集成芯片、全彩集成芯片和显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种集成芯片、全彩集成芯片和显示面板，其中，集成芯片，包括：发光部，发光部包括发光层和电极结构，电极结构与发光层电连接；引脚部，引脚部设置于电极结构的下方，并与电极结构电连接；引脚部包括N层依次叠置的金属线路层和绝缘保护层。本实用新型专利技术解决了现有技术中的Micro LED显示面板的制作过程繁琐，不仅大大地降低了显示面板的生产加工效率，影响了显示屏的生产工期，而且会因铺设芯片的良率过低而降低显示面板的成品合格率，导致显示屏的生产效率低下的问题。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片、全彩集成芯片和显示面板
本技术涉及显示
，具体而言，涉及一种集成芯片、全彩集成芯片和显示面板。
技术介绍
MicroLED显示作为一个新兴的显示技术，相比LCD，OLED，在高亮度、快速响应时间、高分辨率、高色域以及长寿命等方面优势明显，因此，MicroLED显示为显示
带来了一次技术革新革命。MicroLED显示面板在制造过程中，需要以转移芯片的方式将数量繁多的芯片依次铺设到电路基板上，频繁的转移芯片操作导致显示面板的制作过程繁琐，不仅大大地降低了显示面板的生产加工效率，影响了显示屏的生产工期，而且会因铺设芯片的良率过低而降低显示面板的成品合格率，导致显示屏的生产效率低下。另外，当发光芯片尺寸较小时，发光芯片正负电极之间的间距变小，对电路基板的加工精度要求以及固晶工艺的工艺要求增大。同时，单颗发光芯片尺寸较小时，由于每个发光芯片都具有正负两个电极，每个发光芯片均需要独立控制，当基板上的发光芯片设置数量较多时，电路基板设计的复杂度增加，基板设计难度变大。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种集成芯片、全彩集成芯片和显示面板，以解决现有技术中的MicroLED显示面板的制作过程繁琐，不仅大大地降低了显示面板的生产加工效率，影响了显示屏的生产工期，而且会因铺设芯片的良率过低而降低显示面板的成品合格率，导致显示屏的生产效率低下的问题。此外，集成芯片采用共极结构，与传统的发光芯片采用独立电极的方式相对比，减少了集成芯片整体的电极数量；集成芯片具有接线数量少、转移难度低、显示面板电路基板设计难度低、电路基板加工精度要求低等特点，具有良好的实用性。为了实现上述目的，根据本技术的一个方面，提供了一种集成芯片，包括：发光部，发光部包括发光层和电极结构，电极结构与发光层电连接；引脚部，引脚部设置于电极结构的下方，并与电极结构电连接；引脚部包括N层依次叠置的金属线路层和绝缘保护层，其中，电极结构和与其相邻的一层金属线路层之间设置有一层绝缘保护层，以及相邻的两层金属线路层之间设置有一层绝缘保护层，绝缘保护层上开设有用于导体经过的金属过孔，N层金属线路层通过导体电连接，其中，N≥2。进一步地，发光层包括呈矩阵分布的n×m个发光单元组，其中，n为行数，m为列数，且n和m均为大于或等于1的正整数，发光单元组包括呈矩阵分布的x×y个发光基元，其中，x为行数，y为列数，且x和y均为大于或等于1的正整数；电极结构包括与多个发光基元一一对应电连接的电极组，各电极组包括a极电极和b极电极，同一列发光单元组的同一列发光基元的a极电极分别电连接在一起，形成m×y个第一电极；同一行发光单元组的同一行发光基元的b极电极分别电连接，形成n×x个第二电极。进一步地，引脚部在第N层金属线路层处形成第一引脚电极和第二引脚电极，其中，第一引脚电极为与多个第一电极一一对应连接的m×y个，第二引脚电极为与多个第二电极一一对应的n×x个。进一步地，N＝2，m＝2，n＝2，x＝3，y＝1。进一步地，与第N层金属线路层接触的绝缘保护层上设置有用于识别第一引脚电极或第二引脚电极的极性的识别标记。进一步地，第N层金属线路层上远离绝缘保护层的一侧设有绝缘层，绝缘层覆盖第N层金属线路层上的金属走线和金属过孔。进一步地，集成芯片还包括多个光处理部，多个光处理部沿集成芯片的发光面以矩阵的形式分布在发光部上，并位于发光层的上方，且多个光处理部与多个发光基元一一对应设置，发光部还包括由上至下层叠设置在发光层下方的P-GaN层和金属接触层，电极结构包括正极和负极，其中，负极与发光基元电连接，正极通过金属接触层和P-GaN层与发光基元电连接。进一步地，发光部还包括n-GaN层、缓冲层和第一钝化层，n-GaN层、缓冲层和第一钝化层由下至上依次层叠设置在发光层和光处理部之间；发光部还包括DBR反射层和第二钝化层，其中，DBR反射层覆盖在缓冲层、n-GaN层和电极结构的外周侧以及金属接触层的底部，第二钝化层覆盖在DBR反射层的外周侧和底部，第二钝化层为一层绝缘保护层。根据本技术的另一方面，提供了一种全彩集成芯片，全彩集成芯片为上述的集成芯片，其中，集成芯片的光处理部包括红色量子点基元、绿色量子点基元和透光补色基元，红色量子点基元、绿色量子点基元和透光补色基元中任意两个相邻的基元之间设置有挡墙。进一步地，集成芯片为蓝光集成芯片，透光补色基元为透明散射量子点层。进一步地，集成芯片为紫外光集成芯片，透光补色基元为蓝色量子点层。根据本技术的另一方面，提供了一种显示面板，包括：电路基板和多个集成芯片，集成芯片为上述的集成芯片，多个集成芯片以矩阵的形式设置在电路基板上；封装胶层，封装胶层覆盖在电路基板上并封装多个集成芯片。根据本技术的另一方面，提供了一种显示面板，包括：电路基板和多个全彩集成芯片，全彩集成芯片为上述的全彩集成芯片，多个全彩集成芯片以矩阵的形式设置在电路基板上；封装胶层，封装胶层覆盖在电路基板上并封装多个全彩集成芯片。应用本技术的技术方案，通过提供一种新型结构的集成芯片，优化了集成芯片的与电极结构电性作用的引脚部的具体结构，在确保了引脚部便于成型制造的前提下，不仅提高了集成芯片安装后的电性连接稳定性，而且具有本申请结构的引脚部的单一集成芯片能够具有更多的发光点或更大的发光面，有利于满足集成芯片预设的发光特性，从而有利于减少显示面板的电路基板上所安装的集成芯片的数量，进而在生产制造显示面板的过程中，大大地减少了转移集成芯片的次数，从而有利于提升显示面板的生产加工效率，缩短显示屏的生产工期，同时避免因铺设集成芯片的良率过低而降低显示面板的成品合格率，提高显示屏的生产效率。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1示出了根据本技术的一种可选实施例的显示面板的结构示意图；图2示出了图1中的显示面板未使用封装胶层封装多个集成芯片时的结构示意图；图3示出了根据本技术的一种可选实施例的集成芯片的结构示意图；图4示出了以俯视视角看图3中的集成芯片的状态示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：1、电路基板；2、集成芯片；3、封装胶层；100、发光部；10、发光层；20、电极结构；200、光处理部；201、红色量子点基元；202、绿色量子点基元；203、透光补色基元；300、挡光墙层；301、凹槽；400、引脚部；11、发光单元组；200、光处理部；204、发光面；30、P-GaN层；40、金属接触层；21、正极；22、负极；50、n-GaN层；60、缓冲层；70、第一钝化层；80、DBR反射层；90、第二钝化层。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：/n发光部(100)，所述发光部(100)包括发光层(10)和电极结构(20)，所述电极结构(20)与所述发光层(10)电连接；/n引脚部(400)，所述引脚部(400)设置于所述电极结构(20)的下方，并与所述电极结构(20)电连接；所述引脚部(400)包括N层依次叠置的金属线路层和绝缘保护层，其中，所述电极结构(20)和与其相邻的一层所述金属线路层之间设置有一层所述绝缘保护层，以及相邻的两层所述金属线路层之间设置有一层所述绝缘保护层，所述绝缘保护层上开设有用于导体经过的金属过孔，N层所述金属线路层通过所述导体电连接，其中，N≥2。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
发光部(100)，所述发光部(100)包括发光层(10)和电极结构(20)，所述电极结构(20)与所述发光层(10)电连接；
引脚部(400)，所述引脚部(400)设置于所述电极结构(20)的下方，并与所述电极结构(20)电连接；所述引脚部(400)包括N层依次叠置的金属线路层和绝缘保护层，其中，所述电极结构(20)和与其相邻的一层所述金属线路层之间设置有一层所述绝缘保护层，以及相邻的两层所述金属线路层之间设置有一层所述绝缘保护层，所述绝缘保护层上开设有用于导体经过的金属过孔，N层所述金属线路层通过所述导体电连接，其中，N≥2。


