一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法。在GaN基LED的P‑GaN外延膜上设置一层ITO透明导电膜作为复合电极中的透明电极；在透明电极上再设置一层Ti金属缓冲层，在Ti缓冲层上设置Al金属电极层。通过对透明导电膜的工艺参数和厚度的优化，获得导电性和透光性良好的薄膜；复合P电极的金属电极不选用常规的Ni‑Au这样的贵金属和稀有金属，而选择N电极常用的Ti‑Al，通过工艺参数的优化调整，达到和Ni‑Au一样的性能。在保证器件光电学特性稳定的基础上，整体工艺难度降低，材料更加环保，性价比更高，具有广阔的应用前景。

A p-type composite electrode material of GaN based LED for aluminum wire press welding and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法
本专利技术涉及一种P型复合电极材料及其制备方法，更具体地说，涉及一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料及其制备方法。
技术介绍
作为第三代半导体材料的典型代表，GaN通过掺杂可以用于制作可见光区全波段的LEDs、白光LEDs、LDs等，具有非常广泛的应用前景。目前制约其应用的主要因素是发光效率、寿命、演色性以及生产成本。其中发光效率主要通过内、外部量子效率来体现。目前，可见光区部分波段的GaN基LEDs的内部量子效率通过外延芯片的结构和工艺优化可达到较高水平，可提升的空间有限，为了进一步提升GaN基LEDs的发光特性，外部量子效率的提高是关键。目前提升外部量子效率的方法很多，如倒装焊技术、高反射背电极技术，光子晶体结构技术等，这些技术的核心思想就是提高出光效率，让更多的光从器件辐射出来。基于上述思想，专利技术一种P型复合电极，一方面利于器件的光子出射，另一方面这种P电极的应用可以和N电极共用一种压焊技术，简化工艺，提高效率和成本。众所周知，在GaN基LED外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料；其特征是在GaN基LED的P-GaN外延膜上设置一层ITO透明导电膜作为复合电极中的透明电极；在透明电极上再设置一层Ti金属缓冲层，在Ti缓冲层上设置Al金属电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料；其特征是在GaN基LED的P-GaN外延膜上设置一层ITO透明导电膜作为复合电极中的透明电极；在透明电极上再设置一层Ti金属缓冲层，在Ti缓冲层上设置Al金属电极层。


2.如权利要求1所述的P型复合电极材料；其特征是Al金属电极层图形与Ti金属缓冲层图形一致。


3.如权利要求1所述的P型复合电极材料；其特征是透明电极ITO是以纯度为99.999％的In2O3和纯度为99.999％SnO2作为原料制作的透明电极ITO，其中In2O3的含量为90wt％～95wt％，SnO2的含量在5wt％～10wt％。


4.如权利要求1所述的P型复合电极材料；其特征是所述的GaN基LED的ITO透明电极厚度是50nm～80nm。


5.如权利要求1所述的P型复合电极材料；其特征是所述的复合电极中金属电极材料纯度为99.999％的Al和纯度为99.999％Ti作为复合电极中金属电极材料，其中Al作为金属电极层材料，Ti作为缓冲层材料；Al层厚度适用范围是40nm～100nm，Ti层厚度适用范围是15nm～30nm。


6.一种适用于铝丝压焊的GaN基LED的P型复合电极材料的制备方法；其特征是，包括如下步骤：
(1)准备纯度为99.999％的ITO原料，其中SnO2掺杂量为5wt％～10wt％，In2O3含量为90wt％～95wt％；
(2)将步骤(1)中的ITO原料放入电子束蒸发(EB)腔室的原料舟内，将经过曝光显影后携带P型透明电极掩膜图形的GaN样品装在样品架上，此时光刻胶未覆盖区域为透明电极的沉积区，关闭进气阀，打开真空抽气系统，开始抽真空；
(3)当步骤(2)中的真空度达到10-4Pa后，开始准备...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雅欣，唐松洁，
申请(专利权)人：天津职业技术师范大学中国职业培训指导教师进修中心，
类型：发明
国别省市：天津;12