前级真空规
(1)、
所述工艺真空规
(2)、
所述第一真空开关
(5)
和所述第二真空开关
(6)
均与所述控制单元通信连接，所述保护阀
(4)
与所述控制单元电连接，所述控制单元根据接收到的所述前级真空规
(1)、
所述工艺真空规
(2)
和所述第一真空开关
(5)
的信号，控制所述保护阀

【专利技术属性】
技术研发人员：戴建波，林洋洋，王显亮，
申请(专利权)人：无锡邑文微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：