发光元件及包括此的发光装置制造方法及图纸

提供一种发光元件及包括此的发光装置。包括第一侧面及长度小于第一侧面的长度的第二侧面的发光元件，包括：基板，包括在基板上表面形成的多个凸出部；发光结构体，位于基板上，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层，其中，多个凸出部布置为蜂窝图案，多个凸出部包括第一凸出部及邻近于第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二至第七凸出部，第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°，第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°，第一矢量线至第三矢量线中的至少一条矢量线的每单位长度的凸出部的线密度大于与第一侧面平行的任意的线的每单位长度的凸出部的线密度。

Light emitting elements and light emitting devices including them

【技术实现步骤摘要】
发光元件及包括此的发光装置本申请是申请日为2016年9月23日、申请号为201680055897.5、题为“发光元件及包括此的发光装置”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光元件及包括此的发光装置，尤其是一种包括包含布置为具有预定取向性的凸出部的基板的发光元件及包括此的发光装置。
技术介绍
由氮化物系半导体形成的发光元件生长于能够外延生长氮化物系半导体的生长基板上，进而被提供。氮化物系半导体可以在诸如蓝宝石基板、SiC基板、硅基板、ZnO基板等的异种(heterogeous)基板或者诸如GaN基板的同种(homogeneous)基板上生长。尤其，由于蓝宝石熔点非常高，耐湿式蚀刻性强，价格低廉，因此被广泛用作氮化物系半导体的生长基板。最近，对这样的蓝宝石基板的表面进行图案化而形成预定图案的图案化蓝宝石基板(PSS：patternedsapphiresubstrate)被用作用于制造发光元件的生长基板。PSS的图案提高发光元件的光提取效率，并改善氮化物系半导体的外延生长工艺，从而提高结晶性。
技术实现思路
技术问题本专利技术所要解决的课题在于，提供一种基板(例如，PSS)的多个凸出部具有预定的取向性从而提高了发光效率的发光元件。本专利技术所要解决的又一课题在于，提供一种通过使多个凸出部的取向方向与发光元件布置的方向具有特定关系从而提高了发光效率的发光装置。技术方案根据本专利技术的一实施例的发光元件，包括第一侧面以及长度小于所述第一侧面的长度的第二侧面的发光元件，并且包括：基板，包括在基板上表面形成的多个凸出部；以及发光结构体，位于所述基板上，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层，其中，所述多个凸出部布置为蜂窝图案，且所述多个凸出部包括第一凸出部以及邻近于所述第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二凸出部至第七凸出部，并且从所述第一凸出部的中心向第二凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第一矢量线，从所述第一凸出部的中心向第四凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第二矢量线，从所述第一凸出部的中心向第六凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第三矢量线，所述第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°，所述第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°，所述第一矢量线至第三矢量线中的至少一条矢量线与所述第一侧面形成的角θ为15°以上45°以下。根据本专利技术的另一实施例的发光装置，包括：主体部，包括基底部及侧壁部；第一引线架及第二引线架，固定于所述主体部；以及发光元件，位于所述基底部上，且包括第一侧面以及长度小于所述第一侧面的长度的第二侧面，其中，所述发光元件包括：基板，包括在基板上表面形成的多个凸出部；以及发光结构体，位于所述基板上，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层，其中，所述多个凸出部布置为蜂窝图案，且所述多个凸出部包括第一凸出部以及邻近于所述第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二凸出部至第七凸出部，从所述第一凸出部的中心向第二凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第一矢量线，从所述第一凸出部的中心向第四凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第二矢量线，从所述第一凸出部的中心向第六凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第三矢量线，所述第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°，所述第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°，所述第一矢量线至第三矢量线中的至少一条矢量线与所述第一侧面形成的角θ为15°以上45°以下。有益效果根据实施例，多个凸出部与发光元件的具有相对较大的长度的侧面的关系以具有预定的角度的形式具有取向性，从而能够增加向发光元件的具有相对较大的长度的侧面发射的光量。并且，能够提供包括所述发光元件的发光装置，并且通过发光元件的电极与布线的布线关系而提供发光效率优异的发光装置。附图说明图1至图3是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光装置的立体图、平面图及剖面图。图4至图6是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光元件及发光装置的平面图及剖面图。图7至图12是用于说明根据本专利技术的实施例的基板的凸出部的方向性及布置的示意图。图13至图15是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光装置的立体图、平面图及剖面图。图16及图17是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光装置的平面图及剖面图。具体实施方式根据本专利技术的实施例的发光元件及发光装置可以实现为多种形态。根据本专利技术的多种方面的发光元件，包括第一侧面以及长度小于所述第一侧面的长度的第二侧面，并且包括：基板，包括在基板上表面形成的多个凸出部；以及发光结构体，位于所述基板上，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层，其中，所述多个凸出部布置为蜂窝图案，且所述多个凸出部包括第一凸出部以及邻近于所述第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二凸出部至第七凸出部，并且从所述第一凸出部的中心向第二凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第一矢量线，从所述第一凸出部的中心向第四凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第二矢量线，从所述第一凸出部的中心向第六凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第三矢量线，所述第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°，所述第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°，所述第一矢量线至第三矢量线中的至少一条矢量线与所述第一侧面形成的角θ为15°以上45°以下。所述θ可以为30°。所述凸出部可以具有下表面为圆形的音盆状或圆锥形的形态。所述第一矢量线至第三矢量线的每单位长度的凸出部的线密度可以大于与所述第一侧面平行的任意的线的每单位长度的凸出部的线密度。所述发光元件还可以包括电连接于所述第一导电型半导体层的第一电极以及电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极。所述第一电极可以包括第一电极焊盘，所述第二电极可以包括第二电极焊盘，且所述第一电极焊盘及所述第二电极焊盘中的一个可以邻近于所述第二侧面而布置。所述发光元件可以具有矩形的平面形状。包括所述凸出部的基板可以为图案化蓝宝石基板。根据本专利技术的其他多种方面的发光装置，包括：主体部，包括基底部及侧壁部；第一引线架及第二引线架，固定于所述主体部；以及发光元件，位于所述基底部上，且包括第一侧面以及长度小于所述第一侧面的长度的第二侧面，其中，所述发光元件包括：基板，包括在基板上表面形成的多个凸出部；以及发光结构体，位于所述基板上，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层，其中，所述多个凸出部布置为蜂窝图案，且所述多个凸出部包括第一凸出部以及邻近于所述第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二凸出部至第七凸出部，从所述第一凸出部的中心向第二凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，包括第一侧面以及长度小于所述第一侧面的长度的第二侧面，其中，包括：/n基板，包括在基板上表面形成的多个凸出部；以及/n发光结构体，位于所述基板上，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层，/n其中，所述多个凸出部布置为蜂窝图案，且所述多个凸出部包括第一凸出部以及邻近于所述第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二凸出部至第七凸出部，/n从所述第一凸出部的中心向第二凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第一矢量线，从所述第一凸出部的中心向第四凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第二矢量线，从所述第一凸出部的中心向第六凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第三矢量线，/n所述第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°，所述第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°，/n所述第一矢量线(L1)、第二矢量线(L2)、第三矢量线(L3)中的至少一条矢量线的每单位长度的凸出部的线密度大于与所述第一侧面平行的任意的线的每单位长度的凸出部的线密度。/n

