一种半导体发光元件制造技术

本实用新型专利技术属于半导体领域，尤其涉及半导体发光元件，包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层、P型接触层以及分别与P型接触层和N型层电性连接的P电极和N电极，其特征在于：所述P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层。本实用新型专利技术设置P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层，其中AlInGaN层由于In元素的加入，其功函数与金属或金属氧化物的功函数更接近，可以降低接触电阻,提高电洞注入效率；同时由于AlGaN层较AlInGaN层的能阶更高，可以有效加速电洞从P型接触层向发光层流动，提升电子电洞复合机率,提高发光效率。

A semiconductor light-emitting element

【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光元件
本技术属于半导体领域，尤其涉及具有包括AlGaN层和AlInGaN层的P型接触层的半导体发光元件。
技术介绍
发光二极管（LightEmittingDiode，LED）是一种半导体发光元件，它利用半导体PN结注入式电致发光原理制成。LED具有能耗低、体积小、寿命长、稳定性好、响应快和发光波长稳定等好的光电性能，目前已经在照明、家电、显示屏、指示灯等领域有很好的应用。传统LED结构由于电子电洞对分布不均，影响LED发光效率，导致EffeciencyDroop效应。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供了一种半导体发光元件，包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层、P型接触层以及分别与P型接触层和N型层电性连接的P电极和N电极，其特征在于：所述P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层。优选的，所述P型接触层的厚度小于或者等于50埃优选的，所述AlGaN层的厚度小于或者等于50埃。优选的，所述AlInGaN层的厚度小于或者等于50埃。优选的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层、P型接触层以及分别与P型接触层和N型层电性连接的P电极和N电极，其特征在于：所述P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层、P型接触层以及分别与P型接触层和N型层电性连接的P电极和N电极，其特征在于：所述P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层。


2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述P型接触层的厚度小于或者等于50埃。


3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述AlGaN层的厚度小于或者等于50埃。


4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述AlInGaN层的厚度小于或者等于50埃。


5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述P型接触层的P型杂质浓度大于或等于5E19cm-3...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝永凌，林兓兓，张家豪，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34