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本公开提供了一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法，涉及半导体技术领域。AlGaInP基发光二极管芯片包括P型电流扩展层和透明导电层，透明导电层包括设置在P型电流扩展层上的第一子层和设置在第一子层上的第二子层，第一子层的功函数大于第...
该专利属于华灿光电(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(苏州)有限公司授权不得商用。

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