【技术实现步骤摘要】
一种垂直集成单元二极管芯片
本专利技术涉及半导体材料和器件工艺领域，特别是半导体光电器件。
技术介绍
常规的垂直结构LED芯片中，电流扩散主要依靠n电极侧，有电极引线型引线或钻孔型的引线，但总体电流扩散仍不均匀，导致发光效率的损失，散热也不均匀，从而影响单元二极管芯片的效率和稳定性。从而限制了垂直大功率LED芯片提供单位面积流明输出更高的产品。电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀，导致其在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上有极大的局限性，目前市场上的垂直LED芯片技术无法提供有效的解决方案。现有技术一为Proc.ofSPIEVol.10021100210X-12016会议论文，如图1-3所示，其中，图1为垂直LED芯片的结构图，其中p型电极与背面的电极相连(backmetalAu)，黑色部分边缘的方框与中间3根手指型引线代表了第二导电类型电极，通过下方的两个大的N-pad打线引出。因此整个芯片的电流扩散，主要为n型金属线所限制。图2展示了现有技术一的垂直芯片的近场分析图和中线...
【技术保护点】
1.一种垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，包括第一导电类型电极、第二导电类型电极及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构，所述二极管台面结构还包括第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘，其中所述第一导电类型焊盘与第二导电类型焊盘在所述二极管台面结构的同一侧，所述第一导电类型电极与所述第一导电类型焊盘连接，所述第二导电类型电极与所述第二导电类型焊盘连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，包括第一导电类型电极、第二导电类型电极及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构，所述二极管台面结构还包括第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘，其中所述第一导电类型焊盘与第二导电类型焊盘在所述二极管台面结构的同一侧，所述第一导电类型电极与所述第一导电类型焊盘连接，所述第二导电类型电极与所述第二导电类型焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型焊盘和所述第二导电类型焊盘位于所述二极管台面结构任意边沿、台面顶点、台面中间或台面其它任意位置。
3.根据权利要求2所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘分别位于所述二极管台面结构彼此相对的短边边沿，或者所述第二导电类型焊盘位于所述二极管台面结构的短边边沿，所述第一导电类型焊盘位于所述二极管台面结构的长边边沿，或者所述第二导电类型焊盘位于所述台面结构的短边边沿，所述第一导电类型焊位于所述二极管台面的顶点处。
4.根据权利要求2所述的垂直集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第一导电类型焊盘和第二导电类型焊盘的形状分别为沿所述二极管台面结构的短边设置且与所述二极管台面结构等宽的长方形、方形、或圆形或其他形状。
5.根据权利要求4所述的垂直集成单...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫春辉，蒋振宇，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44
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