发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片技术

本公开公开了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。生长方法包括：将衬底放在反应室内的承载盘上；在所述衬底上依次生长低温缓冲层和高温外延层；控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述高温外延层上生长第一N型半导体层；对所述承载盘的转向和转速进行多个阶段的调整，在所述第一N型半导体层上生长第二N型半导体层；其中，所述承载盘的转向在相邻两个所述阶段中相反，所述承载盘的转速在各个所述阶段中逐渐增大；控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述第二N型半导体上生长第三N型半导体层；在所述第三N型半导体层上依次有源层和P型半导体层。本公开可以修复贯穿线缺陷。

Growth method of LED epitaxial wafer and LED epitaxial wafer

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片
本公开涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)作为高效、环保、绿色的新一代固态照明光源。LED具有低电压、低功耗、体积小、重量轻、寿命长、高可靠性等优点，已经在显示屏中得到大规模使用。目前白光主要是采用蓝光叠加荧光粉获得，而LED的主要发光部分是LED芯片中的外延层，产生蓝光的外延材料主要是氮化镓材料。这是一种宽禁带的半导体材料，其禁带宽度约3.4eV，可以满足光子能量较高的蓝光产生条件，因而获得了大量应用。目前氮化镓外延的传统结构是在图形化蓝宝石衬底(英文：PatternedSapphireSubstrate，简称：PSS)上依次生长低温AlN缓冲层、低温GaN缓冲层、高温GaN层、重掺杂的N型GaN层、超晶格应力释放层、多量子阱层(英文：MultipleQuantumWell，简称：MQW)、高势垒电子阻挡层、P型GaN层、P型InGaN层。其中，低温AlN缓冲层和低温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：/n将衬底放在反应室内的承载盘上；/n在所述衬底上依次生长低温缓冲层和高温外延层；/n控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述高温外延层上生长第一N型半导体层；/n对所述承载盘的转向和转速进行多个阶段的调整，在所述第一N型半导体层上生长第二N型半导体层；其中，所述承载盘的转向在相邻两个所述阶段中相反，所述承载盘的转速在各个所述阶段中逐渐增大；/n控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述第二N型半导体上生长第三N型半导体层；/n在所述第三N型半导体层上依次有源层和P型半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
将衬底放在反应室内的承载盘上；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层和高温外延层；
控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述高温外延层上生长第一N型半导体层；
对所述承载盘的转向和转速进行多个阶段的调整，在所述第一N型半导体层上生长第二N型半导体层；其中，所述承载盘的转向在相邻两个所述阶段中相反，所述承载盘的转速在各个所述阶段中逐渐增大；
控制所述承载盘沿设定方向以设定转速转动，在所述第二N型半导体上生长第三N型半导体层；
在所述第三N型半导体层上依次有源层和P型半导体层。


2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，在相邻两个所述阶段中，所述承载盘的转速在后一个所述阶段中的最小值在前一个所述阶段中的最小值和最大值之间，在后一个所述阶段中的最大值大于在前一个所述阶段中的最大值。


3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，在相邻两个所述阶段之间，所述生长方法还包括：
停止向所述反应室内通入反应气体，将沿第一方向转动的承载盘的转速从前一个所述阶段中的最大值逐渐降低至0；
将所述承载盘沿第二方向转动，并将所述承载盘的转速逐渐升高至后一个所述阶段中的最小值，所述第二方向与所述第一方向相反。


4.根据权利要求1～3任一项所述的生长方法，其特征在于，所述承载盘的转速在各个所述阶段中增大的速率逐渐减小。


5.根据权利要求1～3任一项所述的生长方法，其特征在于，所述反应室内的温度在各...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，吴志浩，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33