一种LED外延片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种LED外延片及其制备方法，包括：提供衬底；对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理，以在所述衬底表面形成翘曲控制层，其中所述氮化气体至少包括氨气；在所述翘曲控制层表面依次形成N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。对衬底进行加热，并采用氮化气体对衬底进行氮化处理，使得氨气与衬底表面的一些化学键结合，形成晶格常数介于衬底和半导体层中间的物质即翘曲控制层，减少衬底和半导体层之间因晶格失配产生的压应力或张应力，进而减小和改变LED外延片的翘曲，提高LED外延片的波长均匀性，提高LED外延片的良率，节约后续形成的LED芯片的分选成本。

A kind of LED epitaxial chip and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种LED外延片及其制备方法
本专利技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种LED外延片及其制备方法。
技术介绍
LED外延片是指在蓝宝石、硅等衬底基片上生长出的外延结构。LED外延片处于LED产业链中的上游环节，是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。近年来，下游应用市场的繁荣带动LED产业迅猛发展，也给LED外延片市场迎来发展良机。为了节约生产成本，现有的LED外延片的尺寸由2英寸扩大到4英寸，甚至6英寸、8英寸，但是，随着LED外延片尺寸的增加，LED外延片的生长也面临着很多困难，如由于晶格失配导致的LED外延片翘曲过大等，严重影响着LED外延片的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种LED外延片及其制备方法，以解决LED外延片面对的翘曲过大的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种LED外延片的制备方法，包括：提供衬底；对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理，以在所述衬底表面形成翘曲控制层，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED外延片的制备方法，其特征在于，包括：/n提供衬底；/n对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理，以在所述衬底表面形成翘曲控制层，其中所述氮化气体至少包括氨气；/n在所述翘曲控制层表面依次形成N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED外延片的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
对所述衬底进行加热，并采用氮化气体对所述衬底进行氮化处理，以在所述衬底表面形成翘曲控制层，其中所述氮化气体至少包括氨气；
在所述翘曲控制层表面依次形成N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化气体为氨气与氢气的混合气体；
或者，所述氮化气体为氨气与氮气的混合气体；
或者，所述氮化气体为氨气、氢气和氮气的混合气体。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化气体的总流量为20SLM～600SLM；
其中，氢气的流量0SLM～300SLM，包括端点值，氮气的流量7SLM～600SLM，包括端点值，氨气的流量是1SLM～220SLM，包括端点值；
或者，氢气的流量7SLM～300SLM，包括端点值，氮气的流量0SLM～600SLM，包括端点值，氨气的流量是1SLM～220SLM，包括端点值。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，氨气、氮气和氢气的比例为1:0:300～1:0.1:1；
或者，氨气、氮气和氢气的比例为1:600:0～1:0.1:1。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕龙，霍丽艳，吴洪浩，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36