一种共晶焊接装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种共晶焊接装置，涉及半导体封装技术领域，其包括底座

【技术实现步骤摘要】
一种共晶焊接装置


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其是指一种共晶焊接装置
。

技术介绍

[0002]随着混合集成电路向高性能
、
高密度
、
高可靠性以及小型化
、
低成本的方向发展，对半导体芯片的封装工艺提出了更高的要求，将半导体芯片与载体互联时，主要有导电胶粘接和共晶焊接两种方法，其中，共晶焊接由于具有连接电阻小
、
传热效率高
、
散热均匀
、
焊接强度高等优点，而逐渐成为了半导体封装技术的首要选择
。
[0003]共晶焊接又称为低熔点合金焊接，焊接时，操作人员在半导体芯片和载体之间放入共晶合金薄片焊料，加热到合金共熔点使其融熔，随后冷却结晶，结晶后半导体芯片与载体连接为一体
。
[0004]现有技术中通常采用热风回流炉作为共晶焊接加热装置，但热风回流炉加热速度慢
、
加热能够达到的最高温度比较低，且不能在加热后实现快速冷却，焊接质量较差，生产效率不高
。

技术实现思路

[0005]为此，本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中共晶焊接加热装置加热速度慢，加热能够达到的最高温度比较低，且不能在加热后实现快速冷却，存在焊接质量较差，生产效率不高的问题
。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种共晶焊接装置，包括：
[0007]底座，所述底座内形成有腔体；
[0008]隔热台，所述隔热台设置于所述腔体内；
[0009]加热组件，其被配制为加热需要焊接的器件，其中，所述加热组件位于所述腔体内
、
且与所述隔热台连接，所述加热组件包括导热基板和嵌入所述导热基板内部的电发热元件，所述电发热元件的接电端子延伸至所述导热基板外部；
[0010]散热组件，其被配制为对所述需要焊接的器件进行降温
。
[0011]在本专利技术的一个实施例中，所述散热组件包括冷气通路，所述冷气通路的一端朝向所述导热基板，所述冷气通路的另一端用于连接外部的冷气源
。
[0012]在本专利技术的一个实施例中，所述冷气通路包括相互连通的第一通路和第二通路，所述第一通路开设在所述底座上
、
且一端用于连接外部的冷气源；所述第二通路贯通开设在所述隔热台上
、
且一端朝向所述导热基板
。
[0013]在本专利技术的一个实施例中，所述导热基板的顶端用于放置所述需要焊接的器件，所述导热基板的底端朝向所述散热组件，且所述导热基板的底端设置有导热槽
。
[0014]在本专利技术的一个实施例中，所述电发热元件均匀设置在所述导热基板内部
。
[0015]在本专利技术的一个实施例中，所述电发热元件为钨丝加热器，所述导热基板为氮化铝陶瓷，所述加热组件为所述电发热元件埋入所述导热基板的氮化铝陶瓷粉后一体压铸烧
结而成
。
[0016]在本专利技术的一个实施例中，还包括：
[0017]吸附组件，其被配制为吸附固定所述需要焊接的器件，所述吸附组件包括吸附通路，所述吸附通路的一端贯通至所述导热基板的顶端，所述吸附通路的另一端用于连接外部的负压发生器
。
[0018]在本专利技术的一个实施例中，所述吸附通路包括依次连通的第一吸附孔
、
第二吸附孔以及第三吸附孔，所述第一吸附孔开设在所述底座上
、
且一端用于连接外部的负压发生器；所述第二吸附孔贯通开设在所述隔热台上，且所述隔热台位于所述第二吸附孔外周侧的部分与所述导热基板密封连接；所述第三吸附孔贯穿开设在所述导热基板上
。
[0019]在本专利技术的一个实施例中，还包括：
[0020]保护组件，其被配制为向所述腔体内通入保护气体，其中，所述保护组件包括保护气体通路，所述保护气体通路的一端连通至所述腔体内，所述保护气体通路的另一端用于连接外部的保护气源
。
[0021]在本专利技术的一个实施例中，所述保护气体通路包括依次连通的第一保护气通路
、
保护气转接管
、
