一种图形化复合衬底和LED外延片制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种图形化复合衬底和LED外延片。该图形化复合衬底，包括：衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。本实用新型专利技术实施例解决了现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且出光效率率较低的问题，可以保证图形化复合衬底C面的质量，降低外延中位错密度；同时还可以改善衬底基板和外延层界面之间的折射率差，增加光出射的几率，保证光的提取效率。

【技术实现步骤摘要】
一种图形化复合衬底和LED外延片
本技术实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种图形化复合衬底和LED外延片。
技术介绍
因蓝宝石具有良好的稳定性能，且其生产技术成熟，因而成为目前异质外延GaN应用最广泛的衬底材料之一。图形化蓝宝石衬底中的图形对LED器件效率的提高主要表现在两个方面：一方面，图形化蓝宝石衬底表面的微结构改变了光线出射路径，提高了光线提取效率；另一方面，图形化蓝宝石衬底表面的微结构可以降低GaN外延材料中的线位错密度，提高晶体质量和内量子效率。目前，传统类型的图形化蓝宝石衬底的图形形貌主要为凸起的圆锥形，其制作方法是通过等离子体干法刻蚀蓝宝石平片表面的圆柱形胶柱进而达到图形转移的目的，但凸起型圆锥形蓝宝石衬底存在以下两个缺点：(1)为获得形貌对称、侧弧平滑的圆锥体，干法刻蚀一般为“过刻蚀”。一方面，图形底部不可避免地存在一定程度的“凹坑”，而C面不平将造成外延缺陷增加；另一方面，由于离子直接轰击，蓝宝石衬底表面会造成一定的污染和损伤，同样不利于外延层材料质量的提高。(2)蓝宝石衬底材料为单一的三氧化二铝，光从有源区进入蓝宝石衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图形化复合衬底，其特征在于，包括：/n衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；/n异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。/n

【技术特征摘要】
1.一种图形化复合衬底，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；
异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。


2.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，
所述异质微结构的上表面与所述衬底基板的上表面齐平，且所述异质微结构的底部与所述凹洞底部形成中空结构。

【专利技术属性】
技术研发人员：陆前军，张剑桥，康凯，肖桂明，王子荣，吴伟，曾广艺，
申请(专利权)人：东莞市中图半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44