一种球形LED芯片及其显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种球形LED芯片及其显示面板，其中球形LED芯片包括第一电极，环绕所述第一电极且带有磁性的第二电极，设置在所述第一电极的外侧的第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层与所述第二电极组成用于包裹所述第一电极且外轮廓为球形的LED外壳。流体组装的巨量转移方式将LED芯片转移到背板上时，球形LED外壳在流体组装中通过第二电极的磁性定位，精准的与背板上的位置进行吸引定位，并采用球形能实现平顺的位置调整，从而代替长方形或圆柱体的LED芯片，实现巨量精准转移。

【技术实现步骤摘要】
一种球形LED芯片及其显示面板
本技术涉及显示设备领域，尤其涉及的是一种球形LED芯片及其显示面板。
技术介绍
Micro-LED是新一代的显示技术。与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗，且还能结合柔性面板实现柔性显示。与传统的LED芯片相比，具有相同的发光原理，但单个LED芯片的尺度小于20μm，使得其制备难度大大提高。制备过程中，巨量转移技术是关键。目前巨量转移技术主要包括静电转移、微印和流体组装等。巨量转移技术是把单个小LED芯片装配到衬底上形成LED显示面板，现有采用流体组装的过程为：利用刷桶在衬底上滚动，使得LED芯片置于液体悬浮液中，通过流体力，让LED芯片落入衬底上的对应的位置，而传统LED芯片均为长方体或圆柱体结构，长方形或圆柱体的LED芯片由于带有直边或转折角，在流体力的作用下方向不易调整，在到达衬底位置时并不能准确对位，难以实现巨量精准转移，影响装配效率。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种球形LED芯片及其显示面板，其中，球形LED外壳在流体组装中通过第二电极的磁性定位，精准的与衬底上的位置进行吸引定位，并采用球形能实现平顺的位置调整，从而代替长方形或圆柱体的LED芯片，实现巨量精准转移，提高了装配效率。本技术的技术方案如下：一种球形LED芯片，其中，包括第一电极，环绕所述第一电极且带有磁性的第二电极，设置在所述第一电极的外侧的第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层与所述第二电极组成用于包裹所述第一电极且外轮廓为球形的LED外壳。进一步，所述第一电极沿球形轮廓的中轴线设置，所述第一电极与所述第二电极之间设置有第二绝缘保护层。进一步，所述第一电极所在的中轴线相垂直的平面上，所述第二电极的正投影为环形。进一步，所述环形为多边环形或圆环形。进一步，还包括有位于所述LED外壳的腔体内且依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层；所述第一半导体层与所述第一电极相接触，所述第二半导体层与所述第二电极相接触。进一步，所述第二绝缘保护层延伸设置在所述第一电极与所述发光层、所述第二半导体层之间。一种显示面板，其中，包括背板，设置在背板上若干如上所述的球形LED芯片，在背板上设置有用于与第一电极相连接的第一金属垫，在背板上设置有用于与所述第二电极相连接的第二金属垫，所述第二金属上带有与所述第二电极相反的磁性。进一步，所述背板上设置有若干个凹槽，所述凹槽用于容纳所述球形LED芯片。进一步，所述第二电极根据像素的不同颜色设置为不同的图案，所述第二金属垫设置成与所述第二电极相匹配的图案。一种球形LED芯片的制造方法，其中，包括步骤：在衬底上形成外延层，所述外延层包括从下至上依次叠加的第一半导体层、发光层、第二半导体层；通过干蚀刻工艺在外延层上蚀刻出第一个半球，并蚀刻出第一电极孔；沉积绝缘保护层；对绝缘层进行蚀刻出第二电极位；在第一电极孔内镀上第一电极，并在第二电极位上镀上带磁性的第二电极；将衬底剥离，在朝向衬底的一侧通过干蚀刻工艺蚀刻出第二个半球；在第二个半球上沉积绝缘保护层。与现有技术相比，本技术提出的一种球形LED芯片及其显示面板，其中LED芯片通过第一绝缘保护层与所述第二电极组成轮廓为球形的LED外壳，包裹所述第一电极，并使第一电极和第二电极分开，实现LED芯片的供电，将LED设置成球形，因此出光面必定为球面，球面的LED外壳作为出光面有利于减少LED芯片内部的全反射，因此可以提升光提取效率。