具有由单胞构造的台面的发光二极管制造技术

一种发光器件包括n半导体结构、p半导体结构和夹设其间的发光有源区。通过移除p半导体结构的和发光有源区的第一部分来形成n沟槽以暴露n半导体结构。n沟槽包围p台面，其包含n半导体结构的、p半导体结构的和发光有源区的第二部分。n沟槽和p台面是路径连通空间并且使用光刻掩模来经由光刻和蚀刻形成，所述光刻掩模是经由合并单胞的选自单胞的平移、旋转和反射变换体中的至少两种不同变换体而拓扑构造的。

Led with a mesa constructed of cells

【技术实现步骤摘要】
具有由单胞构造的台面的发光二极管
本申请一般涉及半导体发光技术，更具体地，涉及一种具有由单胞构造的台面的发光二极管以及具有对发光器件的发光层均匀电流注射的台面结构的形成。
技术介绍
诸如InN、GaN、AlN的氮化物半导体及其取决于合金组分的三元和四元合金，可实现从410nm到大约200nm的紫外(UV)辐射。这些包括UVA(400-315nm)辐射、UVB(315-280nm)辐射和部分UVC(280-200nm)辐射。UVA辐射正在引发固化行业的变革，UVB和UVC辐射由于其杀菌效果正期待在食品、水和表面消毒业中普遍应用。与诸如汞灯的传统UV光源相比，由氮化物制成的UV光发射器具有内在优势。通常，氮化物UV发射器是坚固的、紧凑的、光谱可调节的且环境友好的。其提供高UV光强度和剂量，从而有助于对水、空气、食品和物体表面进行理想的消毒/杀菌处理。进一步地，氮化物UV光发射器的光输出可以以高达几百兆赫的高频进行调制，从而确保其能够作为物联网、隐蔽通信和生物化学检测的创新光源。参照图1B，现有技术的UV发光二极管(LED)通常采用层压结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，包括n半导体结构、p半导体结构和夹设其间的发光有源区；/n其中，通过移除p半导体结构的和发光有源区的第一部分来形成n沟槽以暴露n半导体结构，并且n沟槽包围p台面，所述p台面包含n半导体结构的、p半导体结构的和发光有源区的第二部分；/n其中，n沟槽和p台面是路径连通空间并且使用光刻掩模来经由光刻和蚀刻形成，所述光刻掩模是经由合并单胞的选自所述单胞的平移变换体、旋转变换体和反射变换体中的至少两种不同变换体而拓扑构造的；/n其中，所述合并是平移操作，经由平移单胞的变换体以允许最邻近的平行的部分重叠，以便形成路径连接的零亏格重叠区域。/n

【技术特征摘要】
20181212 US 16/218,3811.一种发光器件，包括n半导体结构、p半导体结构和夹设其间的发光有源区；
其中，通过移除p半导体结构的和发光有源区的第一部分来形成n沟槽以暴露n半导体结构，并且n沟槽包围p台面，所述p台面包含n半导体结构的、p半导体结构的和发光有源区的第二部分；
其中，n沟槽和p台面是路径连通空间并且使用光刻掩模来经由光刻和蚀刻形成，所述光刻掩模是经由合并单胞的选自所述单胞的平移变换体、旋转变换体和反射变换体中的至少两种不同变换体而拓扑构造的；
其中，所述合并是平移操作，经由平移单胞的变换体以允许最邻近的平行的部分重叠，以便形成路径连接的零亏格重叠区域。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述单胞拓扑地为亏格等于零的二维路径连通空间。


3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，n接触金属形成在暴露于n沟槽中的n半导体的第一部分上，以及p接触金属形成在p台面上。


4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述n接触金属包含n接触焊盘，所述n接触焊盘用于形成电接触至外部电源。


5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述n接触焊盘位于p台面的一侧。


6.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述n接触焊盘位于p台面的中心。


7.根据权利要求5所述的发光器件，其中，在n接触焊盘中至少形成一个平衡台面，所述平衡台面具有与p台面相同的高度。


8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述平衡台...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑平，周瓴，陆内夫·亚历山大，高英，
申请(专利权)人：博尔博公司，
类型：发明
国别省市：美国;US