一种抗水解的倒装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗水解的倒装LED芯片，其包括衬底；设于所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述外延层上的第一电极和第二电极；设于第一电极上的第一焊盘和设于所述第二电极上的第二焊盘；所述第一焊盘和第二焊盘相互绝缘；其中，所述外延层的宽度从所述电极侧到所述衬底侧呈递减变化；所述外延层顶面和侧面设有电场屏蔽层，所述第一焊盘和第二焊盘的侧面设有电场屏蔽层。本实用新型专利技术在焊盘和外延层之间形成了一断层结构，有效防止焊盘产生的水解物通过毛细作用爬升，造成电极连通，芯片侧边漏电的问题，大幅提升倒装LED芯片的可靠性。

An anti hydrolysis flip LED chip

【技术实现步骤摘要】
一种抗水解的倒装LED芯片
本技术涉及光电子制造
，尤其涉及一种抗水解的倒装LED芯片。
技术介绍
倒装LED芯片是一种新型LED芯片，其散热性能和光效都比普通正装LED芯片优异，因此常被应用在一些较为特殊的场合，如显示屏领域。显示屏领域的芯片一般要求点间距较小，以提供较好的视距效果，同时也需要配合柔性基板使用，因此多采用便于封装、尺寸较小的倒装LED芯片。普通LED在长期点亮的过程中，与环境中的水蒸气或者封装胶中残留的水蒸气反应，引起电极水解，从而产生芯片电极脱落、电压升高等异常现象，造成LED可靠性大幅下降，使用寿命缩短。电极水解的主要原因是金属电极、金属焊锡等与水蒸气之间形成电解池结构，从而导致金属电极失去电子而发生溶解。对于倒装LED芯片而言，其采用了较大的焊盘，使得较普通LED芯片更加容易发生水解，导致其可靠性下降，使用寿命降低。此外，水解产物还会沿着倒装LED芯片结构爬升，造成电极连通、侧面漏电的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种抗水解的倒装LED芯片，其能有效减少电极中的金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗水解的倒装LED芯片，其特征在于，包括：/n衬底；/n设于所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；/n设于所述外延层上的第一电极和第二电极；所述第一电极和第二电极相互绝缘；/n设于第一电极上的第一焊盘和设于所述第二电极上的第二焊盘；所述第一焊盘和第二焊盘相互绝缘；/n其中，所述外延层靠近电极侧的宽度大于靠近衬底侧的宽度；/n所述外延层顶面和侧面设有电场屏蔽层，所述第一焊盘和第二焊盘的侧面设有电场屏蔽层。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗水解的倒装LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
设于所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
设于所述外延层上的第一电极和第二电极；所述第一电极和第二电极相互绝缘；
设于第一电极上的第一焊盘和设于所述第二电极上的第二焊盘；所述第一焊盘和第二焊盘相互绝缘；
其中，所述外延层靠近电极侧的宽度大于靠近衬底侧的宽度；
所述外延层顶面和侧面设有电场屏蔽层，所述第一焊盘和第二焊盘的侧面设有电场屏蔽层。


2.如权利要求1所述的抗水解的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层所述外延层为倒梯形体。


3.如权利要求2所述的抗水解的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层为倒等腰梯形体，其底角为65～70°。


4.如权利要求3所述的抗水解的倒装LED芯片，其特征在于，所述电场屏蔽层由SiO2、SiNx、Al2O3中的一种制成。


5.如权利要求3所述的抗水解的倒装LED芯片，其特征在于，所述电场屏蔽层包括至少一层SiNx层和至少一层Al2O3层；所述SiNx层和所述Al2O3层间隔设置。

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【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，庄家铭，崔永进，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44