【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种发光二极管及其制作方法
本专利技术是有关于一种半导体制造领域，特别是指一种具有高可靠性电极的发光二极管。
技术介绍
参看图1，现有LED芯片电极结构设计因考虑到其光萃取效率,在电极结构中增加高反射率之材料作为反射层200以提高光效,但大多高反射材料：例如银、铝等，其特性易受环境、温度、湿度、酸碱度等影响而降低产品稳定性,故在其后覆盖迁移率低的金属保护层230加以保护,但此设计仅能延长此反射层材料与环境反应之时间,无法完全避免其金属材料迁移或析出及电极脱落等重大异常,导致终端产品模块无法正常运作;且因此电极结构设计会限制产品设计及应用领域，如高电流高电压驱动,极端环境等。
技术实现思路
本专利技术就是针对
技术介绍
的问题提出一种可行的解决方案，借由稳定金属铑、钌或者铂采用双反射层结构，构建可靠性强的电极设计。本专利技术提供的第一个实施例中，公开了一种发光二极管，包含：基板，以正装产品为例，包括表面具有一系列凸起的基板，包括例如采用干法蚀刻制作的没有固定斜率的凸起，又或者采用湿法蚀刻的具有一...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，包含：/n外延发光层，外延发光层包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层，与第一半导体层连接有第一电极，与第二半导体层连接有第二电极，/n其特征在于，第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层，第一反射层和/或第二反射层的材料的杨氏模量不小于150Gpa且体积模量不小于200Gpa。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光二极管，包含：
外延发光层，外延发光层包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层，与第一半导体层连接有第一电极，与第二半导体层连接有第二电极，
其特征在于，第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层，第一反射层和/或第二反射层的材料的杨氏模量不小于150Gpa且体积模量不小于200Gpa。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一电极和/或第二电极的截面为梯形，梯形侧壁与水平面的夹角为60°至75°，或者为75°至80°，或者80°以上。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，发光二极管的芯片尺寸不大于250微米*250微米。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，发光二极管具有从2微米到100微米或从100微米到250微米的长度。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，发光二极管具有从2微米到100微米或从100微米到250微米的宽度。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第二反射层远离接垫层的一侧至少覆盖有绝缘保护层。
7.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于，绝缘保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氧化铌或者氮化钛。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，接垫层的材料包括金。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一反射层与接垫层接触。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，在外延发光层与第一反射层之间具有接触层，第一反射层至少部分包覆接触层。
11.根据权利要求10所述的一种发光二极管，其特征在于，接触层的材料包括铬或者铬与过渡金属的合金。
12.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一反射层上包覆有应力调整层，应力调整层的成膜应力方向与第一反射层相反。
13.根据权利要求12所述的一种发光二极管，其特征在于，应力调整层的杨氏模量不小于150Gpa且体积模量不小于200Gpa。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏羽，邓有财，张中英，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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