AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法技术

本公开提供了一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法，涉及半导体技术领域。AlGaInP基发光二极管芯片包括P型电流扩展层和透明导电层，透明导电层包括设置在P型电流扩展层上的第一子层和设置在第一子层上的第二子层，第一子层的功函数大于第二子层，透明导电层的载流子浓度沿透明导电层的垂直生长方向逐渐升高；P型电流扩展层为P型GaP层，P型电流扩展层的厚度为80～100nm。该透明导电层与P型电流扩展层之间可以形成良好的欧姆接触，提高电流的注入效率，从而可以减薄P型电流扩展层的厚度，降低P型电流扩展层对光的吸收，进一步提高LED的发光效率。

AlGaInP based LED chip and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法
本公开涉及半导体
，特别涉及一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
四元系发光二极管(英文：LightEmitingDiode，简称：LED)芯片由于具有发光效率高、颜色范围广、耗电量少、寿命长、单色发光、反应速度快、耐冲击、体积小等优点而被广泛应用于各种指示、显示装置上。在相关技术中，四元系AlGaInP基LED芯片包括衬底，设置在衬底的一面上的N型电极，以及依次层叠设置在衬底的另一面上的N型缓冲层、反射层、N型限制层、有源层、P型缓冲层、P型限制层、P型电流扩展层、透明导电层和P型电极。其中，P型电流扩展层为P-GaP层。电流首先经过P型电极，在P型电流扩展层进行横向扩展，将电流注入有源层。但由于P-GaP电流扩展能力有限，P型电流扩展层在P型电极下方附近的区域电流密度较高，离P型电极较远的区域电流密度较低，从而会导致整体的电流注入效率偏低，降低了发光二极管的出光效率。且P型电流扩展层的厚度通常为2～5um，厚度较厚，会吸光，从而进一步降低发光二极管的出光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AlGaInP基发光二极管芯片，所述AlGaInP基发光二极管芯片包括衬底，设置在所述衬底的一面上的N型电极，以及依次层叠设置在所述衬底的另一面上的N型缓冲层、反射层、N型限制层、有源层、P型缓冲层、P型限制层、P型电流扩展层、透明导电层和P型电极，其特征在于，/n所述透明导电层包括设置在所述P型电流扩展层上的第一子层和设置在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层的功函数大于所述第二子层的功函数，所述透明导电层的载流子浓度沿所述透明导电层的垂直生长方向逐渐升高；/n所述P型电流扩展层为P型GaP层，所述P型电流扩展层的厚度为80～100nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种AlGaInP基发光二极管芯片，所述AlGaInP基发光二极管芯片包括衬底，设置在所述衬底的一面上的N型电极，以及依次层叠设置在所述衬底的另一面上的N型缓冲层、反射层、N型限制层、有源层、P型缓冲层、P型限制层、P型电流扩展层、透明导电层和P型电极，其特征在于，
所述透明导电层包括设置在所述P型电流扩展层上的第一子层和设置在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层的功函数大于所述第二子层的功函数，所述透明导电层的载流子浓度沿所述透明导电层的垂直生长方向逐渐升高；
所述P型电流扩展层为P型GaP层，所述P型电流扩展层的厚度为80～100nm。


2.根据权利要求1所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述P型电流扩展层在所述P型限制层上的正投影位于所述P型电极在所述P型限制层上的正投影之外。


3.根据权利要求2所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述AlGaInP基发光二极管芯片还包括设置在P型限制层和透明导电层之间的P型粗化层，所述P型粗化层为P型AlGaInP层，所述P型粗化层的远离所述P型限制层的一面形成粗化结构；
所述粗化结构、所述P型电流扩展层和所述P型电极在所述P型限制层上的正投影互不重叠。


4.根据权利要求3所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述P型电流扩展层在所述P型限制层上的正投影为第一图形，所述粗化结构在所述P型限制层上的正投影为多个第二图形，所述多个第二图形围绕所述第一图形间隔分布。


5.根据权利要求3所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述粗化结构的高度为0.3～1um。


6.根据权利要求3所述的AlGaInP基发光二极管芯片，其特征在于，所述P型粗化层中的Mg的掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖和平，朱迪，谭立龙，张炳伟，邢振远，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32