一种Micro LED芯片、显示面板及Micro LED芯片的焊接方法技术

本申请涉及一种Micro LED芯片、显示面板及Micro LED芯片的焊接方法，所述Micro LED芯片包括：N型半导体层、P型半导体层、N型电极和P型电极，其中，所述N型电极设置在N型半导体层上，所述P型电极设置在P型半导体层上；所述N型电极包含第一通路，所述第一通路贯穿所述N型电极；所述P型电极包含第二通路，所述第二通路贯穿所述P型电极。通过本申请中具有第一通路和第二通路的Micro LED芯片，可以使用其他方式将Micro LED焊接到显示面板上，例如，可以使用激光束穿过第一通路和第二通路使焊料融化，焊料冷凝后将Micro LED芯片及显示面板连接在一起，避免在焊接过程中对显示面板直接加热造成显示面板上元器件的损伤。

A welding method for micro LED chip, display panel and micro LED chip

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种MicroLED芯片、显示面板及MicroLED芯片的焊接方法
本申请涉及MicroLED
，特别是涉及一种MicroLED芯片、显示面板及MicroLED芯片的焊接方法。
技术介绍
MicroLED是新一代显示技术，比现有的OLED技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。使用MicroLED制成的显示器，具有良好的稳定性、使用寿命更长以及运行温度更低等优势，同时也承继了现有LED的低功耗、色彩饱和度高、反应速度快和对比度强等优点，具有极大的应用前景。目前，在MicroLED显示器制程的过程中，需要将MicroLED的两个电极焊接到显示面板上，以使得MicroLED的两个电极与显示面板上对应的电接触点具有良好的电接触。如图1所示，所述MicroLED包括N型半导体层11、活跃层12、P型半导体层13、N型电极14和P型电极15。在将MicroLED的两个电极焊接到显示面板上时，需要加热MicroLED的电极与显示面板的电接触点之间的焊料到一定的温度，通过热传导使焊料融化以达到焊接的目的。但是，对显示面板直接加热，可能会对显示面板上的元器件造成损伤。以目前的LED结构，只能使用对显示面板直接加热这种方式将MicroLED焊接到显示面板上。因此，现有技术有待改进。
技术实现思路
本申请要解决的技术问题是，提供一种MicroLED芯片、显示面板及MicroLED芯片的焊接方法，可以使用其他方式将MicroLED焊接到显示面板上，例如，可以使用激光束穿过第一通路和第二通路使焊料融化，焊料冷凝后将MicroLED芯片及显示面板连接在一起，避免在焊接过程中对显示面板直接加热造成显示面板上元器件的损伤。第一方面，本申请实施例提供了一种MicroLED芯片，所述MicroLED芯片包括：N型半导体层、P型半导体层、N型电极和P型电极，其中，所述N型电极设置在N型半导体层上，所述P型电极设置在P型半导体层上；所述N型电极包含第一通路，所述第一通路贯穿所述N型电极；所述P型电极包含第二通路，所述第二通路贯穿所述P型电极，其中，所述第一通路和所述第二通路用于激光束的通过。可选地，所述MicroLED芯片包括：所述第一通路或者所述第二通路内设置有导通材料。可选地，所述MicroLED芯片包括：所述第一通路和所述第二通路内设置有同一种导通材料。可选地，所述MicroLED芯片包括：所述第一通路设置有第一导通材料，所述第二通路设置有第二导通材料，所述第一导通材料与所述第二导通材料不同。可选地，所述MicroLED芯片包括：活跃层，所述活跃层位于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间。可选地，所述N型半导体层包括N型氮化镓材料。可选地，所述P型半导体层包括P型氮化镓材料。可选地，所述活跃层包括氮化镓材料。第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，所述显示面板焊接有上述MicroLED芯片；所述显示面板其中一个端面的上方依次设置焊料和所述MicroLED芯片；所述焊料被穿过第一通路及第二通路后的激光束照射融化，并在冷凝后将所述MicroLED芯片及显示面板连接在一起。第三方面，本申请实施例提供了一种MicroLED芯片的焊接方法，将上述的LED芯片焊接到显示面板上：在所述LED芯片的N型电极和P型电极的表面设置焊料；将设置有焊料的所述MicroLED芯片转移至显示面板上方；在所述MicroLED芯片转移至所述显示面板上方后，控制激光束穿过第一通路和第二通路照射到焊料上，使所述焊料融化，并在冷凝后将所述MicroLED芯片及显示面板连接在一起。