一种发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种发光二极管及其制作方法，其外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层；首先，通过设置N型电极扩展条与P型电极扩展条在水平方向的位置重叠，减少电极挡光面积；其次，通过在第二隔离层、第三隔离层特定位置设有若干贯穿隔离层的导电通孔，提升电流扩展效果，提高发光效率；通过第一隔离层、第三隔离层，使N型电极绝缘于第一透明导电层及第二透明导电层，有效避免发光二极管的漏电。

A kind of light-emitting diode and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制作方法
本专利技术属于发光二极管领域，更为具体地说，涉及一种发光二极管及其制作方法。
技术介绍
由于发光二极管(LightEmittingDiode，LED)具有亮度高、体积小和耗电量低等优点，因此，发光二极管被视为新一代的照明工具，并且近年来，发光二极管在更多领域也得到了迅速的应用和普及。但是，由于现有的发光二极管的半导体芯片仍然存在着发光效率低的问题，因此，如何提高发光二极管的半导体芯片的发光效率已经成为当今科研领域最重要的课题之一。现有芯片结构还是存在一些问题：如传统正装LED芯片，采用P、N焊台电极和交叉相对的P、N扩展电极来进行电流的传输，存在较大的挡光面积。现有技术中最常见的方法是采用在电极底下区域设置一个电流阻挡区域(介质层)，阻挡焊台电极正下方电流的传输能力，藉此提高非焊台电极区域的电流密度而增加有源层的发光能力，降低焊台电极挡光的问题。但由于采用介质层绝缘，介质层属于氧化物，这些氧化物层的存在，妨碍了半导体和金属层之间均匀的相互作用。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底；/n设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层；/n所述P型半导体层的上表面设有向所述N型半导体层延伸的凹槽，并显露所述N型半导体层；所述凹槽内的所述N型半导体层表面设有N型焊盘电极和N型电极扩展条；所述N型焊盘电极和所述N型电极扩展条形成电连接，构成N型电极，所述N型电极与所述凹槽的侧壁距离设置；/n所述凹槽的侧壁与N型电极之间、所述N型电极扩展条的上表面设有第一隔离层；所述第一隔离层背离N型电极扩展条上表面的一侧及所述P型半导体层上设有第一透明导电层，所述第一透明导电层...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：从下至上依次叠加于所述衬底上的N型半导体层、有源区、P型半导体层；
所述P型半导体层的上表面设有向所述N型半导体层延伸的凹槽，并显露所述N型半导体层；所述凹槽内的所述N型半导体层表面设有N型焊盘电极和N型电极扩展条；所述N型焊盘电极和所述N型电极扩展条形成电连接，构成N型电极，所述N型电极与所述凹槽的侧壁距离设置；
所述凹槽的侧壁与N型电极之间、所述N型电极扩展条的上表面设有第一隔离层；所述第一隔离层背离N型电极扩展条上表面的一侧及所述P型半导体层上设有第一透明导电层，所述第一透明导电层与所述P型半导体层形成电连接；所述第一透明导电层上设有P型电极扩展条和P型焊盘电极,且所述P型焊盘电极和所述P型电极扩展条形成电连接，构成P型电极；
所述N型电极扩展条与所述P型电极扩展条在水平方向的位置重叠；
所述N型电极与所述P型电极之间、所述N型电极与所述第一透明导电层之间的距离设置。


2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述P型半导体层上表面设有第二隔离层；所述第二隔离层设有若干贯穿所述第二隔离层的第一导电通孔；所述第一透明导电层通过所述第一导电通孔设于所述P型半导体层上并与所述P型半导体层形成电连接；所述第一透明导电层与所述N型焊盘电极之间设有所述第一隔离层。


3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述N型电极扩展条的上表面和所述P型半导体层的上表面齐平，所述第二隔离层与所述第一隔离层一体设置。


4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：还包括第三隔离层和第二透明导电层；所述第一透明导电层上表面设有所述第三隔离层；所述第三隔离层对应未设N型电极扩展条的位置设有若干贯穿所述第三隔离层的第二导电通孔；所述第三隔离层上表面设有所述第二透明导电层；所述P型电极扩展条和所述P型焊盘电极设于所述第二透明导电层上；所述第二透明导电层通过所述第二导电通孔设于所述第一透明导电层上并与第一透明导电层形成电连接；所述N型焊盘电极与所述第一透明导电层及所述第二透明导电层之间设有所述第三隔离层。


5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一隔离层的上表面和所述P型半导体层的上表面齐平。


6.根据权利要求2至5中任一所述的发光二极管，其特征在于：所述第一导电通孔具有至少两种不同的通孔尺寸，远离所述N型电极扩展条的通孔尺寸大于靠近所述N型电极扩展条的通孔尺寸；所述第二导电通孔具有至少两种不同的通孔尺寸，远离所述N型电极扩展条的通孔尺寸大于靠近所述N型电极扩展条的通孔尺寸。


7.一种发光二极管的制作方法，用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，陈凯轩，蔡建九，曲晓东，赵斌，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35