倒装LED及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种倒装LED，倒装LED包括量子阱层、载流子传输层、电极；量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；载流子传输层包括第一载流子传输层和第二载流子传输层，第一载流子传输层包括靠近出光面的顶端流子传输层和远离出光面的底端载流子传输层；电极包括第一电极和第二电极，第一电极贯穿第二量子阱层和底端载流子传输层，并与第二载流子传输层电连接；第二电极贯穿第一量子阱层、第二载流子传输层、第二量子阱层以及底端载流子传输层，并与顶端载流子传输层、底端载流子传输层分别电连接。本发明专利技术的倒装LED解决了电极过多占用发光层面积影响LED发光效率的问题。

【技术实现步骤摘要】
倒装LED及其制备方法
本专利技术涉及领域LED领域，尤其涉及一种倒装LED及其制备方法。
技术介绍
LED结构分为正装结构、垂直结构和倒装结构。倒装结构避免了金线焊接，下方的电极可与支架或PCB直接相连，在焊接的可靠性方面具有较为明显的优势。在传统的倒装芯片结构中，电极与P型半导体和N型半导体相连的电极尺寸较大，这会倒装芯片量子阱的复合面积减小，从而影响倒装LED的出光效率。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种倒装LED，旨在解决电极与P型半导体和N型半导体相连的电极尺寸较大进而减小量子阱复合面积的问题。量子阱层，所述量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；载流子传输层，所述载流子传输层包括第一载流子传输层和第二载流子传输层，所述第一载流子传输层包括靠近出光面的顶端流子传输层和远离出光面的底端载流子传输层；电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极贯穿所述第二量子阱层和所述底端载流子传输层，并与所述第二载流子传输层电连接；所述第二电极贯穿所述第一量子阱层、所述第二载流子传输层、所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED，其特征在于，包括：/n量子阱层，所述量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；/n载流子传输层，所述载流子传输层包括第一载流子传输层和第二载流子传输层，所述第一载流子传输层包括靠近出光面的顶端流子传输层和远离出光面的底端载流子传输层；/n电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极贯穿所述第二量子阱层和所述底端载流子传输层，并与所述第二载流子传输层电连接；所述第二电极贯穿所述第一量子阱层、所述第二载流子传输层、所述第二量子阱层以及所述底端载流子传输层，并与所述顶端载流子传输层、底端载流子传输层分别电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED，其特征在于，包括：
量子阱层，所述量子阱层包括第一量子阱层和第二量子阱层；
载流子传输层，所述载流子传输层包括第一载流子传输层和第二载流子传输层，所述第一载流子传输层包括靠近出光面的顶端流子传输层和远离出光面的底端载流子传输层；
电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极贯穿所述第二量子阱层和所述底端载流子传输层，并与所述第二载流子传输层电连接；所述第二电极贯穿所述第一量子阱层、所述第二载流子传输层、所述第二量子阱层以及所述底端载流子传输层，并与所述顶端载流子传输层、底端载流子传输层分别电连接。


2.根据权利要求1所述的倒装LED，其特征在于，所述第一电极包括第一电极贯穿部和用作引线的第一电极引线部，所述第一电极贯穿部的一端与所述第二载流子传输层电连接，所述第一电极贯穿部的另一端与所述第一电极引线部电连接。


3.根据权利要求2所述的倒装LED，其特征在于，所述第二电极包括第二电极贯穿部和用作引线的第二电极引线部，所述第二电极贯穿部一端与所述顶端载流子传输层电连接，所述贯穿部的另一端与所述第二电极引线部电连接，所述第二电极引线部与所述底端载流子传输层电连接。


4.根据权利要求3所述的倒装LED，其特征在于，所述第二电极贯穿部位于所述所述第一量子阱层、所述第二载流子传输层、所述第二量子阱层以及所述底端载流子传输层的边缘。


5.根据权利要求4所述的倒装LED，其特征在于，所述第一载流子传输层为P型半导体，所述第二载流子传输层为N型半导体。


6.根据权利要求5所述的倒装LED，其特征在于，所述倒装LED还包括：绝缘层，所述绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，所述第一绝缘层用于阻止所述第一电极贯穿部与所述第二量子阱以及所述底端载流子传输层的电连接。所述第二绝缘层用于阻止所述第一电极引线部与所述底端流子传输层的电连接，所述第三绝缘层用于阻止所述第二电极贯穿部与所述第一量子阱层、所述第二载流子传输...

【专利技术属性】
技术研发人员：周忠伟，郭向茹，毛林山，方荣虎，常伟，杨前，
申请(专利权)人：创维液晶器件深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44