高反射LED倒装芯片及其封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种高反射LED倒装芯片及其封装结构。本实用新型专利技术通过将接触电极之间的距离做小，再增设一层第二透明绝缘层，在第二透明绝缘层上开设焊接孔，使得焊接间距不变，既能够大幅提高芯片外量子效率，又可降低侧面和电极面的出光，从而实现在封装形式不变的情况下有效地提升亮度。解决了现有技术中因接触电极之间的距离大而导致出光效率低的问题。

【技术实现步骤摘要】
高反射LED倒装芯片及其封装结构
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种高反射LED倒装芯片及其封装结构。
技术介绍
如图1所示，现有的LED倒装芯片通常包括透明衬底101、N型半导体102、MQW103、P型半导体104、设于N型半导体102上的N面欧姆接触层105、设于P型半导体104上的P面欧姆接触层106、与N面欧姆接触层105电连接的N型接触电极108、与P面欧姆接触层106电连接的P型接触电极109，以及覆盖于芯片表面的透明绝缘层107。其制作方法包括以下步骤：1、在透明衬底101上生长由N型半导体102、MQW103和P型半导体104组成的外延层；2、将外延层通过干法或湿法由P型半导体104蚀刻至N型半导体102；3、在N型半导体102上蒸镀N-Metal作为N面欧姆接触层105，在P型半导体104上蒸镀P-Metal作为P面欧姆接触层106；4、将外延层通过干法或湿法蚀刻至透明衬底101；5、将芯片整面覆盖透明绝缘层107；6、将透明绝缘层107通过干法或湿法蚀刻至N面欧姆接触层105和P面欧姆接触层106；7、将N型接触电极108和P型接触电极109分别设于步骤6蚀刻出的区域中。如图2所示为上述LED倒装芯片的封装示意图，芯片固晶到表面镀Ag的支架110上，111为Sn膏，其中箭头所指为光的射出方向。然而，由于目前的封装技术限制，尤其是应用在MiniLED或者MicroLED领域，Sn膏与Sn膏之间的间隙有要求，不得不将倒装芯片产品的N接触电极和P接触电极距离拉远，保证封装通电后LED芯片正常使用，这样则会导致P、N接触电极之间漏光，从MQW发出的光穿过N型半导体和透明绝缘层后，在支架表面与芯片之间来回反射，红光波段被自身或支架等封装底材吸收，影响出光效率。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的为：提供一种高反射LED倒装芯片及其封装结构，能够在不改变现有封装形式的情况下，有效提高光提取率。本技术采用的技术方案为：一种高反射LED倒装芯片，包括：由下至上依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层上的第一欧姆接触层；设于所述第二半导体层上的第二欧姆接触层；以及覆盖于芯片表面的第一透明绝缘层，所述第一透明绝缘层对应第一欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第一欧姆接触层的第一通孔，所述第一透明绝缘层对应第二欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第二欧姆接触层的第二通孔；还包括第一接触电极、第二接触电极和第二透明绝缘层，所述第一接触电极通过所述第一通孔与所述第一欧姆接触层接触，所述第二接触电极通过所述第二通孔与所述第二欧姆接触层接触，所述第一接触电极和第二接触电极具有间隙；所述第二透明绝缘层覆盖于第一接触电极和第二接触电极表面，所述第二透明绝缘层对应第一接触电极和第二接触电极的位置分别具有贯穿第二透明绝缘层上下表面且暴露第一接触电极和第二接触电极的焊接孔；所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙小于或等于30um。可选的，所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙大于或等于10um。可选的，所述第二透明绝缘层的厚度小于1.5um。可选的，所述焊接孔之间的距离大于等于30um。可选的，所述第一接触电极设于第一透明绝缘层上以及通过所述第一通孔设于所述第一欧姆接触层上，所述第二接触电极设于第一透明绝缘层上以及通过所述第二通孔设于所述第二欧姆接触层上。可选的，所述第二透明绝缘层填充所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙。本技术采用的另一个技术方案为：一种高反射LED倒装芯片的封装结构，包括支架以及上述高反射LED倒装芯片，所述高反射LED倒装芯片通过所述焊接孔固定于所述支架上并与所述支架电连接。从上述可知，本技术通过将接触电极之间的距离做小(接触电极之间的间隙小于等于30um)，再增设一层第二透明绝缘层，在第二透明绝缘层上开设焊接孔，使得焊接间距不变，既能够大幅提高芯片外量子效率，又可降低侧面和电极面的出光，从而实现在封装形式不变的情况下有效地提升亮度。