【技术实现步骤摘要】
发光元件
本技术涉及一种发光元件，更为详细地涉及一种层叠有多个发光层的发光元件。
技术介绍
发光二极管作为无机光源，广泛地利用于如显示装置、车辆用灯具、一般照明等各种领域。发光二极管具有寿命较长、耗电量低、响应速度快的优点，从而正快速地取代现有光源。尤其，显示装置一般利用蓝色、绿色及红色的混合色实现多种颜色。显示装置的每个像素具备蓝色、绿色及红色的子像素，并通过这些子像素的颜色而限定特定像素的颜色，并且借由这些像素的组合实现图像。发光二极管在显示装置中主要作为背光光源而使用。然而，最近正在开发利用发光二极管直接实现图像的新一代显示器的微发光二极管(microLED)。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种光再现性优异的发光元件。本技术期望解决的问题并不限于以上所提及的问题，本领域技术人员可以通过下面的记载而明确理解未提及的其他问题。为了达成期望解决的问题，根据本技术的实施例的一种发光元件，根据实施例，包括：第一发光部，包括第一n型半导体层、第一活性层以及第一p型半...
【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：/n第一发光部，包括第一n型半导体层、第一活性层以及第一p型半导体层；/n第二发光部，在所述第一发光部的一面上包括第二n型半导体层、第二活性层以及第二p型半导体层；/n第三发光部，在所述第二发光部的一面上包括第三n型半导体层、第三活性层以及第三p型半导体层；/n第一接触结构物，接触于所述第二n型半导体层的一面；以及/n第二接触结构物，接触于所述第二n型半导体层的另一面。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20180914 US 62/731,206;20190905 US 16/561,2561.一种发光元件，其特征在于，包括：
第一发光部，包括第一n型半导体层、第一活性层以及第一p型半导体层；
第二发光部，在所述第一发光部的一面上包括第二n型半导体层、第二活性层以及第二p型半导体层；
第三发光部，在所述第二发光部的一面上包括第三n型半导体层、第三活性层以及第三p型半导体层；
第一接触结构物，接触于所述第二n型半导体层的一面；以及
第二接触结构物，接触于所述第二n型半导体层的另一面。
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第一接触结构物朝所述第一发光部内部延伸而与所述第一n型半导体层电接触，
所述第二接触结构物朝所述第二发光部内部延伸而与所述第三n型半导体层电接触。
3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，还包括：
第三接触结构物，朝所述第三发光部内部延伸而与所述第三n型半导体层电接触。
4.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，还包括：
共同垫，布置于所述发光元件的第一拐角，并与借由所述第一接触结构物至第三接触结构物彼此电连接的第一n型半导体层至第三n型半导体层电连接；
第一垫，布置于所述发光元件的第二拐角，并与所述第一p型半导体层电连接；
第二垫，布置于所述发光元件的第三拐角，并与所述第二p型半导体层电连接；
第三垫，布置于所述发光元件的第四拐角，并与所述第三p型半导体层电连接。
5.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，
所述第二发光部具有所述第二拐角部分被去除的台面结构，
所述第三发光部具有所述第二拐角以及第三拐角部分被去除的台面结构。
6.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，还包括：
第一粘贴层，围绕所述第一接触结构物的外侧壁并朝所述第一p型半导体层上部延伸；
第一滤色器，围绕所述第一粘贴层的外侧壁并朝所述第一p型半导体层上部延伸；
第二粘贴层，围绕所述第二接触结构物的外侧壁并朝所述第二p型半导体层上部延伸；以及
第二滤色器，围绕所述第二粘贴层的外侧壁并朝所述第二p型半导体层上部延伸。
7.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第一接触结构物朝所述第二发光部内部延伸，
所述第二接触结构物朝所述第三发光部内部延伸而与所述第三n型半导体层电连接。
8.如权利要求7所述的发光元件，其特征在于，
所述第一接触结构物的一面与所述第二n型半导体层电接触，
所述第一接触结构物的另一面与所述第一n型半导体层电接触。
9.如权利要求7所述的发光元件，其特征在于，还包括：
共同垫，布置于所述发光元件的第一拐角，并与借由第一接触结构物以及第二接触结构物彼此电连接的所述第一n型半导体层至第三n型半导体层电连接；
第一垫，布置于所述发光元件的第二拐角，并与所述第一p型半导体层电连接；
第二垫，布置于所述发光元件的第三拐角，并与所述第二p型半导体层电连接；
第三垫，布置于所述发光元件的第四拐角，并与所述第三p型半导体层电连接。
技术研发人员：张锺敏，金彰渊，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR
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