半导体发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体发光元件，其既能够降低正向电压，又能够提高发光输出，而且能够抑制电流密度分布的偏差。半导体发光元件(100)具备n电极，n电极延伸设置在绝缘膜上及n侧半导体层的外周部(12c)，该n电极具有通过第一n侧开口与n侧半导体层导通的第一n接触部(31)和分别在n侧半导体层的外周部(12c)的至少四个角上通过第二n侧开口与n侧半导体层导通的第二n接触部(32)，第一区块(51)中的第一n接触部(31)的面积比第二区块(52)中的第一n接触部(31)的面积大，第二分区(62)中的第一n接触部(31)的面积比第一分区(61)及第三分区(63)中的第一n接触部(31)的面积大。

Semiconductor light-emitting element

【技术实现步骤摘要】
半导体发光元件
本说明书涉及半导体发光元件。
技术介绍
已知有被倒装的半导体发光元件(例如参照专利文献1)。作为外部连接用电极，专利文献1所公开的半导体发光元件具备在俯视时配置于半导体发光元件的中央的p焊盘电极、配置于上述p焊盘电极的两侧的n电极。p焊盘电极与半导体层叠体的p侧半导体层电连接。在该半导体发光元件中，n电极具备多个n接触部，该多个n接触部以散布在除p焊盘电极和n侧半导体层的外周部两者以外的区域内的方式配置。这些n接触部与半导体层叠体的n侧半导体层电连接。根据该构造，通过使n接触部的个数增加，能够抑制半导体发光元件的正向电压Vf上升。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017－135348号公报
技术实现思路
通常，如果为了降低正向电压Vf而使n电极和n型半导体层电连接的面积增加，则例如半导体层叠体的活性层的面积(区域)就会减少，所以发光输出会降低。另外，在俯视半导体层叠体时，有可能因配置有多个n接触部的配置图案而使电流密度分布产生不均。因此，本说明书实施方式的目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：/n俯视时大致矩形的半导体层叠体，其具有n侧半导体层、设置于所述n侧半导体层上且设置于该n侧半导体层的除外周部以外的内侧区域的p侧半导体层；/n绝缘膜，其位于所述半导体层叠体上，具有设置于所述p侧半导体层上的p侧开口、设置于所述内侧区域的所述n侧半导体层上的多个第一n侧开口、设置于所述n侧半导体层的所述外周部上的多个第二n侧开口；/nn电极，其延伸设置在所述绝缘膜上及所述n侧半导体层的所述外周部，具有通过所述第一n侧开口与所述n侧半导体层导通的第一n接触部、分别在所述n侧半导体层的所述外周部的至少四个角通过所述第二n侧开口与所述n侧半导体层导通的第二n...

【技术特征摘要】
20180731 JP 2018-1431131.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：
俯视时大致矩形的半导体层叠体，其具有n侧半导体层、设置于所述n侧半导体层上且设置于该n侧半导体层的除外周部以外的内侧区域的p侧半导体层；
绝缘膜，其位于所述半导体层叠体上，具有设置于所述p侧半导体层上的p侧开口、设置于所述内侧区域的所述n侧半导体层上的多个第一n侧开口、设置于所述n侧半导体层的所述外周部上的多个第二n侧开口；
n电极，其延伸设置在所述绝缘膜上及所述n侧半导体层的所述外周部，具有通过所述第一n侧开口与所述n侧半导体层导通的第一n接触部、分别在所述n侧半导体层的所述外周部的至少四个角通过所述第二n侧开口与所述n侧半导体层导通的第二n接触部；
p焊盘电极，其通过所述p侧开口与所述p侧半导体层导通，在俯视时，配置在包含所述半导体层叠体的中央部的区域，以两端在与所述半导体层叠体的一边平行的方向上接近所述n侧半导体层的所述外周部的方式延伸，设置成将所述半导体层叠体分为第一区域和第二区域，
所述第一区域及所述第二区域分别具有在与所述半导体层叠体的一边正交的方向上将所述p焊盘电极和所述半导体层叠体的外周部之间二等分的、位于所述p焊盘电极侧的第一区块和位于所述半导体层叠体的外周部侧的第二区块，
所述第一区域及第二区域的所述第二区块分别具有在与所述半导体层叠体的一边平行的方向上被三等分而成的第一分区、第三分区、位于所述第一分区和所述第三分区之间的第二分区，
所述第一区域及所述第二区域的所述第一区块中的所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：三木康宽，尺长功一，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP