顶发射式半导体发光器件制造技术

本发明专利技术的实施例包括一种半导体结构，包括夹在n型区与p型区之间的发光层。将生长衬底附连到半导体结构。生长衬底具有至少一个成角侧壁。反射层布置在成角侧壁上。从半导体结构和生长衬底提取的大部分光是通过生长衬底的第一表面提取的。

【技术实现步骤摘要】
顶发射式半导体发光器件本案为分案申请，母案是申请号为201480033532.3的进入国家阶段的PCT申请，其专利技术名称为“顶发射式半导体发光器件”，申请日为2014年3月31日。
本专利技术涉及顶发射式、波长转换半导体发光器件。
技术介绍
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件是当前可获得的最高效的光源之一。当前在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中感兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是还被称为III氮化物材料的镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金。典型地，通过借由金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III氮化物或其它合适衬底上外延生长具有不同组成和掺杂剂浓度的半导体层的堆叠来制作III氮化物发光器件。堆叠通常包括在衬底之上形成的掺杂有例如Si的一个或多个n型层、在一个或多个n型层之上形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在有源区之上形成的掺杂有例如Mg的一个或多个p型层。电气接触件形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件，包括：/n包括在n型区与p型区之间的发光层的半导体结构；/n附连到半导体结构的生长衬底；以及/n布置在生长衬底的与附连到半导体结构的生长衬底的表面相对的表面之上的波长转换层；/n布置在生长衬底的侧壁、波长转换层的侧壁以及半导体结构的侧壁上的反射层，使得反射层的顶表面与波长转换层的顶表面共面。/n

【技术特征摘要】
20130411 US 61/810833;20131106 US 61/9004661.一种器件，包括：
包括在n型区与p型区之间的发光层的半导体结构；
附连到半导体结构的生长衬底；以及
布置在生长衬底的与附连到半导体结构的生长衬底的表面相对的表面之上的波长转换层；
布置在生长衬底的侧壁、波长转换层的侧壁以及半导体结构的侧壁上的反射层，使得反射层的顶表面与波长转换层的顶表面共面。


2.权利要求1的器件，其中波长转换层与半导体结构分离地形成并且附连到生长衬底。


3.一种方法，包括：
在生长衬底上形成多个半导体发光器件；
将所述多个半导体发光器件附连到载体；
移除半导体发光器件之间的生长衬底的第一部分而同时生长衬底的多个第二部分保留在半导体发光器件上；
在半导体发光器件和生长衬底的第二部分之间的区域中布置反射材料，使得反射层的顶表面与生长衬底的顶表面共面；
通过切割反射材料来使两个相邻的半导体发光器件分离，使得每一个半导体发光器件包括其上生长半导体发光器件的半导体部分的生长衬底的第二部分之一；以及
移除载体。


4.权利要求3的方法，其中将多个半导体发光器件附连到载体包括将多个半导体发光器件形成于其上的生长衬底晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：BJ莫兰，MA德桑伯，G巴辛，NAM斯维格斯，MM巴特沃尔思，K万波拉，C马泽伊尔，
申请(专利权)人：亮锐控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL