一种发光二极管制造技术

本发明专利技术的一种发光二极管利用合金方案形成Ga‑Based金属合金，该金属合金作为与外延半导体材料的欧姆接触部，特别是作为激光器N侧氮化镓衬底一端的欧姆接触部，阻止高温反应中母体化合物Ga向电极材料中扩散，在很宽泛的退火温度范围内都可以形成良好欧姆接触。

A light-emitting diode

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管
本专利技术涉及半导体元件，尤其是涉及一种发光二极管。
技术介绍
GaN基的发光二极管和镭射二极管已经开展了广泛研究和市场应用；GaN单晶衬底生长制作蓝绿光镭射二极管具有亮度高、单色半宽好等优势，GaN单晶衬底的n-face的电极制作需要高温熔合保持后续的光电稳定性，如图1和图2所示，高温作业中容易出现GaN结构中的Ga向电极扩散，接触变差影响器件的可靠性。
技术实现思路
本专利技术提供了一种发光二极管解决了上述
技术介绍
中记载的难题，本专利技术的一种发光二极管，包括：用于生长和承载外延结构的氮化镓基板，特别是N型氮化镓基板。发光外延层位于氮化镓基板之上，发光外延层包括第一半导体层、发光层、第二半导体层，发光层位于第一半导层和第二半导体层之间，其中第一半导体层与氮化镓基板接触，第一半导体层在氮化镓基板上通过沉积制作。第一接触电极位于氮化镓基板远离发光外延层一侧，第一接触电极的材料为镓合金。根据本专利技术，优选的，第一接触电极与氮化镓基板之间具有第一镓合金区域、第二镓合金区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括：/n氮化镓基板，/n发光外延层位于氮化镓基板之上，发光外延层包括第一半导体层、发光层、第二半导体层，其中第一半导体层与氮化镓基板接触，/n第一接触电极位于氮化镓基板远离发光外延层一侧，/n其特征在于，第一接触电极的材料为镓合金。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：
氮化镓基板，
发光外延层位于氮化镓基板之上，发光外延层包括第一半导体层、发光层、第二半导体层，其中第一半导体层与氮化镓基板接触，
第一接触电极位于氮化镓基板远离发光外延层一侧，
其特征在于，第一接触电极的材料为镓合金。


2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一接触电极与氮化镓基板之间具有第一镓合金区域、第二镓合金区域和第三镓合金区域，其中第二镓合金区域的镓浓度低于第一镓合金区域和第三镓合金区域的镓浓度。


3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一镓合金区域位于第一接触电极的靠近发光外延层的一端。


4.根据权利要求2所述的一种发光二极管，其特征在于，第一接触电极与氮化镓基板之间包括一个镓浓度呈从高浓度到低浓度再到高浓度的变化趋势。


5.根据权利要求1所述的一种发...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳恩，钟志白，叶涛，卓昌正，徐宸科，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35