【技术实现步骤摘要】
一种图形化复合衬底和LED外延片
本技术实施例涉及半导体技术,尤其涉及一种图形化复合衬底和LED外延片。
技术介绍
图形化蓝宝石衬底(PatternedSapphireSubstrate,PSS)是目前发光二极管(LightEmittingDiode,LED)外延芯片的主流基板材料,基于PSS衬底进行氮化镓材料的生长的技术方案相对成熟。采用图形化蓝宝石衬底技术可以较好地缓解蓝宝石衬底和氮化镓外延生长中的应力,降低氮化镓外延中的缺陷密度,提高外延材料的晶体质量,同时可以提升光提取效率。目前,最广泛商业使用的图形化蓝宝石衬底为圆锥体微结构,该图形化蓝宝石衬底具有较高的出光效率且性能稳定。但随着LED产品的不断更新,对LED芯片的发光效率要求越来越高,普通的图形化蓝宝石衬底已无法满足LED芯片高亮度的要求。
技术实现思路
本技术提供一种图形化复合衬底和LED外延片,以解决现有LED芯片出光效率较低的问题,进一步提高LED芯片的亮度。第一方面,本技术实施例提供了一种图形化复合衬底,包括:蓝宝石 ...
【技术保护点】
1.一种图形化复合衬底,其特征在于,包括:/n蓝宝石基板;/n阵列排布的多个台状微结构,所述台状微结构位于所述蓝宝石基板上,所述台状微结构的侧壁具有内凹弧度,且所述台状微结构中至少远离所述蓝宝石基板一侧的部分由异质材料制成。/n
【技术特征摘要】
1.一种图形化复合衬底,其特征在于,包括:
蓝宝石基板;
阵列排布的多个台状微结构,所述台状微结构位于所述蓝宝石基板上,所述台状微结构的侧壁具有内凹弧度,且所述台状微结构中至少远离所述蓝宝石基板一侧的部分由异质材料制成。
2.根据权利要求1所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述台状微结构的所述侧壁的内凹深度为20-300nm。
3.根据权利要求1所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述台状微结构的顶面设置有至少一个凸起和/或至少一个凹槽,所述凸起的高度和所述凹槽的深度均小于所述台状微结构的高度。
4.根据权利要求3所述的图形化复合衬底,其特征在于,所述凸起和所述凹槽的形状为立方体、球冠、棱锥和棱台中一种或多种。
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【专利技术属性】
技术研发人员:肖桂明,张剑桥,康凯,刘凤仪,陆前军,张能,
申请(专利权)人:东莞市中图半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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