【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种倒装LED芯片及其制作方法。
技术介绍
倒装LED芯片是近几年新型态的LED，主要功能在于无封装制程，大幅节省生产效能，可应用在大电流上，更可以实现超微小mini型态的LED。参见图1，传统的倒装LED芯片包括依次设于衬底10上的AlN层11、缓冲层12、外延层20、透明导电层30、反射层40、阻挡层50、钝化层60、第一电极71和第二电极72，传统倒装LED芯片的出光面为衬底一侧，现有的衬底一般为蓝宝石衬底，外延层材料为氮化镓材料，为了减少蓝宝石衬底和外延层之间的晶格失配，在形成外延层之前，需要在蓝宝石衬底上形成AlN层、缓冲层等结构，上述结构统称为大量体材料，这些大量体材料会吸收外延层发出的光，从而降低芯片的出光效率。此外，现有的LED背光显示器，由多颗倒装LED芯片拼接而成，由于倒装LED芯片的出光面集中在衬底一侧出射，应倒装LED芯片，背光显示器若要出光均匀，相邻LED芯片之间的距离要足够小，这就需要大量的倒装LED芯片来进...
【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：外延层、透明导电层、反射层、阻挡层、第一钝化层、钝化支撑层、连接电极和焊接电极，所述透明导电层结合在外延层的正面上，所述反射层结合在透明导电层上，所述阻挡层结合在反射层上，所述第一钝化层结合在阻挡层上，所述连接电极结合在第一钝化层上并与外延层导电连接，所述钝化支撑层结合在连接电极和第一钝化层上，所述焊接电极结合在钝化支撑层上并与连接电极导电连接；/n所述钝化支撑层由SiO
【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：外延层、透明导电层、反射层、阻挡层、第一钝化层、钝化支撑层、连接电极和焊接电极，所述透明导电层结合在外延层的正面上，所述反射层结合在透明导电层上，所述阻挡层结合在反射层上，所述第一钝化层结合在阻挡层上，所述连接电极结合在第一钝化层上并与外延层导电连接，所述钝化支撑层结合在连接电极和第一钝化层上，所述焊接电极结合在钝化支撑层上并与连接电极导电连接；
所述钝化支撑层由SiO2、Al2O3和SiNx中的一种或几种制成，厚度为120～170μm，所述钝化支撑层用于支撑芯片并起绝缘的作用；
所述外延层发出的光经过反射层反射后，直接从外延层的背面出射。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述透明导电层设置在第二半导体层和反射层之间，有源层的出光从第一半导体层的背面出射；
所述第一半导体层的背面设有粗化结构，其中，粗化深度为0.8～1.2μm。
3.如权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述连接电极包括第一连接电极和第二连接电极，其中，第一连接电极贯穿第一钝化层、阻挡层、金属反射层和透明导电层，并与第一半导体层连接；所述第二连接电极贯穿第一钝化层和阻挡层，并与金属反射层连接。
4.如权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一钝化层由SiO2、Al2O3和SiNx中的一种或几种制成，厚度为6000～10000埃。
5.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层由Ag或Al制成，厚度为1000～30...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔永进，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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