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本发明的实施例包括一种半导体结构，包括夹在n型区与p型区之间的发光层。将生长衬底附连到半导体结构。生长衬底具有至少一个成角侧壁。反射层布置在成角侧壁上。从半导体结构和生长衬底提取的大部分光是通过生长衬底的第一表面提取的。...
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