保护气座以及第二保护气通路，所述第一保护气通路开设在所述底座上
、
且一端用于连接外部的保护气源；所述保护气座上开设有气腔；所述第二保护气通路贯通至所述腔体内部，所述第二保护气通路设置有多个；所述保护气座连接在所述腔体外侧，所述气腔罩设在多个所述第二保护气通路外侧
。
[0022]本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
[0023]本专利技术所述的共晶焊接装置包括底座
、
隔热台
、
加热组件以及散热组件，所述底座内形成有腔体，所述隔热台设置于所述腔体内；所述加热组件位于所述腔体内
、
且与所述隔热台连接，所述加热组件包括导热基板和嵌入所述导热基板内部的电发热元件，所述电发热元件的接电端子延伸至所述导热基板外部；所述散热组件被配制为对所述需要焊接的器件进行降温
。
所述的共晶焊接装置在使用时，电发热元件加热导热基板，需要焊接的器件放置在导热基板上进行焊料熔融；随后散热组件对需要焊接的器件进行快速冷却，加快焊料结晶，直至共晶焊接完成，产品冷却至常温
。
电发热元件内置于导热基板中，提升了加热速度；且通过设置隔热台，使热能集中于导热基板上，降低了热量损耗，进一步提高了加热速度和热能利用率；散热组件对焊料熔融后的需要焊接的器件进行快速冷却，提高了生产效率，保障了焊接质量
。
附图说明
[0024]为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中
[0025]图1是本专利技术优选实施例中共晶焊接装置的结构示意图；
[0026]图2是图1中共晶焊接装置的结构示意图；
[0027]图3是图1中共晶焊接装置的剖视图；
[0028]图4是图1中共晶焊接装置的结构爆炸图；
[0029]图5是图1中共晶焊接装置另一视角的剖视图；
[0030]图6是图1中共晶焊接装置中保护组件的结构爆炸图
。
[0031]说明书附图标记说明：
1、
底座；
11、
腔体；
12、
盖板；
13、
安装板；
2、
隔热台；
21、
集中腔；
3、
加热组件；
31、
导热基板；
311、
导热槽；
32、
电发热元件；
321、
接电端子；
4、
散热组件；
41、
冷气通路；
411、
第一通路；
412、
第二通路；
5、
吸附组件；
51、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种共晶焊接装置，其特征在于，包括：底座，所述底座内形成有腔体；隔热台，所述隔热台设置于所述腔体内；加热组件，其被配制为加热需要焊接的器件，其中，所述加热组件位于所述腔体内
、
且与所述隔热台连接，所述加热组件包括导热基板和嵌入所述导热基板内部的电发热元件，所述电发热元件的接电端子延伸至所述导热基板外部；散热组件，其被配制为对所述需要焊接的器件进行降温
。2.
根据权利要求1所述的共晶焊接装置，其特征在于：所述散热组件包括冷气通路，所述冷气通路的一端朝向所述导热基板，所述冷气通路的另一端用于连接外部的冷气源
。3.
根据权利要求2所述的共晶焊接装置，其特征在于：所述冷气通路包括相互连通的第一通路和第二通路，所述第一通路开设在所述底座上
、
且一端用于连接外部的冷气源；所述第二通路贯通开设在所述隔热台上
、
且一端朝向所述导热基板
。4.
根据权利要求1所述的共晶焊接装置，其特征在于：所述导热基板的顶端用于放置所述需要焊接的器件，所述导热基板的底端朝向所述散热组件，且所述导热基板的底端设置有导热槽
。5.
根据权利要求1所述的共晶焊接装置，其特征在于：所述电发热元件均匀设置在所述导热基板内部
。6.
根据权利要求1所述的共晶焊接装置，其特征在于：所述电发热元件为钨丝加热器，所述导热基板为氮化铝陶瓷，所述加热组件为所述电发热元件埋入所述导热基板的氮化铝陶瓷粉后一体压铸烧结而成
...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗元明，郑德全，
申请(专利权)人：苏州牧晶智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：