一种发光芯片及发光模组制造技术

本发明专利技术提供了一种发光芯片，包括芯片主体、第一电极连接端和第二电极连接端，所述芯片主体包括相互绝缘的第一电极层和第二电极层，所述第一电极连接端和所述第二电极连接端设置在所述芯片主体底部，所述第一电极连接端与所述第一电极层电性连接，所述第二电极连接端与所述第二电极层电性连接；所述第一电极连接端包括相互电性连接的第一行连接端和第二行连接端，所述第二电极连接端包括相互电性连接的第一列连接端和第二列连接端。该发光芯片能够应用在特定单线路层结构的线路板上以组装成特定结构的发光模组。另外，本发明专利技术还提供了一种发光模组。

【技术实现步骤摘要】
一种发光芯片及发光模组
本专利技术涉及LED领域，具体涉及到一种发光芯片及发光模组。
技术介绍
图1示出了现有技术下的一种发光模组结构示意图。对于发光模组而言，尤其是应用至背光及显示领域的发光模组，发光芯片104需要阵列设置在线路板1上，相应的，对应于发光芯片104的电极连接，线路板1上设置有若干条用于电性连接的行线106和列线105，行线106和列线105为发光芯片104的正极供电线和负极供电线，通过无源选址驱动的方式，发光芯片104的两个电极需要分别电性连接至对应的行线106和列线105上才能实现电导通和电控制。由于行线106和列线105相互间绝缘设置，因此，现有技术通用做法是将行线106和列线105分别设置在两个线路层上，如在附图图1中，行线106设置在第一线路层上101上，列线105设置在第二线路层102上。具体实施中，为了保证线路层之间的绝缘性和线路板的结构刚性，通常还需要设置绝缘层、支撑层103等层结构。具体加工中，由于多层结构线路板的工艺限制，基于PCB材质制成的线路板厚度最小只能达到0.5mm，若需求线路板的厚度值需要小于0.5mm时，可基于半导体制程制作玻璃线路板，但是基于半导体制程制作的多层线路层结构的玻璃线路板的成本较高，且由于线路板的多层结构，线路板厚度还是存在一定的限制。
技术实现思路
针对于现有发光模组缺陷，本专利技术提供了一种发光芯片及发光模组，该发光芯片能够应用在特定单线路层结构的线路板上以实现所需发光模组的性能需求。相应的，本专利技术提供了一种发光芯片，包括芯片主体、第一电极连接端和第二电极连接端，所述芯片主体包括相互绝缘的第一电极层和第二电极层，所述第一电极连接端和所述第二电极连接端设置在所述芯片主体底部，所述第一电极连接端与所述第一电极层电性连接，所述第二电极连接端与所述第二电极层电性连接；所述第一电极连接端包括相互电性连接的第一行连接端和第二行连接端，所述第二电极连接端包括相互电性连接的第一列连接端和第二列连接端。可选的实施方式，所述第一行连接端的下端和所述第二行连接端的下端位于所述芯片主体底部，所述第一行连接端的上端和所述第二行连接端的上端分别延伸连接至所述第一电极层；所述第一列连接端的下端和所述第二列连接端的下端位于所述芯片主体底部，所述第一列连接端的上端和所述第二列连接端的上端分别延伸连接至所述第二电极层。可选的实施方式，所述芯片主体还包括第一氮化镓层、量子阱层、第二氮化镓层；所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层分别设置在所述量子阱层两侧；所述第一电极层与所述第一氮化镓层电性连接，所述第二电极层与所述第二氮化镓层电性连接。可选的实施方式，所述第一电极层、第一氮化镓层、量子阱层、第二氮化镓层和第二电极层依次层叠设置；所述第二电极层位于所述芯片主体的最下方。可选的实施方式，所述第一氮化镓层、量子阱层、第二氮化镓层和第二电极层依次层叠设置，所述第一电极层嵌入设置在所述第一氮化镓层中；所述第二电极层位于所述芯片主体的最下方。可选的实施方式，所述芯片主体还包括蓝宝石层；所述蓝宝层设置在所述芯片主体的最上方。可选的实施方式，所述第一行连接端、所述第二行连接端、所述第一列连接端和所述第二列连接端在所述芯片主体的底面上的投影连线形状为四边形，所述第一行连接端和所述第二行连接端设置在所述四边形其中一条对角线的两个顶点位置上，所述第一列连接端和所述第二列连接端设置在所述四边形另一条对角线的两个顶点位置上。可选的实施方式，所述四边形为菱形。相应的，本专利技术提供了一种发光模组，包括线路板，所述线路板上设置有若干条行线与若干条列线，所述若干条行线与所述若干条列线在空间上正交设置；还包括若干个权利要求1至8任一项所述的发光芯片；所述若干条行线和所述若干条列线设置在同一层线路层中，且所述若干条行线中的任一条行线和所述若干条列线中的任一条列线在相交位置形成固定区；所述若干条行线中的任一条行线在所述固定区断开形成第一行连接部和第二行连接部，所述若干条列线中的任一条列线在所述固定区断开形成第一列连接部和第二列连接部；所述若干个发光芯片中的任一发光芯片设置在所对应的固定区上；所述任一发光芯片的第一行连接端与所对应固定区上的第一行连接部电性连接；所述任一发光芯片的第二行连接端与所对应固定区上的第二行连接部电性连接；所述任一发光芯片的第一列连接端与所对应固定区上的第一列连接部电性连接；所述任一发光芯片的第二列连接端与所对应固定区上的第二列连接部电性连接。