2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述发光层(10)包括呈矩阵分布的n×m个发光单元组(11)，其中，n为行数，m为列数，且n和m均为大于或等于1的正整数，所述发光单元组(11)包括呈矩阵分布的x×y个发光基元，其中，x为行数，y为列数，且x和y均为大于或等于1的正整数；所述电极结构(20)包括与多个所述发光基元一一对应电连接的电极组，各所述电极组包括a极电极和b极电极，同一列所述发光单元组(11)的同一列所述发光基元的a极电极分别电连接在一起，形成m×y个第一电极；同一行所述发光单元组(11)的同一行所述发光基元的b极电极分别电连接，形成n×x个第二电极。


3.根据权利要求2所述的集成芯片，其特征在于，所述引脚部(400)在第N层所述金属线路层处形成第一引脚电极和第二引脚电极，其中，所述第一引脚电极为与多个所述第一电极一一对应连接的m×y个，所述第二引脚电极为与多个所述第二电极一一对应的n×x个。


4.根据权利要求2或3所述的集成芯片，其特征在于，N＝2，m＝2，n＝2，x＝3，y＝1。


5.根据权利要求3所述的集成芯片，其特征在于，与第N层所述金属线路层接触的所述绝缘保护层上设置有用于识别所述第一引脚电极或所述第二引脚电极的极性的识别标记。


6.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，第N层所述金属线路层上远离所述绝缘保护层的一侧设有绝缘层，所述绝缘层覆盖第N层所述金属线路层上的金属走线和金属过孔。


7.根据权利要求2所述的集成芯片，其特征在于，所述集成芯片还包括多个光处理部(200)，多个所述光处理部(200)沿所述集成芯片的发光面(204)以矩阵的形式分布在所述发光部(100)上，并位于所述发光层(10)的上方，且多个所述光处理部(200)与多个所述发光基元一一对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵强，秦快，郭恒，王昌奇，谢宗贤，范凯亮，蒋纯干，杨璐，覃玉璋，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44