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本实用新型公开一种高压LED芯片，包括衬底和多个间隔设置的发光单元，发光单元包括N型半导体层、P型半导体层、量子阱层、P电极和N电极，N型半导体层设于衬底的上方，P型半导体层设于N型半导体层的上方，量子阱层设于P型半导体层和N型半导体层之间...
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