高反射LED倒装芯片及其封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种高反射LED倒装芯片及其封装结构。本实用新型专利技术通过将接触电极之间的距离做小，再增设一层第二透明绝缘层，在第二透明绝缘层上开设焊接孔，使得焊接间距不变，既能够大幅提高芯片外量子效率，又可降低侧面和电极面的出光，从而实现在封装形式不变的情况下有效地提升亮度。解决了现有技术中因接触电极之间的距离大而导致出光效率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
高反射LED倒装芯片及其封装结构
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种高反射LED倒装芯片及其封装结构。
技术介绍
如图1所示，现有的LED倒装芯片通常包括透明衬底101、N型半导体102、MQW103、P型半导体104、设于N型半导体102上的N面欧姆接触层105、设于P型半导体104上的P面欧姆接触层106、与N面欧姆接触层105电连接的N型接触电极108、与P面欧姆接触层106电连接的P型接触电极109，以及覆盖于芯片表面的透明绝缘层107。其制作方法包括以下步骤：1、在透明衬底101上生长由N型半导体102、MQW103和P型半导体104组成的外延层；2、将外延层通过干法或湿法由P型半导体104蚀刻至N型半导体102；3、在N型半导体102上蒸镀N-Metal作为N面欧姆接触层105，在P型半导体104上蒸镀P-Metal作为P面欧姆接触层106；4、将外延层通过干法或湿法蚀刻至透明衬底101；5、将芯片整面覆盖透明绝缘层107；6、将透明绝缘层107通过干法或湿法蚀刻至N面欧姆接触层105和P面欧姆接触层106；7、将N型接触电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高反射LED倒装芯片，包括：由下至上依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层上的第一欧姆接触层；设于所述第二半导体层上的第二欧姆接触层；以及覆盖于芯片表面的第一透明绝缘层，所述第一透明绝缘层对应第一欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第一欧姆接触层的第一通孔，所述第一透明绝缘层对应第二欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第二欧姆接触层的第二通孔；其特征在于，还包括第一接触电极、第二接触电极和第二透明绝缘层，所述第一接触电极通过所述第一通孔与所述第一欧姆接触层接触，所述第二接触电极通过所述第二通孔与所述第二欧姆接触层接触，所...

【技术特征摘要】
1.一种高反射LED倒装芯片，包括：由下至上依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层上的第一欧姆接触层；设于所述第二半导体层上的第二欧姆接触层；以及覆盖于芯片表面的第一透明绝缘层，所述第一透明绝缘层对应第一欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第一欧姆接触层的第一通孔，所述第一透明绝缘层对应第二欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第二欧姆接触层的第二通孔；其特征在于，还包括第一接触电极、第二接触电极和第二透明绝缘层，所述第一接触电极通过所述第一通孔与所述第一欧姆接触层接触，所述第二接触电极通过所述第二通孔与所述第二欧姆接触层接触，所述第一接触电极和第二接触电极具有间隙；所述第二透明绝缘层覆盖于第一接触电极和第二接触电极表面，所述第二透明绝缘层对应第一接触电极和第二接触电极的位置分别具有贯穿第二透明绝缘层上下表面且暴露第一接触电极和第二接触电极的焊接孔；所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙小于或等于30um。


2.根据权利要求1所述的高反...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，朱国健，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35