一种微型发光二极管显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种微型发光二极管显示装置，所述LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述共电极设置于所述LED阵列单元外围的基板表面；所述透明导电层沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面，直接或间接地与所述共电极形成连接。基于上述结构，电子通过所述共电极引入后，通过所述透明导电层垂直注入所述第一型半导体层，使得流经LED阵列单元的电流无横向扩展损失，从而提高其出光效率。从而提高其出光效率。从而提高其出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种微型发光二极管显示装置


[0001]本技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种微型发光二极管显示装置。

技术介绍

[0002]微元件技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的元件阵列。目前，微间距发光二极管技术逐渐成为研究热门，工业界期待有高品质的微元件产品进入市场。高品质微间距发光二极管产品会对市场上已有的诸如 LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。
[0003]在发光二极管显示器中，不同的微型发光二极管之间以第一型半导体层作为共电极，第一型半导体层电性连接电路基板(例如CMOS\TFT显示基板) 上对应的电极，每个发光二极管的第二型半导体(例如P极)则分别电性连接电路基板。然而，半导体电阻值高，较靠近上述对应的电极的微型发光二极管相较于较远离上述对应的电极的微型发光二极管会具有较多的电子空穴对，因为具有较多的电子空穴对发生复合(recombination)，较靠近上述对应的电极的微型发光二极管的发光亮度会高于较远离上述对应的电极的微型发光二极管的发光亮度，使得微型发光二极管显示器亮度不均匀。
[0004]有鉴于此，本人专门设计了一种微型发光二极管显示装置，本案由此产生。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种微型发光二极管显示装置，以解决现有技术中微型发光二极管显示器亮度不均匀的问题。
[0006]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：
[0007]一种微型发光二极管显示装置，包括：基板、若干个LED阵列单元、绝缘层、透明导电层以及共电极；
>[0008]其中，所述LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述共电极设置于所述LED阵列单元外围的基板表面；所述透明导电层沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面，直接或间接地与所述共电极形成电连接；
[0009]所述LED阵列单元至少包括在所述基板表面依次堆叠的第一金属键合层、第一型半导体层、有源区及第二型半导体层。
[0010]优选地，在各所述沟槽内设有填充层，使所述透明导电层从所述LED阵列单元的表面往所述填充层水平延伸后，直接或间接地与所述共电极形成电连接。
[0011]优选地，所述填充层与所述LED阵列单元具有同一水平高度。
[0012]优选地，所述透明导电层覆盖各所述LED阵列单元及沟槽，与所述共电极形成电连接。
[0013]优选地，在所述沟槽内设有与所述共电极互连的格栅电极，且所述透明导电层与所述格栅电极形成电连接。
[0014]优选地，在所述沟槽对应的填充层表面设有与所述共电极互连的格栅电极，且所
述透明导电层与所述格栅电极形成电连接。
[0015]优选地，所述填充层包括聚酰亚胺、环氧树脂、氧化硅中的一种或多种堆叠。
[0016]优选地，所述填充层包括导电胶或金属层，且所述共电极与所述填充层形成电接触。
[0017]优选地，所述缺口完全裸露所述LED阵列单元的表面。
[0018]优选地，所述共电极层叠于所述基板的短边边缘。
[0019]优选地，所述共电极环绕设置于所述LED阵列单元的外围。
[0020]优选地，所述基板包括电路基板，其通过金属键合工艺分别与所述共电极、第一金属键合层的极性匹配键合形成一体。
[0021]优选地，所述基板包括互补式金属氧化物半导体基板或薄膜晶体管基板。
[0022]优选地，所述格栅电极包括金属反射层。
[0023]优选地，所述绝缘层包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、DBR反射层中的一种或多种堆叠。
[0024]经由上述的技术方案可知，所述LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述共电极设置于所述LED 阵列单元外围的基板表面；所述透明导电层沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面，直接或间接地与所述共电极形成连接。基于上述结构，电子通过所述共电极引入后，通过所述透明导电层垂直注入所述第一型半导体层，使得流经LED阵列单元的电流无横向扩展损失，从而提高其出光效率。同时，由于第一型半导体层的接触电极是通过透明导电层引出至LED阵列单元外围的共电极，而第二型半导体层的接触电极是第一金属键合层；且基板通过金属键合工艺分别与所述共电极、第一金属键合层的极性匹配键合形成一体；因此，基于上述结构，无需设计等高的接触电极，从而降低产品的制程难度。
[0025]进一步地，通过在各所述沟槽内设有填充层，且所述填充层与所述LED 阵列单元具有同一水平高度；使所述透明导电层从所述LED阵列单元的表面往所述填充层水平延伸后，直接或间接地与所述共电极形成电连接的设置。使所述透明导电层或格栅电极无需附着于LED阵列单元的侧壁，即可直接与所述共电极电连接。从而，避免透明导电层或格栅电极附着于LED阵列单元侧壁时，易发生断裂或短路的风险；同时，通过所述填充层的设置，可灵活选择共电极与透明导电层之间的连接走线位置。
[0026]其次，通过所述透明导电层覆盖各所述LED阵列单元及沟槽，与所述共电极形成电连接，可同步形成用于电流扩展的透明导电层并解决所述共电极与透明导电层之间的连接走线，减少工艺制程数。
[0027]再次，在所述沟槽内或在所述沟槽对应的填充层表面设有与所述共电极互连的格栅电极，且所述透明导电层与所述格栅电极形成电连接；进一步地，所述格栅电极包括金属反射层，使所述格栅电极在保证共电极与透明导电层电互连的同时，还可用作金属反射，避免侧壁出光，进而提高所述LED阵列单元的出光效率。
[0028]最后，通过使所述共电极环绕设置于所述LED阵列单元的外围，可使经所述共电极的电流以最短路径引入至各所述LED阵列单元，避免电流的拥堵。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0030]图1为本技术实施例1所提供的微型发光二极管显示装置的结构示意图；
[0031]图2为本技术实施例1所提供的微型发光二极管显示装置的结构俯视图；
[0032]图3为本技术实施例1所提供的微型发光二极管显示装置的另一种结构俯视图；
[0033]图4为本技术实施例2所提供的微型发光二极管显示装置的结构示意图；
[0034]图5为本技术实施例2所提供的微型发光二极管显示装置的结构俯视图；
[0035]图6为本技术实施例2所提供的微型发光二极管显示装置的另一种结构俯视图；
[0036]图7为本技术实施例3所提供的微型发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示装置，其特征在于，包括：基板、若干个LED阵列单元、绝缘层、透明导电层以及共电极；其中，所述LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述共电极设置于所述LED阵列单元外围的基板表面；所述透明导电层沉积于所述缺口并延伸至所述绝缘层的表面，直接或间接地与所述共电极形成电连接；所述LED阵列单元至少包括在所述基板表面依次堆叠的第一金属键合层、第一型半导体层、有源区及第二型半导体层。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，在各所述沟槽内设有填充层，使所述透明导电层从所述LED阵列单元的表面往所述填充层水平延伸后，直接或间接地与所述共电极形成电连接。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述填充层与所述LED阵列单元具有同一水平高度。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，所述透明导电层覆盖各所述LED阵列单元及沟槽，与所述共电极形成电连接。5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，在所述沟槽内设有与所述共电极互连的格栅电极，且所述透明导电层与所述格栅电极形成电连接。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：江方，冯妍雪，刘文军，柯志杰，艾国齐，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：