与现有技术相比，本申请实施例具有以下优点：根据本申请实施方式提供的MicroLED芯片，所述MicroLED芯片包括：N型半导体层、P型半导体层、N型电极和P型电极，其中，所述N型电极设置在N型半导体层上，所述P型电极设置在P型半导体层上；所述N型电极包含第一通路，所述第一通路贯穿所述N型电极；所述P型电极包含第二通路，所述第二通路贯穿所述P型电极，其中，所述第一通路和所述第二通路用于激光束的通过。通过本申请中具有第一通路和第二通路的MicroLED芯片，可以使用其他方式将MicroLED焊接到显示面板上，例如，可以使用激光束穿过第一通路和第二通路使焊料融化，焊料冷凝后将MicroLED芯片及显示面板连接在一起，避免在焊接过程中对显示面板直接加热造成显示面板上元器件的损伤。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为相关技术中MicroLED的结构示意图；图2为本申请实施例中一种MicroLED芯片的结构示意图；图3为本申请实施例中一种显示面板的结构示意图；图4为本申请实施例中MicroLED芯片的焊接方法的流程示意图；图5为本申请实施例中MicroLED芯片转移至显示面板上方的示意图；图6为本申请实施例中MicroLED芯片的焊接过程的示意图；图7为本申请实施例中MicroLED芯片的焊接完成的示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。专利技术人经过研究发现，在将MicroLED的两个电极焊接到显示面板上时，需要加热MicroLED的电极与显示面板的电接触点之间的焊料到一定的温度，通过热传导使焊料融化以达到焊接的目的。但是，对显示面板直接加热，可能会对显示面板上的元器件造成损伤，进而导致制作完成显示器发生故障，使用寿命降低等问题。为了解决上述问题，在本申请实施例中，MicroLED芯片的N型电极和P型电极内具有第一通路和第二通路的MicroLED芯片，可以使用其他方式将MicroLED焊接到显示面板上，例如，可以使用激光束穿过第一通路和第二通路使焊料融化，焊料冷凝后将MicroLED芯片及显示面板连接在一起，避免在焊接过程中对显示面板直接加热造成显示面板上元器件的损伤。下面结合附图，详细说明本申请的各种非限制性实施方式。本申请提供一种MicroLED芯片，如图2所示，所述MicroLED芯片包括：N型半导体层11、P型半导体层13、N型电极14和P型电极15，其中，所述N型电极14设置在N型半导体层11上，所述P型电极15设置在P型半导体层13上；所述N型电极14包含第一通路141，所述第一通路141贯穿所述N型电极14；所述P型电极15包含第二通路151，所述第二通路151贯穿所述P型电极15。在本申请实施例的一种可选方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED芯片，其特征在于，所述Micro LED芯片包括：/nN型半导体层、P型半导体层、N型电极和P型电极，其中，所述N型电极设置在N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；/n所述N型电极包含第一通路，所述第一通路贯穿所述N型电极；/n所述P型电极包含第二通路，所述第二通路贯穿所述P型电极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种MicroLED芯片，其特征在于，所述MicroLED芯片包括：
N型半导体层、P型半导体层、N型电极和P型电极，其中，所述N型电极设置在N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上；
所述N型电极包含第一通路，所述第一通路贯穿所述N型电极；
所述P型电极包含第二通路，所述第二通路贯穿所述P型电极。


2.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述MicroLED芯片包括：
所述第一通路或者所述第二通路内设置有导通材料。


3.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述MicroLED芯片包括：
所述第一通路和所述第二通路内设置有同一种导通材料。


4.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述MicroLED芯片包括：
所述第一通路设置有第一导通材料，所述第二通路设置有第二导通材料，所述第一导通材料与所述第二导通材料不同。


5.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述MicroLED芯片包括：
活跃层，所述活跃层位于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈靖中，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50