【技术特征摘要】
20150924 KR 10-2015-01352681.一种发光元件，包括第一侧面以及长度小于所述第一侧面的长度的第二侧面，其中，包括：
基板，包括在基板上表面形成的多个凸出部；以及
发光结构体，位于所述基板上，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的活性层，
其中，所述多个凸出部布置为蜂窝图案，且所述多个凸出部包括第一凸出部以及邻近于所述第一凸出部且以相同的距离与第一凸出部隔开的第二凸出部至第七凸出部，
从所述第一凸出部的中心向第二凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第一矢量线，从所述第一凸出部的中心向第四凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第二矢量线，从所述第一凸出部的中心向第六凸出部的中心的方向延伸的矢量线被定义为第三矢量线，
所述第一矢量线与第二矢量线形成的角为120°，所述第二矢量线与第三矢量线形成的角为120°，
所述第一矢量线(L1)、第二矢量线(L2)、第三矢量线(L3)中的至少一条矢量线的每单位长度的凸出部的线密度大于与所述第一侧面平行的任意的线的每单位长度的凸出部的线密度。


2.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述第一矢量线至第三矢量线中的至少一条矢量线与所述第一侧面形成的角θ为30°。


3.如权利要求1所述的发光元件，其中，
所述凸出部具有下表面为圆形的音盆状或圆锥形的形态。


4.如权利要求1所述的发光元件，其中，还包括：
电连接于所述第一导电型半导体层的第一电极以及电连接于所述第二导电型半导体层的第二电极。


5.如权利要求4所述的发光元件，其中，
所述第一电极包括第一电极焊盘，所述第二电极包括第二电极焊盘，
所述第一电极焊盘及所述第二电极焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锦珠，李剡劤，尹俊皓，郭雨澈，张三硕，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR