一种正装集成单元二极管芯片制造技术

本发明专利技术提供一种正装集成单元二极管芯片，包括第一导电类型焊盘、第二导电类型焊盘以及二极管台面结构，第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘沿x轴方向间隔设置，二极管台面结构包括多个二极管单元，二极管单元沿y轴方向的宽度在y轴方向上从正装集成单元二极管芯片的中间往两边逐渐变小。本发明专利技术通过不均匀的台面结构设计，获得超均匀的电流分布，热分布，波长分布，以及窄半高的高质量LED光源，解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。

A diode chip with integrated unit

【技术实现步骤摘要】
一种正装集成单元二极管芯片
本专利技术涉及半导体材料和器件工艺领域，特别是半导体光电器件。
技术介绍
常规的正装集成单元二极管芯片，电流扩散不均匀，导致发光效率的损失，现有结构下的二极管单元二极管芯片散热通过蓝宝石衬底实现，散热性较差，从而影响单元二极管芯片的效率和稳定性，因此通常正装发光二极管单元二极管芯片主要的应用领域为0.5瓦以下的中小功率单元二极管芯片市场，无法提供单位面积流明输出高的产品。电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀，导致其在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上有极大的局限性，目前市场上的整装二极管技术无法提供有效的解决方案。现有技术一为专利公开号为US6614056B1的美国专利申请，如图1所示，21/23为N型电极，19/20ab为P型电极。电流的扩散的机理如下：ITO(氧化铟锡)与p-GaN形成欧姆接触后，在ITO上沉积19/20ab金属，通过电极线的方式，将空穴扩散到p-GaN，到达量子阱有源区，在量子阱有源区与21/22N型电极扩散过来的电子通过辐射复合发光，获得发光的LED器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述正装集成单元二极管芯片包括第一导电类型焊盘、第二导电类型焊盘以及二极管台面结构，所述第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘沿x轴方向间隔设置，所述二极管台面结构包括多个二极管单元，所述二极管单元沿y轴方向的宽度在所述y轴方向上从所述正装集成单元二极管芯片的中间往两边逐渐变小。/n

【技术特征摘要】
1.一种正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述正装集成单元二极管芯片包括第一导电类型焊盘、第二导电类型焊盘以及二极管台面结构，所述第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘沿x轴方向间隔设置，所述二极管台面结构包括多个二极管单元，所述二极管单元沿y轴方向的宽度在所述y轴方向上从所述正装集成单元二极管芯片的中间往两边逐渐变小。


2.根据权利要求1所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述多个二极管单元沿所述x轴方向的长度沿所述x轴方向从所述第一导电类型焊盘到所述第二导电类型焊盘逐渐变小。


3.根据权利要求2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述x轴方向为所述正装集成单元二极管芯片的长度方向，所述y轴方向为所述正装集成单元二极管芯片的宽度方向。


4.根据权利要求2所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所述正装集成单元二极管芯片进一步包括第一导电类型电极线和第二导电类型电极线，所述第一导电类型电极线和第二导电类型电极线沿所述x轴方向延伸，且沿所述y轴方向间隔设置。


5.根据权利要求4所述的正装集成单元二极管芯片，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋振宇，闫春辉，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44