具有光散射图案的发光二极管制造技术

提供一种具有光散射图案的发光二极管。根据本发明专利技术的一实施例的发光二极管包括：基板；半导体叠层，布置在基板上，并包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；以及光散射件的图案，布置在基板和半导体叠层之间，光散射件包括折射率彼此不同的介电层，并具有半球形状、炮弹形状或锥形状。

Light emitting diode with light scattering pattern

【技术实现步骤摘要】
具有光散射图案的发光二极管
本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及具有光散射图案的发光二极管。
技术介绍
发光二极管用于大型背光单元(BackLightUnit：BLU)、普通照明及电场等多种产品，此外，广泛用于小型家电产品及室内装修产品。另一方面，为了提供高效的发光二极管，提高发光二极管的外部量子效率的多种研究一直在进行。尤其，图案化的蓝宝石基板适用于提高光萃取效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题是提供一种发光二极管，该发光二极管具有高的光萃取效率。本专利技术所要解决的另一个课题是提供一种发光二极管，该发光二极管能够与基板侧面方向相比增加向基板顶面方向发出的光量。根据本专利技术的一实施例的发光二极管包括：基板；半导体叠层，布置在所述基板上，并包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；以及光散射件的图案，布置在所述基板和所述半导体叠层之间，所述光散射件包括折射率彼此不同的介电层，并具有半球形状、炮弹形状或锥形状。根据本专利技术的再其它实施例的发光二极管包括：基板；半导体叠层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括：/n基板；/n半导体叠层，布置在所述基板上，并包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；以及/n光散射件的图案，布置在所述基板和所述半导体叠层之间，/n所述光散射件包括折射率彼此不同的介电层，并具有半球形状、炮弹形状或锥形状。/n

【技术特征摘要】
20180813 KR 10-2018-00945241.一种发光二极管，包括：
基板；
半导体叠层，布置在所述基板上，并包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；以及
光散射件的图案，布置在所述基板和所述半导体叠层之间，
所述光散射件包括折射率彼此不同的介电层，并具有半球形状、炮弹形状或锥形状。


2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述光散射件的锥形状包括圆锥形状、三角锥形状、侧面鼓起的圆锥形状、底面盾形且侧面鼓起的三角锥形状、弹道形圆锥形状或下方侧面鼓起的弹道形圆锥形状。


3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，
具有与折射率彼此不同的所述介电层相同物质层及相同厚度的分布布拉格反射器的反射带宽的带宽宽度为40nm以上，
从所述活性层发出的光的峰值波长位于所述带宽宽度内。


4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，
所述光的峰值波长位于距所述带宽宽度区域的中心为所述带宽宽度的±10％以内。


5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，
具有与折射率彼此不同的所述介电层相同物质层及相同厚度的分布布拉格反射器的反射带宽的带宽宽度为70nm以上。


6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中，
具有与折射率彼此不同的所述介电层相同物质层及相同厚度的分布布拉格反射器的反射带宽的带宽宽度为90nm以上。


7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，
具有与折射率彼此不同的所述介电层相同物质层及相同厚度的分布布拉格反射器的最大反射率在20％至90％范围内。


8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中，
具有与折射率彼此不同的所述介电层相同物质层及相同厚度的分布布拉格反射器的最大反射率在20％至55％范围内。


9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，
具有与折射率彼此不同的所述介电层相同物质层及相同厚度的分布布拉格反射器的最大反射率在20％至45％范围内。


10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述发光二极管还包括核层，所述核层位于所述基板和所述半导体叠层之间，
所述核层由AlN或Al2O3形成。


11.根据权利要求10所述的发光二极管，其中，
所述核层由...

【专利技术属性】
技术研发人员：许暋赞，金在权，蔡钟炫，许珍又，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR