一种高压LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开一种高压LED芯片，包括衬底和多个间隔设置的发光单元，发光单元包括N型半导体层、P型半导体层、量子阱层、P电极和N电极，N型半导体层设于衬底的上方，P型半导体层设于N型半导体层的上方，量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，P电极设于P型半导体层的上方，N电极设于N型半导体层的下方，N电极的下端面与衬底接触，N型半导体层、量子阱层和P型半导体层的截面自下向上逐步递减，发光单元的P型半导体层表面和侧面、发光单元的量子阱层和N型半导体层的侧面、发光单元的N极侧面以及相邻两发光单元之间的衬底表面均设有反射绝缘层。本实用新型专利技术能提高高压LED芯片发出的光的亮度，提高LED灯的发光性能。

A high voltage LED chip

【技术实现步骤摘要】
一种高压LED芯片
本技术涉及半导体发光器件
，特别涉及一种高压LED芯片。
技术介绍
LED照明灯是利用第四代绿色光源LED做成的一种照明灯具。LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。现有LED芯片一般包括衬底和设于衬底上的发光单元，所述发光单元包括N极、P极、N型半导体层、P型半导体层和量子阱层，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方，所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，所述N极装设于N型半导体层，P极装设于P型半导体层上，这样一来，光电器件在发光时必然会被N极遮挡部分光线，使LED芯片的发出的光的亮度不高，影响LED灯的发光性能。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，针对上述现有技术中的不足，提供一种高压LED芯片，其能提高高压LED芯片发出的光的亮度，从而提高LED灯的发光性能。为解决上述技术问题，本技术的技术方案是：一种高压LED芯片，包括衬底和多个间隔设置的发光单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压LED芯片，其特征在于：包括衬底和多个间隔设置的发光单元，所述发光单元包括N型半导体层、P型半导体层、量子阱层、P电极和N电极，所述N型半导体层设于衬底的上方，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方，所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，所述P电极设于P型半导体层的上方，所述N电极设于N型半导体层的下方，所述N电极的下端面与衬底接触，所述N型半导体层、量子阱层和P型半导体层的截面自下向上逐步递减，所述发光单元的P型半导体层表面和侧面、发光单元的量子阱层和N型半导体层的侧面、发光单元的N极侧面以及相邻两发光单元之间的衬底表面均设有反射绝缘层，所述发光单元的N电极与相邻发光单...

【技术特征摘要】
1.一种高压LED芯片，其特征在于：包括衬底和多个间隔设置的发光单元，所述发光单元包括N型半导体层、P型半导体层、量子阱层、P电极和N电极，所述N型半导体层设于衬底的上方，所述P型半导体层设于N型半导体层的上方，所述量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间，所述P电极设于P型半导体层的上方，所述N电极设于N型半导体层的下方，所述N电极的下端面与衬底接触，所述N型半导体层、量子阱层和P型半导体层的截面自下向上逐步递减，所述发光单元的P型半导体层表面和侧面、发光单元的量子阱层和N型半导体层的侧面、发光单元的N极侧面以及相邻两发光单元之间的衬底表面均设有反射绝缘层，所述发光单元的N电极与相邻发光单元的P电极之间通过金属导电层连接，所述金属导电层设于反射绝缘层的上方。


2.根据权利要求1所述的一种高压LED芯片，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗兴，廖宗仁，
申请(专利权)人：东莞佰鸿电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44