一种正装发光二极管芯片制造技术

技术编号:25072434 阅读:46 留言:0更新日期:2020-07-29 06:03
本实用新型专利技术提供了一种正装发光二极管芯片,包括第二导电类型半导体层、发光层、第一导电类型半导体层和透明导电层,透明导电层开设第一开口,第一开口内设置至少一个第一电流阻挡层,第一电流阻挡层完全容纳在第一开口内;第一电流阻挡层与透明导电层之间未相互重叠且具有一定宽度的第一间隙;第一电流阻挡层上设置第一电极焊盘,第一电极焊盘具有第一表面完全覆盖第一电流阻挡层并且覆盖第一间隙以接触第一导电类型半导体层;当第一电流阻挡层为多个时,第一电流阻挡层之间留有第二间隙;本实用新型专利技术第一电流阻挡层完全内缩至第一电极焊盘下方,且第一电极焊盘与透明导电层无接触,提高了该芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种正装发光二极管芯片
本技术涉及半导体相关
,尤其涉及一种正装发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管芯片具有寿命长、功耗低的优点,随着技术的日渐成熟,发光二极管芯片在很多领域均得到广泛的应用。现有的发光二极管芯片一般包含一基板、第一导电类型半导体层、活性层及第二导电类型半导体层、以及分别形成于第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层上的第一电极和第二电极,透明导电层覆盖在第一导电类型半导体层上。目前常见的正装发光二极管芯片的第一电极包括第一电极焊盘和第一电极扩展条两部分,第一电极焊盘的下表面至少边缘接触透明导电层,同时第一电极焊盘下表面的透明导电层的下方具有电流阻挡层,电流阻挡层通常会超出第一电极焊盘下表面接触的透明导电层的覆盖面积,以阻挡第一电极焊盘的下表面边缘与第一导电类型半导体层之间的具有竖直方向的电流传输。但是现有的这种正装发光二极管芯片结构容易导致一些问题,例如,第一电极焊盘在透明导电层上和电流阻挡层上的粘附力均低,在后续封装过程中,容易出现打线不稳或电极容易受到外力发生脱落的风险。另外,如果电流阻挡层超出第一电极焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正装发光二极管芯片,包括半导体发光序列堆叠层,所述半导体发光序列堆叠层包括第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层,透明导电层覆盖在所述第一导电类型半导体层的表面,其特征在于:所述透明导电层开设第一开口,所述第一开口内设置有至少一个第一电流阻挡层,所述第一电流阻挡层覆盖在所述第一开口所暴露的第一导电类型半导体层上,且所述第一电流阻挡层完全容纳在第一开口内;所述第一电流阻挡层与所述透明导电层之间未相互重叠,且具有一定宽度的第一间隙;所述第一电流阻挡层上设置有第一电极焊盘,所述第一电极焊盘具有第一表面完全覆盖第一电流阻挡层并且覆盖第一电流阻挡层周围的第一间隙以接触第一导电类型半导...

【技术特征摘要】
1.一种正装发光二极管芯片,包括半导体发光序列堆叠层,所述半导体发光序列堆叠层包括第二导电类型半导体层、发光层和第一导电类型半导体层,透明导电层覆盖在所述第一导电类型半导体层的表面,其特征在于:所述透明导电层开设第一开口,所述第一开口内设置有至少一个第一电流阻挡层,所述第一电流阻挡层覆盖在所述第一开口所暴露的第一导电类型半导体层上,且所述第一电流阻挡层完全容纳在第一开口内;所述第一电流阻挡层与所述透明导电层之间未相互重叠,且具有一定宽度的第一间隙;所述第一电流阻挡层上设置有第一电极焊盘,所述第一电极焊盘具有第一表面完全覆盖第一电流阻挡层并且覆盖第一电流阻挡层周围的第一间隙以接触第一导电类型半导体层。


2.根据权利要求1所述的一种正装发光二极管芯片,其特征在于:所述正装发光二极管芯片还设置有保护层,所述保护层覆盖至少部分第一电极焊盘、透明导电层、第一间隙和半导体发光序列堆叠层。


3.根据权利要求1所述的一种正装发光二极管芯片,其特征在于:所述第一电极焊盘的直径小于或等于所述第一开口的直径。


4.根据权利要求1所述的一种正装发光二极管芯片,其特征在于:所述第一电流阻挡层为一块状或多个块状。


5.根据权利要求4所述的一种正装发光二极管芯片,其特征在于:当所述第一电流阻挡层为一块状时,所述块状包括环形镂空的块状或实心的块状。


6.根据权利要求5所述的一种正装发光二极管芯片,其特征在于:所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈功林素慧许圣贤何敏游彭康伟洪灵愿
申请(专利权)人:厦门三安光电有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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