由于LED芯片为球形结构，所以可以在背板上设置与LED芯片大小对应的安装位，通过流体组装的巨量转移方式将LED芯片转移到背板上时，球形LED外壳在流体组装中通过第二电极的磁性定位，精准的与背板上的位置进行吸引定位，并采用球形能实现平顺的位置调整，从而代替长方形或圆柱体的LED芯片，实现巨量精准转移。由于对不同颜色的LED芯片的第二电极进行了不同图案化的磁性电极设计，所以可以在与进行转移时与背板的对应位置进行精确的对位，提升转移良率。附图说明图1为本技术一种球形LED芯片的实施例的剖视图；图2为本技术一种球形LED芯片的实施例的第二电极的正投影示意图；图3为本技术一种显示面板的实施例的剖视图；图4为本技术流体组装的巨量转移方式的原理图；图5为本技术一种球形LED芯片的制造方法中的步骤S100完成后的结构图；图6为本技术一种球形LED芯片的制造方法中蚀刻出第一个半球后的结构图；图7为本技术一种球形LED芯片的制造方法中的步骤S200完成后的结构图；图8为本技术一种球形LED芯片的制造方法中的步骤S300完成后的结构图；图9为本技术一种球形LED芯片的制造方法中的步骤S400完成后的结构图；图10为本技术一种球形LED芯片的制造方法中镀上第一电极后的结构图；图11为本技术一种球形LED芯片的制造方法中的步骤S500完成后的结构图；图12为本技术一种球形LED芯片的制造方法中步骤S600中粘接完成后的结构图；图13为本技术一种球形LED芯片的制造方法中的步骤S600中将衬底剥离的结构图；图14为本技术一种球形LED芯片的制造方法中的步骤S600完成后的结构图；图15为本技术一种球形LED芯片的制造方法中的步骤S700完成后的结构图。图中各标号：100、球形LED芯片；110、第一电极；120、第二电极；130、第一绝缘保护层；140、第二绝缘保护层；150、第一半导体层；151、发光层；152、第二半导体层；200、背板；210、第一金属垫；220、第二金属垫；230、凹槽；300、衬底；310、第一个半球；320、第一电极孔；330、第二电极位；340、第二个半球；350、粘接材料；360、粘接基板；370、绝缘保护层。具体实施方式本技术提供一种球形LED芯片及其显示面板，为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实例对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。如图1所示，一种球形LED芯片，包括第一电极110，在第一电极110外侧环绕有第二电极120，第一电极110与第二电极120间隔一段距离设置，所述第二电极120带有磁性，用于在流体组装进行巨量转移的过程中LED芯片吸附到背板上，在所述第一电极110的外侧设置有第一绝缘保护层130，所述第一绝缘保护层130与所述第二电极120组成LED外壳，LED外壳的外轮廓为球形，LED外壳包裹所述第一电极110，即LED外壳内形成内腔，所述第一电极110位于内腔中。易于想到的是，所述LED外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种球形LED芯片，其特征在于，包括第一电极，环绕所述第一电极且带有磁性的第二电极，设置在所述第一电极的外侧的第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层与所述第二电极组成用于包裹所述第一电极且外轮廓为球形的LED外壳。/n

【技术特征摘要】
1.一种球形LED芯片，其特征在于，包括第一电极，环绕所述第一电极且带有磁性的第二电极，设置在所述第一电极的外侧的第一绝缘保护层，所述第一绝缘保护层与所述第二电极组成用于包裹所述第一电极且外轮廓为球形的LED外壳。


2.根据权利要求1所述的球形LED芯片，其特征在于，所述第一电极沿球形轮廓的中轴线设置，所述第一电极与所述第二电极之间设置有第二绝缘保护层。


3.根据权利要求2所述的球形LED芯片，其特征在于，在所述第一电极所在的中轴线相垂直的平面上，所述第二电极的正投影为环形。


4.根据权利要求3所述的球形LED芯片，其特征在于，所述环形为多边环形或圆环形。


5.根据权利要求2所述的球形LED芯片，其特征在于，还包括有位于所述LED外壳的腔体内且依次设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐彪，许时渊，刘海平，冯中山，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50