微型发光二极管及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种微型发光二极管及其制作方法、显示装置，微型发光二极管包括依次层叠设置的第二型半导体层、发光层、第一型半导体层，第一型半导体层在第二型半导体层上的投影面积小于第二型半导体层的面积；还包括覆盖第一型半导体层的顶面、侧面、发光层的侧面、第二型半导体层的侧面、部分顶面的绝缘层，绝缘层中设置有第一过孔和第二过孔；还包括设置在绝缘层两侧的第一电极和第二电极，第一电极通过第一过孔与第一型半导体层电性连接，第二电极通过第二过孔与第二型半导体层电性连接，增大了第一电极和第二电极与电路板绑定时与电路板的接触面积，提高了绑定时的准确性和牢固性。

Miniature light emitting diode and its manufacturing method and display device

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种微型发光二极管及其制作方法、显示装置。
技术介绍
目前微型发光二极管(micro-LED)显示技术在市场上逐渐受到重视，micro-LED继承了LED的优秀特性，具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度高、响应速度快、寿命长等优点，有望取代现在的OLED和LCD，成为下一代新型显示技术。微型发光二极管包括第二型半导体层、发光层、第一型半导体层和绝缘层，其中，第一型半导体层连接有第一电极，第二型半导体层连接有第二电极，第一电极和第二电极均设置在绝缘层上；另外，还设置有依次贯穿绝缘层、第一型半导体层和发光层的过孔，第二电极伸入过孔内从而与第二型半导体层电性连接。但是，随着微型发光二极管向小型化趋势发展，第一电极和第二电极的面积越来越小，在与电路板绑定时，第一电极和第二电极与电路板的接触面积变小，导致在转移到电路板上时容易出现位置偏移，绑定的牢固性差，易发生短路。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种微型发光二极管及其制作方法、显示装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：/n依次层叠设置的第二型半导体层、发光层、第一型半导体层，且所述第一型半导体层在所述第二型半导体层上的投影面积小于所述第二型半导体层的面积；/n绝缘层，覆盖所述第一型半导体层的顶面和侧面、所述发光层的侧面、所述第二型半导体层的侧面和部分顶面，所述绝缘层中设置有第一过孔和第二过孔；/n分别设置在所述绝缘层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一型半导体层电性连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二型半导体层电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：
依次层叠设置的第二型半导体层、发光层、第一型半导体层，且所述第一型半导体层在所述第二型半导体层上的投影面积小于所述第二型半导体层的面积；
绝缘层，覆盖所述第一型半导体层的顶面和侧面、所述发光层的侧面、所述第二型半导体层的侧面和部分顶面，所述绝缘层中设置有第一过孔和第二过孔；
分别设置在所述绝缘层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一型半导体层电性连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二型半导体层电性连接。


2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层的掺杂类型为P型或N型，所述第二型半导体层的掺杂类型与所述第一型半导体层的掺杂类型相反。


3.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极的至少部分顶面与所述第二电极的至少部分顶面相平齐。


4.根据权利要求1或3所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括增透膜，所述增透膜设置在所述第二型半导体层背离所述发光层的一侧。


5.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的光电特性测试表面露出在所述增透膜外。


6.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一过孔位于所述第一型半导体层的顶面与所述第一电极之间，所述第二过孔位于所述第二型半导体层的顶面与所述第二电极之间。


7.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨佳霖，樊腾，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13