一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法，将所述外延叠层通过键合层键合形成于所述透明衬底的表面，且在所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面设有第一扩展电极层；所述第一电极沉积于贯穿所述外延叠层的电极贯穿孔，并与所述第一扩展电极层形成电接触；所述第二电极与所述金属电极层形成电接触。即，本申请在所述外延叠层的两个对立表面均可以较好地实现电流的均匀扩展，且使通过第一型半导体层和第二型半导体层注入到有源区的电流为垂直注入，类似垂直结构LED芯片，可以有效改善LED芯片的电流阻塞效应；此外，本申请所提供的LED芯片的结构具备很好的兼容性，可实现透明衬底在不同色系LED芯片的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法。
技术介绍
由于LED外延片结构中生长衬底对发射光具有较强的吸收特性，且外延层顶层半导体层厚度较薄电流扩展能力较差这一问题，因此，具有透明衬底的LED芯片的应用也越来越广泛；诸如，具有蓝宝石生长衬底的GaN基蓝光(B)、绿光(G)和紫外(UV)LED芯片，以及具有磷化镓(GaP)或蓝宝石等衬底的GaAs基红光(R)、黄光(Y)或红外(IR)LED芯片，由于透明衬底作为LED芯片的窗口层，透明衬底相对于LED发光层而言具有较厚的尺寸，会有一定比例的光从倒装芯片透明衬底的侧面出射，实现多面出光，同时由于透明衬底材料的折射率一般介于LED发光材料和空气折射率之间，透明衬底与空气较小的折射率差允许光线具有更大出射角度的逃逸锥，而且透明衬底LED芯片属于一种倒装芯片或类似倒装结构，底部具有反射镜结构，可以将发光层向底部发射光反射会LED表面，所以具有透明衬底的LED芯片相对于正装LED芯片而言具有更大的发光效率。<br>专利(申请号：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于透明衬底的LED芯片，其特征在于，包括：/n透明衬底；/n外延叠层，所述外延叠层通过键合层键合形成于所述透明衬底的表面，所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层；且，在所述外延叠层中设有贯穿所述外延叠层的电极贯穿孔；所述第一方向垂直于所述透明衬底，并由所述透明衬底指向所述外延叠层；/n金属电极层，所述金属电极层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面；/n第一扩展电极层，所述第一扩展电极层设于所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面，且所述电极贯穿孔裸露所述第一扩展电极层的局部区域；/n绝缘层，所述绝缘层设置于所述电极贯穿孔的侧壁及所述金属...

【技术特征摘要】
1.一种基于透明衬底的LED芯片，其特征在于，包括：
透明衬底；
外延叠层，所述外延叠层通过键合层键合形成于所述透明衬底的表面，所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层；且，在所述外延叠层中设有贯穿所述外延叠层的电极贯穿孔；所述第一方向垂直于所述透明衬底，并由所述透明衬底指向所述外延叠层；
金属电极层，所述金属电极层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面；
第一扩展电极层，所述第一扩展电极层设于所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面，且所述电极贯穿孔裸露所述第一扩展电极层的局部区域；
绝缘层，所述绝缘层设置于所述电极贯穿孔的侧壁及所述金属电极层背离所述第二型半导体层的一侧表面；所述绝缘层设有一裸露所述金属电极层部分表面的缺口，且所述缺口远离所述电极贯穿孔设置；
第一电极，所述第一电极沉积于所述电极贯穿孔并与所述第一扩展电极层形成电接触；
第二电极，所述第二电极通过所述缺口与所述金属电极层形成电接触，且所述第二电极远离所述第一电极设置。


2.根据权利要求1所述的基于透明衬底的LED芯片，其特征在于，在所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面设有透明导电层，所述第一扩展电极层层叠于所述透明导电层背离所述外延叠层的一侧表面，且所述电极贯穿孔延伸至所述透明导电层并裸露所述第一扩展电极层的局部区域；或所述透明导电层层叠于所述第一扩展电极层背离所述外延叠层的一侧表面，且所述电极贯穿孔裸露所述第一扩展电极层的局部区域。


3.根据权利要求1所述的基于透明衬底的LED芯片，其特征在于，所述第一扩展电极层至少包括一中心焊盘及若干个沿所述外延叠层表面水平铺设的扩展条；且所述电极贯穿孔裸露所述中心焊盘的局部区域，所述第一电极沉积于所述电极贯穿孔并与所述中心焊盘形成电接触。


4.根据权利要求1所述的基于透明衬底的LED芯片，其特征在于，所述键合层包括透明介质材料。


5.根据权利要求4所述的基于透明衬底的LED芯片，其特征在于，所述透明衬底包括图形化透明衬底或具有斜侧壁的透明衬底。


6.根据权利要求1所述的基于透明衬底的LED芯片，其特征在于，所述金属电极层包括高反射率的金属单层，或具有高反射率的多层金属结构。


7.根据权利要求6所述的基于透明衬底的LED芯片，其特征在于，所述金属电极层包括Ag、Au、Pt、Al、Rh、Ni、Pd、V中的一种或多种金属叠层。


8.根据权利要求1所述的基于透明衬底的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层包括绝缘材料层或由绝缘材料制...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵斌，曲晓东，杨克伟，林志伟，陈凯轩，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35