紫外LED外延结构及其制备方法技术

本申请提供一种紫外LED外延结构及其制备方法，涉及发光二极管领域，所述外延结构包括：衬底、第一AlN层、第二AlN层、N型Al

【技术实现步骤摘要】
紫外LED外延结构及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管领域，更具体地，涉及一种紫外LED(Light-EmittingDiode，发光二极管)外延结构及其制备方法。
技术介绍
近年来，凭借着安全、体积小、环保、高效、低能耗等特点，紫外LED光源逐渐取代传统的汞灯光源，广泛应用于医疗、食品处理、细菌消杀等多个领域。通常，紫外线根据波长可被划分为UVA(UltravioletA，长波紫外线)、UVB(UltravioletB，中波紫外线)和UVC(UltravioletA，短波紫外线)；其中，UVA、UVB和UVC对应的波长范围分别为315～400nm、280～315nm及200～280nm。由于AlGaN基紫外LED中Al原子迁移率低，且存在较大的晶格失配和热失配，这就导致AlGaN材料结晶质量变差。并且，随着紫外LED的工作波长变短，P型AlGaN层中的Al组分增加，Mg的激活能也随之增加，进而Mg激活效率变差，致使空穴浓度不足，降低了紫外LED的光输出功率。因此，如何提高AlGaN材料的P型掺杂浓度和空穴浓度，并进一步提高紫本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：/n衬底；/n生长在所述衬底表面的第一AlN层；/n位于所述第一AlN层远离所述衬底一侧的第二AlN层；/n位于所述第二AlN层远离所述衬底一侧的N型Al

【技术特征摘要】
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：
衬底；
生长在所述衬底表面的第一AlN层；
位于所述第一AlN层远离所述衬底一侧的第二AlN层；
位于所述第二AlN层远离所述衬底一侧的N型AlaGa1-aN欧姆接触层；
位于所述N型AlaGa1-aN欧姆接触层远离所述衬底一侧的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层；
位于所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱有源层远离所述衬底一侧的复合电子阻挡层；
位于所述复合电子阻挡层远离所述衬底一侧的P型AldGa1-dN过渡层；
位于所述P型AldGa1-dN过渡层远离所述衬底一侧的P型GaN欧姆接触层；
所述复合电子阻挡层为第一子层、第二子层、第三子层和第四子层交叠生长m个周期形成的超晶格结构，m≥2；所述第一子层为预通Mg的第一delta-Mg层，第二子层为P型AlbGa1-bN层，第三子层为预通Mg的第二delta-Mg层，第四子层为P型AlcGa1-cN层，且0<c<b<1；其中，b表示所述P型AlbGa1-bN层中的Al组分，c表示所述P型AlcGa1-cN层中的Al组分。


2.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，0≤d≤c<b<1；其中，d表示所述P型AldGa1-dN过渡层中的Al组分。


3.根据权利要求2所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述P型AldGa1-dN过渡层中的Al组分渐减。


4.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述复合电子阻挡层中，所述第一delta-Mg层和所述第二delta-Mg层的Mg掺杂浓度为1E+17cm-3～1E+22cm-3。


5.根据权利要求4所述的紫外LED外延结构，其特征在于，在所述复合电子阻挡层中，每个所述第一delta-Mg层和每个所述第二delta-Mg层中的Mg掺杂浓度渐增、渐减或恒定，每个所述P型AlbGa1-bN层和每个所述P型AlcGa1-cN层的Al组分渐增、渐减或恒定。


6.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘锐森，蓝文新，刘召忠，林辉，杨小利，
申请(专利权)人：江西新正耀光学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36