沉积装置制造方法及图纸

本申请涉及芯片制造技术领域，具体涉及一种沉积装置

【技术实现步骤摘要】
沉积装置


[0001]本申请涉及芯片制造
，具体涉及一种沉积装置
。

技术介绍

[0002]目前，在沉积氧化铪基铁电电容器时，采用不同的机台来进行不同层的沉积，采用沉积的手段可以为物理气相沉积
(physical vapor deposition
，简称
PVD)、
原子层沉积
(atomic layer deposition
，简称
ALD)
以及化学气相沉积
(chemical vapor deposition
，
CVD)
等手段；其中，在第一个机台沉积完底层金属后，需要将产品转移到下一个机台进行氧化铪基铁电材料，然后再进入到另一个机台进行沉积顶电极，在每次转运的过程中，产品都会与外部环境接触，从而会导致沉积后界面的质量受空气中的氧气
、
水分子
、
二氧化碳以及颗粒物等的影响，从而严重破坏氧化铪基铁电电容器的电学特性
。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种沉积装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种沉积装置，其特征在于，包括：真空操作台
、
多组真空沉积腔和操作机构；所述真空操作台具有的真空操作腔，所述多组真空沉积腔与所述真空操作腔连通，所述操作机构位于所述真空操作腔内；每组所述真空沉积腔内具有用于在晶圆表面沉积材料的沉积设备；所述操作机构用于将一组所述真空沉积腔中沉积第一材料后的晶圆转移到另一组所述真空沉积腔中继续进行沉积第二材料，所述第一材料和第二材料相同或不同
。2.
如权利要求1所述的沉积装置，其特征在于，所述沉积装置还包括缓冲区，所述缓冲区设置于所述真空操作台的真空操作腔内，所述缓冲区用于将一组所述真空沉积腔中沉积材料后且未被转移到另一组所述真空沉积腔的晶圆储存
。3.
如权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，所述多组真空沉积腔围成第一多边形，所述缓冲区包括多个缓冲室，所述多个缓冲室围成第二多边形，所述第二多边形位于所述第一多边形的内侧
。4.
如权利要求2所述的沉积装置，其特征在于，所述多组真空沉积设置于所述缓冲区的一侧或两侧
。5.
如权利要求3或4所述的沉积装置，其特征在于，所述多组真空沉积腔包括第一组真空沉积腔
、
第二组真空沉积腔和第三组真空沉积腔；所述第一组真空沉积腔中的沉积设备，用于在晶圆表面沉积第一电极；所述第二组真空沉积腔中的沉积设备，用于在所述第一电极背离所述晶圆的一侧沉积氧化铪基铁电材料层；所述第三组真空沉积腔中的沉积设备，用于在所述氧化铪基铁电材料层背离所述第一电极的一侧沉积第二电极，以形成电容器
。6.
如权利要求3或4所述的沉积装置，其特征在于，所述多组真空沉积腔包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭万良，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：