可选的实施方式，所述第一行连接部与第二行连接部的连线方向与所述第一列连接部与第二列连接部的连线方向正交。综上，本专利技术提供了一种发光芯片及发光模组，该发光芯片通过整合线路板上的部分线路结构，可使线路板的结构得以简化和优化；线路板上的线路层中的任一根行线可通过发光芯片上的两个行连接端之间的连接实现导通，任一根列线可通过发光芯片上的两个列连接端之间的连接实现导通；对于整个发光模组而言，线路板的行线和列线在固定区的位置断开后，依然能够基于发光芯片保持连接，与现有技术中的线路板上的行线和列线的设置方式相对比，将原行线和列线的部分线路结构集成至发光芯片上，该实施方式的有益效果在于，在线路板上，行线和列线在固定区位置被截止，从而保证了行线和列线之间的相互绝缘，由于空间上不具有相交性，行线和列线可制作在同一层线路层上，与现有技术下的线路板相比，本专利技术实施例所提供的线路板在采用相同的加工工艺条件下，厚度较现有技术下的线路板更薄，制作便利，加工成本更低，有利于大批量工厂化生产。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1示出了现有技术下的一种发光模组结构示意图；图2示出了本专利技术实施例二的发光芯片三维结构示意图；图3示出了本专利技术实施例二的发光芯片剖面结构示意图；图4示出了本专利技术实施例三的发光芯片三维结构示意图；图5示出了本专利技术实施例三的发光芯片剖面结构示意图；图6示出了本专利技术实施例的发光模组三维结构示意图；图7示出了本专利技术实施例的发光模组俯视结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。发光芯片实施例一：本专利技术实施例主要用于对本专利技术所涉及的发光芯片的基本结构进行说明。本专利技术实施例提供了一种发光芯片，所述发光芯片包括芯片主体、第一电极连接端和第二电极连接端，所述芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光芯片，包括芯片主体、第一电极连接端和第二电极连接端，所述芯片主体包括相互绝缘的第一电极层和第二电极层，所述第一电极连接端和所述第二电极连接端设置在所述芯片主体底部，所述第一电极连接端与所述第一电极层电性连接，所述第二电极连接端与所述第二电极层电性连接；/n其特征在于，所述第一电极连接端包括相互电性连接的第一行连接端和第二行连接端，所述第二电极连接端包括相互电性连接的第一列连接端和第二列连接端。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片，包括芯片主体、第一电极连接端和第二电极连接端，所述芯片主体包括相互绝缘的第一电极层和第二电极层，所述第一电极连接端和所述第二电极连接端设置在所述芯片主体底部，所述第一电极连接端与所述第一电极层电性连接，所述第二电极连接端与所述第二电极层电性连接；
其特征在于，所述第一电极连接端包括相互电性连接的第一行连接端和第二行连接端，所述第二电极连接端包括相互电性连接的第一列连接端和第二列连接端。


2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第一行连接端的下端和所述第二行连接端的下端位于所述芯片主体底部，所述第一行连接端的上端和所述第二行连接端的上端分别延伸连接至所述第一电极层；
所述第一列连接端的下端和所述第二列连接端的下端位于所述芯片主体底部，所述第一列连接端的上端和所述第二列连接端的上端分别延伸连接至所述第二电极层。


3.如权利要求2所述的发光芯片，其特征在于，所述芯片主体还包括第一氮化镓层、量子阱层、第二氮化镓层；
所述第一氮化镓层和所述第二氮化镓层分别设置在所述量子阱层两侧；
所述第一电极层与所述第一氮化镓层电性连接，所述第二电极层与所述第二氮化镓层电性连接。


4.如权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述第一电极层、第一氮化镓层、量子阱层、第二氮化镓层和第二电极层依次层叠设置；所述第二电极层位于所述芯片主体的最下方。


5.如权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述第一氮化镓层、量子阱层、第二氮化镓层和第二电极层依次层叠设置，所述第一电极层嵌入设置在所述第一氮化镓层中；所述第二电极层位于所述芯片主体的最下方。


6.如权利要求3至5任一项所述的发光芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李程，郑中健，章金惠，袁毅凯，高晓宇，唐国劲，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44