一种抗静电外延结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗静电外延结构，所述外延结构包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第二半导体层包括P型AlGaN层、P型GaN层和高静电层，所述P型GaN层设置在P型AlGaN层上，所述高静电层插入在P型GaN层中；所述高静电层包括无掺杂GaN层和/或低掺杂GaN层，所述无掺杂GaN层由掺杂浓度为零的GaN制成，所述低掺杂GaN层由p‑GaN制成，掺杂浓度为a；所述P型GaN层由p‑GaN制成，掺杂浓度为b，a＜b。本实用新型专利技术在P型GaN层中插入高静电层，有效提高外延结构的抗静电能力。

An antistatic epitaxial structure

【技术实现步骤摘要】
一种抗静电外延结构
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种抗静电外延结构。
技术介绍
氮化镓(GaN)是宽禁带材料，电阻率高，GaN基LED芯片在生产、运送过程中产生的静电电荷不易消失，累积到一定程度可以产生很高的静电电压。蓝宝石衬底的LED芯片正负电极位于芯片同一侧，间距很小，因此对静电的承受能力很小，极易被静电击穿失效，影响器件的寿命。目前传统的GaN基LED外延生长结构过程为：500℃先在蓝宝石衬底上生长一层低温GaN缓冲层；然后接着在1100℃下生长一层未掺杂的高温GaN；再接着高温生长一层掺杂SiH4的n型GaN层,这一层提供复合发光的电子；然后接着在750～850℃下生长几个周期的GaN/InGaN的量子阱和量子垒作为LED的发光层，该层是GaN基LED外延的核心部分；然后在950℃左右生长掺杂Mg的P型AlGaN层，起到阻挡电子的作用；最后在1000℃左右生长一层掺杂Mg的P型GaN层，这一层提供复合发光的空穴；最后是退火过程。目前LED外延生长过程中，有源层多采用几个周期结构GaN/InGaN量子阱垒区，电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗静电外延结构，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其特征在于，所述第二半导体层包括P型AlGaN层、P型GaN层和高静电层，所述P型GaN层设置在P型AlGaN层上，所述高静电层插入在P型GaN层中；/n所述高静电层包括无掺杂GaN层和/或低掺杂GaN层，所述无掺杂GaN层由掺杂浓度为零的GaN制成，所述低掺杂GaN层由p-GaN制成，掺杂浓度为a；/n所述P型GaN层由p-GaN制成，掺杂浓度为b，a＜b。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗静电外延结构，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其特征在于，所述第二半导体层包括P型AlGaN层、P型GaN层和高静电层，所述P型GaN层设置在P型AlGaN层上，所述高静电层插入在P型GaN层中；
所述高静电层包括无掺杂GaN层和/或低掺杂GaN层，所述无掺杂GaN层由掺杂浓度为零的GaN制成，所述低掺杂GaN层由p-GaN制成，掺杂浓度为a；
所述P型GaN层由p-GaN制成，掺杂浓度为b，a＜b。


2.如权利要求1所述的抗静电外延结构，其特征在于，所述高静电层的厚度为P型GaN层的厚度的40％～50％，所述高静电层的厚度为20～100nm。


3.如权利要求2所述的抗静电外延结构，其特征在于，所述高静电层将P型GaN层分为第一P型GaN层和第二P型GaN层，其中，第一P型GaN层的掺杂浓度为b1，第二P型GaN层的掺杂浓度为b2，b1≥b2。


4.如权利要求3所述的抗静电外...

【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44