解决了现有技术中因接触电极之间的距离大而导致光提取率低的问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术的LED倒装芯片的结构示意图；图2为现有技术的LED倒装芯片的封装示意图；图3为本技术实施例的高反射LED倒装芯片的结构示意图；图4为本技术实施例的高反射LED倒装芯片的封装结构示意图；图5为现有LED倒装芯片以及本技术的高反射LED倒装芯片的亮度实验对比图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一如图3所示，本实施例提供一种高反射LED倒装芯片2，包括：由下至上依次层叠的衬底201、第一半导体层202、有源层203和第二半导体层204；设于所述第一半导体层202上的第一欧姆接触层205；设于所述第二半导体层204上的第二欧姆接触层206；以及覆盖于芯片表面的第一透明绝缘层207，所述第一透明绝缘层207对应第一欧姆接触层205的位置具有贯穿第一透明绝缘层207上下表面且暴露第一欧姆接触层205的第一通孔，所述第一透明绝缘层207对应第二欧姆接触层206的位置具有贯穿第一透明绝缘层207上下表面且暴露第二欧姆接触层206的第二通孔；还包括第一接触电极208、第二接触电极209和第二透明绝缘层210，所述第一接触电极208通过所述第一通孔与所述第一欧姆接触层205接触，所述第二接触电极209通过所述第二通孔与所述第二欧姆接触层206接触，所述第一接触电极208和第二接触电极209具有间隙d；所述第二透明绝缘层210覆盖于第一接触电极208和第二接触电极209表面并填充所述第一接触电极208和第二接触电极209之间的间隙d，所述第二透明绝缘层210对应第一接触电极208和第二接触电极209的位置分别具有贯穿第二透明绝缘层210上下表面且暴露第一接触电极208和第二接触电极209的焊接孔211；所述第一接触电极208和第二接触电极209之间的间隙d小于或等于30um；各所述焊接孔111之间的距离大于等于30um。上述衬底201为透明衬底，上述第一半导体层202、第一欧姆接触层205和第一接触电极208分别指的是N型半导体层、N型欧姆接触层和N型接触电极，上述第二半导体层204、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高反射LED倒装芯片，包括：由下至上依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层上的第一欧姆接触层；设于所述第二半导体层上的第二欧姆接触层；以及覆盖于芯片表面的第一透明绝缘层，所述第一透明绝缘层对应第一欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第一欧姆接触层的第一通孔，所述第一透明绝缘层对应第二欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第二欧姆接触层的第二通孔；其特征在于，还包括第一接触电极、第二接触电极和第二透明绝缘层，所述第一接触电极通过所述第一通孔与所述第一欧姆接触层接触，所述第二接触电极通过所述第二通孔与所述第二欧姆接触层接触，所述第一接触电极和第二接触电极具有间隙；所述第二透明绝缘层覆盖于第一接触电极和第二接触电极表面，所述第二透明绝缘层对应第一接触电极和第二接触电极的位置分别具有贯穿第二透明绝缘层上下表面且暴露第一接触电极和第二接触电极的焊接孔；所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙小于或等于30um。/n

【技术特征摘要】
1.一种高反射LED倒装芯片，包括：由下至上依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层上的第一欧姆接触层；设于所述第二半导体层上的第二欧姆接触层；以及覆盖于芯片表面的第一透明绝缘层，所述第一透明绝缘层对应第一欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第一欧姆接触层的第一通孔，所述第一透明绝缘层对应第二欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第二欧姆接触层的第二通孔；其特征在于，还包括第一接触电极、第二接触电极和第二透明绝缘层，所述第一接触电极通过所述第一通孔与所述第一欧姆接触层接触，所述第二接触电极通过所述第二通孔与所述第二欧姆接触层接触，所述第一接触电极和第二接触电极具有间隙；所述第二透明绝缘层覆盖于第一接触电极和第二接触电极表面，所述第二透明绝缘层对应第一接触电极和第二接触电极的位置分别具有贯穿第二透明绝缘层上下表面且暴露第一接触电极和第二接触电极的焊接孔；所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙小于或等于30um。


2.根据权利要求1所述的高反...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，朱国健，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35