一种发光二极管芯片制造技术

本申请公开了一种发光二极管芯片。发光二极管芯片包括：转移基板和依次层叠在所述转移基板上部的粘合层，介质膜层，P型欧姆接触层，P型电流扩展层，P型限制层，有源层，N型限制层，N型粗化层，N型欧姆接触层；以及，上电极，位于所述N型欧姆接触层上；下电极，位于所述转移基板下；其中，上电极的半径大于30微米，可以降低焊接时的压强，降低出现挖电极的可能系。该发光二极管可以有效避免焊线过程中挖电极和掉电极的问题，提高产品可靠性和亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片
本技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种发光二极管芯片。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)的发光原理是利用电子在N型半导体与P型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量。以其良好的显色能力，已被广泛应用在诸如显示指示、交通标志、城市亮化等公共领域。同时，作为优良的半导体照明光源，LED兼具能耗低、寿命长、免维护、环保等诸多优点。可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。传统转移基板的四元系磷化铝镓铟发光二极管(AlGaInPLED)芯片的外延片是很多层的组合，由于层与层之间存在晶格差异，就会产生应力，使得发光二极管芯片存在挖电极、掉电极的问题，增加了产品可靠性风险和客户维护成本。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种发光二极管芯片及其制备方法，防止在焊线过程中出现挖电极，掉电极的问题。根据本技术的第一方面，提供一种发光二极管芯片，包括：转移基板和依次层叠在所述转移基板上的粘合层，介质膜层，P型欧姆接触层，P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片，包括：/n转移基板和依次层叠在所述转移基板上的粘合层，介质膜层，P型欧姆接触层，P型电流扩展层，P型限制层，有源层，N型限制层，N型粗化层，N型欧姆接触层；以及，/n上电极，位于所述N型欧姆接触层上；/n下电极，位于所述转移基板下；/n其特征在于，所述上电极包括多层金属层，所述上电极半径大于30微米。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，包括：
转移基板和依次层叠在所述转移基板上的粘合层，介质膜层，P型欧姆接触层，P型电流扩展层，P型限制层，有源层，N型限制层，N型粗化层，N型欧姆接触层；以及，
上电极，位于所述N型欧姆接触层上；
下电极，位于所述转移基板下；
其特征在于，所述上电极包括多层金属层，所述上电极半径大于30微米。


2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括铝元素的组分小于所述N型粗化层中铝元素的组分的应力渐变层，所述应力渐变层设置在所述N型粗化层与所述N型限制层之间。


3.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凯，李有群，杨明涛，林洪剑，甄炯炯，张振龙，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35