可协变应力AlN结构及其制备方法技术

本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN结构的制备。

Covariable stress AlN structure and its preparation

【技术实现步骤摘要】
可协变应力AlN结构及其制备方法
本公开涉及第三代半导体材料与器件领域，尤其涉及一种可协变应力AlN结构及其制备方法。
技术介绍
AlN基III族氮化物半导体材料是第三代半导体材料，具有介电常数小、热导率高，抗辐照能力强和物化性质稳定等特点，且AlN基合金半导体材料是直接带隙的宽禁带半导体材料，其禁带宽带范围为3.4eV(GaN)-6.2eV(AlN)，覆盖近紫外到深紫外波段范围，因此特别适合应用于紫外光电子器件，其中紫外LED器件在白光激发、打印、固化、DNA刑侦、空气净化、杀菌消毒、生物医疗、光信息存储等领域具有巨大的应用潜力，受到了人们的广泛关注。同时AlN由于其压电特性可做声表面波器件，同时作为模板可以在其上制备高频大功率的电子电力器件。与目前已经商业化的GaN基材料与器件相比，AlN基材料和器件的应用开发存在着许多技术难题。由于同质衬底的缺乏，AlN层通常生长或制备在特定取向的蓝宝石、硅和碳化硅衬底材料上，但是AlN层与这些衬底材料的晶格常数和热膨胀系数存在很大差异，导致在生长过程中产生严重的晶格失配、热失配和反向畴界。晶格失本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可协变应力AlN结构，自下而上包括：/n衬底；/nAlN成核层；/n可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层。/n

【技术特征摘要】
1.一种可协变应力AlN结构，自下而上包括：
衬底；
AlN成核层；
可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层。


2.根据权利要求1所述的可协变应力AlN结构，所述可协变应力AlN组中张应力AlN层位于所述压应力AlN层下。


3.根据权利要求1所述的可协变应力AlN结构，所述可协变应力AlN组中张应力AlN层位于所述压应力AlN层上。


4.根据权利要求1所述的可协变应力AlN结构，所述张应力AlN层厚度为250±5nm；压应力AlN层厚度为250±5nm。


5.根据权利要求1所述的可协变应力AlN结构，所述可协变应力AlN组的数量为6～10组。


6.根据权利要求1所述的可协变应力AlN结构，所述可协变应力AlN结构厚度为3～5微米。


7.根据权利要求1所述的可协变应力AlN结构，所述成核层生长温度600-850℃，厚度20...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪连山，李方政，姚威振，文玲，杨少延，魏鸿源，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11