发光元件及包括其的发光模块制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件及包括其的发光模块。发光模块包括安装基板、多个发光芯片、及多个导电性接着部，发光芯片中的每一者包括第一基板、第一发光部、与第一基板隔开配置的第二基板、第二发光部，且第一基板的一侧面包括第一改质面，与第一基板的一侧面相对的第二基板的一侧面包括第二改质面，第一改质面包括沿所述第一基板的厚度方向延长的改质区及配置在改质区之间的断裂区，第二改质面包括沿第二基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区，第一改质面的断裂区中的每一者的宽度与第二改质面的断裂区中的每一者的宽度相同。

Light emitting elements and light emitting modules thereof

【技术实现步骤摘要】
发光元件及包括其的发光模块
本专利技术涉及一种发光元件及包括其的发光模块，更详细而言涉及一种氮化物系发光元件及包括其的发光模块。
技术介绍
发光二极管是无机光源，以各种方式应用于如显示装置、车用灯、普通照明等各种领域。发光二极管具有寿命长、电力消耗低、响应速度快的优点，因此正快速地代替现有的光源。发光二极管在形成在如蓝宝石等晶片上后，通过切片(dicing)工艺分离为发光芯片。以下，对从晶片分离发光芯片的工艺进行说明。图1是用于说明为了制造晶片而对晶锭(ingot)进行切断的方法的剖面图，图2是用于说明图1的晶片的剖面图。参照图1，使晶锭(ingot)沿c-轴生长，切断晶锭进行加工，形成具有平坦区(flatzone，FZ)的晶片WF。由于在切断晶锭时偏离(offaxis)c-轴特定角度θ进行切断，因此对晶片WF进行切晶(dicing)进行芯片分割时，会使从芯片暴露出的m面相对于芯片的上表面变得倾斜。参照图2，在晶片WF中，与平坦区FZ的延长方向并列的方向为m-轴。将m-轴方向称为第一方向DR1，将与m-轴垂直的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光模块，包括：/n安装基板；/n多个发光芯片，安装于所述安装基板上；以及/n多个接垫，配置在所述发光芯片与所述安装基板之间，且/n所述发光芯片中的每一者包括：/n第一基板；/n第一发光部，配置在所述第一基板的一面；/n第二基板，与所述第一基板隔开配置；以及/n第二发光部，配置在所述第二基板的一面，且/n所述第一基板的一侧面包括第一改质面，与所述第一基板的所述一侧面相对的第二基板的一侧面包括第二改质面，/n所述第一改质面包括沿所述第一基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区，/n所述第二改质面包括沿所述第二基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区，/n所...

【技术特征摘要】
20181121 KR 10-2018-01448721.一种发光模块，包括：
安装基板；
多个发光芯片，安装于所述安装基板上；以及
多个接垫，配置在所述发光芯片与所述安装基板之间，且
所述发光芯片中的每一者包括：
第一基板；
第一发光部，配置在所述第一基板的一面；
第二基板，与所述第一基板隔开配置；以及
第二发光部，配置在所述第二基板的一面，且
所述第一基板的一侧面包括第一改质面，与所述第一基板的所述一侧面相对的第二基板的一侧面包括第二改质面，
所述第一改质面包括沿所述第一基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区，
所述第二改质面包括沿所述第二基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区，
所述第一改质面的断裂区中的每一者的宽度与所述第二改质面的断裂区中的每一者的宽度相同。


2.根据权利要求1所述的发光模块，其中
所述改质区中的每一者通过激光照射而改质。


3.根据权利要求1所述的发光模块，其中
所述断裂区中的每一者的宽度大于所述改质区中的每一者的宽度。


4.根据权利要求1所述的发光模块，其中
与所述第一基板的所述一侧面相邻的另一侧面包括第三改质面，
所述第三改质面包括沿所述第一基板的所述厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区。


5.根据权利要求4所述的发光模块，其中
所述第一改质面的所述断裂区中的每一者的宽度小于所述第三改质面的所述断裂区中的每一者的宽度。


6.根据权利要求5所述的发光模块，其中
在所述第一基板包含蓝宝石的情况下，
所述第一基板的所述一侧面包括m面及相对于m面倾斜的面，
所述第一基板的另一侧面包括a面及相对于a面倾斜的面。


7.根据权利要求4所述的发光模块，其中
所述第三改质面的所述断裂区具有第一宽度，
所述第三改质面还包括切断区，所述切断区位在所述一侧面与所述另一侧面相遇的隅角与距所述隅角最近的改质区之间且具有小于所述第一宽度的第二宽度。


8.根据权利要求1所述的发光模块，其中
所述第一基板的所述一侧面与所述第一基板和所述第一发光部之间的界面具有88.5度至91.5度的倾斜度。


9.根据权利要求1所述的发光模块，其中
所述第二基板的所述一侧面与所述第二基板和所述第二发光部之间的界面具有88.5度至91.5度的倾斜度。


10.根据权利要求1所述的发光模块，其中
所述第一改质面的所述断裂区具有第一宽度，
所述第一改质面还包括切断区，所述切断区位在所述一侧面与和所述一侧面相邻的另一侧面相遇的隅角与距所述隅角最近的改质区之间且具有小于所述第一宽度的第二宽度。


11.根据权利要求1所述的发光模块，其中
所述第一发光部包括：
第一导电型半导体层，配置在所述第一基板的所述一面；
有源层，配置在所述第一导电型半导体层上并使所述第一导电型半导体层的一部分暴露出；
第二导电型半导体层，配置在所述有源层上并使所述第一导电型半导体层的一部分暴露出；
第一反射膜，覆盖所述第一基板、所述第一导电型半导体层、所述有源层、及所述第二导电型半导体层，且具有使所述第一导电型半导体层及所述第二导电型半导体层暴露出的第一孔及第二孔；
第一接垫，配置在所述第一反射膜上，通过所述第一孔而与所述第一导电型半导体层电连接；以及
第二接垫，配置在所述第一反射膜上，通过所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李珍雄，金京完，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR